引用第1楼west_0830于2010-01-14 22:50发表的  :
那个加图腾的效果比这个更好.我现在改用低电压的3205管子...理论IRF3205比250的电流大..但感觉250做出来的效果却要好些...450 460还没必要..前提是做好反向电压保护.

引用第6楼华蓥于2010-01-15 00:14发表的  :
   个人感觉如果在频率减少初级线圈就会和1000P一样.
另外不知道谁能完全解释频率高会发热的原因

引用第7楼seeker于2010-01-15 00:55发表的  :


CPU超频后为什么热量会爆增？电压还只有0.9V-1.4V

引用第10楼北落师门于2010-01-15 09:56发表的  :
据tesla说IRFP250的频率能达到4MHz，这么说的在试验频率下应该是没问题的
而且大家注意在低频的情况下场管发热也很严重，非常严重！用CPU散热器都很难支持，应该是频率不匹配导致效率不高，最终能量都聚集在场管上的缘故

引用第17楼joyeep于2010-01-15 14:10发表的  :
Mos的优势就是频率高，但是不要忘记了MOS 结电容，在高频下，这个电容就起很大作用了

推动电路需要改，建议用TC4420，这些MOS 高速驱动IC，常规的驱动基本失败

HELLOCQ上面有用IRF640做几十M ，50几W 的业余电台的。

引用第5楼北落师门于2010-01-14 23:06发表的  :
这就能说明问题了！我当初做这个电路的时候发帖问为什么我的电弧是脉冲式的，就是因为电容错了，频率太低的缘故！现在看来设计者的确考虑到了彩电高压包工作的频率，实际真的要是1000pF电容的话效果还是不错的！可能当时我做板的时候脑抽了.....

引用第19楼拔刀斋于2010-01-16 22:09发表的  :
做RF功放时栅电容与外接匹配电感工作在正弦波谐振状态，可以达到比方波驱动器高得多的频率，代价是正弦波上升下降不陡，管子有相当一部分时间工作在线性区

引用第23楼笨笨先生于2010-03-20 04:24发表的  :
我手更贱,今天试验一下这个电路,结果烧了两个NE555，第一个和老婆聊天，结果装反了，一通电十几安的电流，NE555都冒烟了。第二个就是懒得自己绕线用高压包里面的绕组，结果拉弧的时候不知道打到哪了，NE555烧了，幸好我的3205没有烧，这玩意可是555的5倍的价格啊。后来自己绕线就可以了，感觉5圈，10圈，15圈区别不太大。不过后来电压过高，应该超过20KV，把高压包里面的高压硅堆又烧了，现在输出成交流电了，高压电容成电阻了，郁闷。。。。

引用第24楼小特斯拉圈圈于2010-03-20 12:54发表的  :

硅堆烧了？好啊！！！
我玩倍压整流还想故意把硅堆击穿了呢