最近加分文章
有关再生冷却的简单计算软件开源以及计算过程
本文章以较简单的基础公式，介绍以这些公式开发的计算软件。只展示大概流程，并且计算相对简单，不会特别准确，有一定的误差。本文章主要介绍顺序对流换热基础公式介绍，热流密度公式介绍，冷却剂传热介绍。相变温度计算器的使用方法。热流密度以及温升的计算器使用方法。普通铣槽冷却通道计算器基础公式以及光滑环形冷却通道计算器基础公式。相对应的特征长度计算。整体设计过程以及其他注意事项，按照此顺序来进行编写。
时序控制磁阻炮的速度负反馈特性
提出了磁阻炮在仅依靠时序、无传感器的情况下，能够自动地实现速度负反馈的设想。使用Ansys Maxwell对磁阻炮进行建模仿真，给定适宜时序，对比不同扰动对时序控制磁阻炮发射速度的影响。仿真结果验证设想可行，具有较大实用价值。
金属空心锥形的一些研究与实验
聚能装药是一种能直观体现含能材料爆速、爆压的应用场景，简略的介绍聚能装药理论，着重介绍药型罩与装药技术。以理论设计与实验为主，提供了一些药型罩制作新方法与聚能装药的新思路，以作学习交流。
MR9电磁炮
先上当前性能进度：速度127mps，效率32%，线圈全开无故障。这个炮使用全新的架构，有很多新设计要验证，来积累经验，同时也想挑战一下只使用3个牛角电容(?!)来达到一百多的速度。阵列拓扑适合较大规模的设计，因此非常有发展潜力，几乎可以说是为高速小口径特化的优秀方案。由于每个igbt都要多次开关，考虑到器件热量的均衡和降低线圈排列的复杂度，这次采用了两个4*5的阵列共40级，每级1cm。线圈不再保...
行波加速器的仿真计算流程
行波加速的特点在于
1、 线圈沿轴向的方向更短，密度更高
2、 同时存在多个线圈同时处于通电状态
行波加速的优点主要在于全程可以维持一个较高的磁场梯度，加速效率高（也就是说动子的加速度大，可以在更短的距离加速到更高的速度），能量效率高。而由于行波加速中，线圈同时通电和线圈密度较高的特性，使得行波加速中，线圈与线圈之间的磁耦合不能忽略，这使得以往的仿真工具并不完全能适用于行波加速。
本文提出了一种行波加速仿真的工作流，对优化行波加速器的设计具有一定指导意义
意外开始的场致发光
起因是前些日子做了一点掺杂的硫化锌荧光粉，这些荧光粉会用于探测重带电粒子，最后确实达到了目标，不过其中一个意外的小插曲带来了些额外的乐趣。一言以蔽之，起因是意外，是由于掺杂中没清理干净引入了杂质。场致发光现在感觉应用不多了，接触过上个世纪的仪表的朋友可能有印象，比如那些67/70/70-1/75型射线指示仪的表盘，都使用了场致发光背光，然后到现在不少也都坏了；这些表盘用高压交流驱动，在上述的仪器中...
基于JFET管/BJT管和运放电路设计方案分享
本文整理了我对低噪声JFET管、BJT管的调研结果，以及一些设计方案的测试结果，包括静态工作点设计、电路噪声分析、失调电压调零等具体操作。这里将结果分享出来，以便同行查阅。
文中关于失调电压的分析存在较大缺陷，其他分析也有不完整的地方，欢迎同行指出Bug。
6月20日补充：经测试发现，本文中噪声谱密度的算法有问题，因此实测结果中的噪声分析有很大问题。这里用正确的算法重新测试了这些板卡的指标，并补充在相关章节。
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反射式高能电子衍射仪（RHEED）的调试
RHEED即Reflection High Energy Electron Diffraction，是表面物理膜层生长的重要表征手段之一，广泛的集成在MBE，PLD，LMBE，MOCVD等外延生长、半导体磊晶设备中。RHEED以一束能量为10～30KeV的高准直性、单色性的电子束作为探束，经电磁透镜偏转后以1-3°的掠射角掠射sample表面，反射形成电子衍射图像。衍射图像可以在一定程度上...
超声波对硫酸铜结晶的影响
本帖最后由 ne555 于 2014-8-18 22:03 编辑 之前的超声波清洗机怎么可能就那点用处[s:12]
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/66493
想必大部分人对于结晶和超声波不太了解，所以发实验之前，先科普一下，发一些关于结晶和超声波的知识。
相关知识
饱和
在一定温度和压力下，溶液所含溶质的量达到最大限度（不能再溶解）。
过饱和
在一定温度和压力下...
模型火箭用聚氯乙烯推进剂配方设计的几个问题
我在网上找的，需要的人可以看看
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RNX静推力试验，注意发动机瞬间插入土层约30CM，地面是坚硬的硬土地面。再次感谢试制RNX之初，EHCO大神给与的帮助RNX火箭45度发射试验发动机：LY12铝合金燃 料：RNX燃料重：10KG射 高：约2000M（观察）射 程：约6000M（观察加计算）质 量：20KG箭 长：1900MM[flash=640,480]XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/play...
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1. 电容的时间常数评价电容放电性能的时候，经常会用到两个参数：一个是“电容量”，简写为“容量”或C；另一个是“等效串联电阻”，简写为“内阻”，ESR或R。分开使用这两个参数，不便于比较容量和内阻都不同的电容。比如“1000μF，60mΩ”和“2000μF，40mΩ”，哪个质量更好，就不太好比。 1.1 电容时间常数的概念这时我们可以引入一个“时间常数”的概念。$$ 电容的时间常数=内阻 \tim...
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