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最近加分文章

新拓扑：buck补偿薄膜谐振关断

本文章提出了一种利用buck电路对薄膜进行补偿的电磁炮新拓扑。可利用一个大电解电容在奇数级发射过程中对薄膜电容进行补偿，使得可以只使用一个薄膜电容来进行加速。使用单个IGBT元件来控制能量输入，也可完全使用SCR。该拓扑方案使用的器件少，成本低，控制方式简单，电路相当精简，参数选择容易，设计难度低，有很强的实用价值。文中同时对该拓扑的工作过程进行了计算分析，找到了影响能量补偿的因素。并使用maxwell设计了利用新拓扑的紧密连续加速的15级磁阻炮模型，取得了良好的效果，验证了该方案的可行性。

电磁炮

R-L强度计算软件公布以及相关设计方法与经验汇总

本文章通过一些简单基础计算方式对于常见的连接固定方式进行了初步计算设计，并通过ANSYS瞬态结构模块功能对于不同类型进行了有限元分析。探讨研究了螺丝孔距离，壳体边缘距离，对于应力集中影响和设计影响。并且还探讨了压力载荷和温度载荷其影响。最后总结提供了一些常见的设计方法。

喷气推进

降落伞降落速度计算器

本文介绍降落伞降落速度计算器，阐述计算逻辑基于空气阻力、重力等因素。计算公式涉及温度、气压、空气密度、伞面面积等参数。

喷气推进

电解法制取高氯酸盐的相关过程以及相关燃料（669）的试车

电解法制取氯酸钠高氯酸钠并进行相关盐类的复分解，进行669燃料的制作试车

喷气推进

[文献综述] 轨道炮的趋肤效应

最近看了一些轨道炮的论文，主要是关于趋肤和邻近效应的（下文统称趋肤效应），这里把结果整理一下。轨道炮里有两种趋肤效应。一种是常规趋肤效应。它是指导体各部分在空间上相对静止，电流随时间变化，导致电流趋于导体表面的现象。在一般语境中（比如变压器绕组，传输线等），它被简单的称为“趋肤效应”。而在轨道炮中，由于存在另一种“速度趋肤效应”，所以会在这种“不是速度趋肤效应的趋肤效应”前面加些额外的词来区分。具

电磁炮

有关再生冷却的简单计算软件开源以及计算过程

本文章以较简单的基础公式，介绍以这些公式开发的计算软件。只展示大概流程，并且计算相对简单，不会特别准确，有一定的误差。本文章主要介绍顺序对流换热基础公式介绍，热流密度公式介绍，冷却剂传热介绍。相变温度计算器的使用方法。热流密度以及温升的计算器使用方法。普通铣槽冷却通道计算器基础公式以及光滑环形冷却通道计算器基础公式。相对应的特征长度计算。整体设计过程以及其他注意事项，按照此顺序来进行编写。

喷气推进

[python] 行波加速模拟器【开源】

半桥拓扑磁阻炮仿真程序

电磁炮

时序控制磁阻炮的速度负反馈特性

提出了磁阻炮在仅依靠时序、无传感器的情况下，能够自动地实现速度负反馈的设想。使用Ansys Maxwell对磁阻炮进行建模仿真，给定适宜时序，对比不同扰动对时序控制磁阻炮发射速度的影响。仿真结果验证设想可行，具有较大实用价值。

电磁炮

金属空心锥形的一些研究与实验

聚能装药是一种能直观体现含能材料爆速、爆压的应用场景，简略的介绍聚能装药理论，着重介绍药型罩与装药技术。以理论设计与实验为主，提供了一些药型罩制作新方法与聚能装药的新思路，以作学习交流。

机械与工具

MR9电磁炮

先上当前性能进度：速度127mps，效率32%，线圈全开无故障。这个炮使用全新的架构，有很多新设计要验证，来积累经验，同时也想挑战一下只使用3个牛角电容(?!)来达到一百多的速度。阵列拓扑适合较大规模的设计，因此非常有发展潜力，几乎可以说是为高速小口径特化的优秀方案。由于每个igbt都要多次开关，考虑到器件热量的均衡和降低线圈排列的复杂度，这次采用了两个4*5的阵列共40级，每级1cm。线圈不再保...

电磁炮

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钛金属端燃发动机最终版

按照之前的长工作时间发动机设计以及简化燃料工艺，制作了一个端燃的金属发动机，壳体为耐高温钛合金TC11管，87%固含量AP-HTPB燃料，药柱直径34mm，长度74mm。石墨喷嘴，喷喉直径2.2mm，喷燃比238。发动机试车，平均推力接近5kg，实测比冲达238.8s，工作时间6.7s。

喷气推进

轨道炮电流数据，去除检流电阻的寄生电感的影响

前段时间，我们推出了一款轨道炮产品：https://www.kechuang.org/t/90735产品帖子的20楼里，给出了“可以代表电流波形的数据”，如下图它是一根导线上的电压波形，这根导线用来将轨道连接到电路板上。测试时的场景如下图，示波器探头接在右下角的红线上导线电阻是1mΩ，所以每1V电压对应1kA的电流，把电压波形的数值乘以一千，就得到对应的电流波形。但是这个对应关系只适用于直流和低频

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半导体特性分析仪主要用于对分立半导体器件进行直流特性表征，给器件的各个端口施加可编程的电压/电流并测量电流/电压，以提取各项特性参数，进行拟合与SPICE建模（可以参考Sedra and Smith）。在集成电路工艺与器件开发时，常常会在晶圆上放一些分立的测试元件，以便这种分析仪来提取直流参数来开发PDK。在器件生产中也可能用一些测试结构来进行晶圆的过程控制，产品测试中也可能用到。这种分析仪的基本

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