电荷阱型器件是在1967年被发明的，也是第一个被发明的电编程半导体器件。在这类型的存储器中，电荷被储存在分离的氮阱中，由此在无电源供应时保持信息。电荷阱器件的典型应用是在MNOS(Metal Nitride Oxide Silicon)，SNOS(Silicon Nitride Oxide Semiconductor)和SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor)中。图二展示了一个典型的MNOS电荷阱型存储器的结构。


MNOS中的电荷通过量子机制穿过一层极薄的氧化层（一般为1.5-3nm）从沟道中被注入氮层中。

世界上第一个EPROM,是一个浮栅型器件，是通过使用高度参杂的多晶硅（poly-Si）作为浮栅材料而制成的，它被称为浮栅雪崩注入型MOS存储器（FAMOS）。它的门极氧化层厚度为100nm, 由此保护电荷流向substrate。 对存储器的编程是通过对漏极偏压到雪崩极限使得电子在雪崩中从漏极区域被注入到浮栅中。这种存储器的擦除只能通过紫外线照射或X光照射。如今，这种EPROM的封装形式通常是陶瓷带有一个可透光的小窗口，或者是一个塑料封装的没有石英窗的。这些存储器被称为一次性编程存储器（OTP）,这种存储器很便宜，但是在封装后要测试他们是不可能的。带有石英窗口的EPROM价格比较贵，但是由于可被擦除，所以可以在封装后作另外的测试。

虽然在70年代有了紫外可擦除型的商业用非易失存储器，研制电可擦写型非易失存储器的吸引力正在逐渐扩大。 H.IIZUKA XXXXX 发明了第一个电可擦写型非易失存储器，被称为叠门雪崩注入型MOS(SAMOS)存储器。SAMOS存储器由两个多晶硅门和一个外部控制门组成。外部控制门的出现使得电可擦写成为了现实，并且提高了擦除的效率。电可擦写型非易失存储器的电擦除是通过将浮栅中的电荷量恢复到未注入时的水平实现的。比起紫外照射擦除产品，这种产品的封装成本低廉很多。缺点是单位存储单元的尺寸要比以前大很多，使得晶元面积也大了很多。EEPROM单元由两个晶体管组成，一个是浮栅晶体管，另一个是选择晶体管，如图三所示。选择晶体管是用于在编程和擦除时选择相应的浮栅晶体管。后来，由于加入了错位修正电路以及修补电路，晶元尺寸被再次增大。

在80年代，一个经典的非易失存储器产品被发明了，那就是闪存。第一个闪存产品通过热电子注入机制实现对器件编程，而擦除则采用了隧道效应。这种新型的存储器只能被整片或一个区域的删除而不能被单字节删除。因此，选择晶体管被移除了，由此也减小了单元的尺寸。典型的单元结构如图一所示。

第二部分 基本编程机制

无论是浮栅型或电荷阱型存储器，对器件编程都是通过将电子注入浮栅区或者氮层区中。实现此过程，主要是通过两种的机制：FN 隧道效应（对薄氧化层）以及热电子注入。

1． Fowler-Nordheim 隧道效应
FN隧道效应是NVM最主要的电荷注入方式之一，在对器件编程时，在控制门极加上很大的电压（Vcg），能带结构会如图四变化：

在图四中，ec 和 ev 分别是导带和禁带，Eg 为能带宽度 (硅材料是1.1 eV ), fb 为Si-SiO2 能量势垒 (fb is 3.2 eV for electrons and 4.7 eV for holes). 外加电压 Vcg 造成电势提供给substrate中的电子通过薄氧化层中的隧道到达浮栅区的可能。弯曲的IPD和门氧化层能带是不同的，这是由于它们的厚度不同。IPD厚度从25nm到45nm不等，而门氧化层厚度只有5nm到12nm。电子到达浮栅区而形成的电流密度为：



其中,
h = 普朗克常数
= 诸如表面能量势垒 (3.2 eV for Si-SiO2)
q = 单个电子电量 (1.6x10-19 C)
m = 自由电子质量 (9.1x10-31 kg)
m* = 二氧化硅能带中自由电子有效质量 (0.42 m)
Vinj = 注入表面电势
Vapp = 门氧化层两侧电势 (V)
Vfb = 平带电势(V)
tox = 门氧化层厚度 (cm)

等式 1 隧道电流密度和加在门氧化层两侧电势Vapp成指数比， 从而影响诸如表面电势Vinj。图五展示了一个NVM的横截面，其电子隧道效应电流成均匀分布。Vcg 正电压，源极Vs 和漏极 Vd, 以及substrate Vsub 都接地。

另一个可选的对FLASH编程的方法如图六所示，被称为漏极隧道效应。此方法有时比均匀隧道效应编程在编程速度方面更有利，由于注入面积很小，产生的隧道电流密度更大。

2，热电子注入
NVM 也可以通过热电子注入来实现编程。对于在p型substrate上的n型NVM使用热电子注入，而在n型substrate上的p型NVM则采用热空穴注入。热空穴注入的速度非常慢，这是因为空穴质量和Si-SiO2 能带势垒（4.7 eV ）, 这也是现在绝大多数NVM生产商都采用p型substrate上n型NVM的原因。
通常存储器单元是在漏极侧夹断区向浮栅区进行热电子注入。这些热电子通过在漏极偏置电压得到能量，并且被水平偏置电压加速Elat，到达漏极附近拥有更高的电势的耗尽区域。当这些电子得到足够能量足以超过substrate和门氧化层之间的能量势垒3.2 eV时，由于加在门氧化层两侧的Vd ，它们能够被注入门氧化层中，当一个高的正向电势 Vcg 被加载于控制门极时，这些电子被吸引到了浮栅区中。此时能带变化如图七。

图七，浮栅型存储器单元在热电子注入时能带图

当浮栅被足够数量电子注入后，注入电流Ig 被减弱到几乎为0。这是因为氧化层电势Eox (在开始时用于吸引电子) 现在则排斥电子。Vcg 增加了浮栅中的电荷量同时 Vd 则影响了编程速度.
图八展示了一个利用热电子注入实现编程的NVM的横截面。 Vcg 和 Vd 为正向电压分别为15 V 和 10 V 而 Vs 和 Vsub 则接地。

第三部分： 基本擦除机制
第二部分论述了两种编程机制，FN 隧道效应以及热电子注入。为了能够再次对NVM编程，之前需要对NVM擦除。本章将论述在工业界最常应用的NVM擦除机制。
被注入浮栅之中的电子被门/氧化层能量势垒（3.2 eV）保持在其中。而在氧化层/硅接触面的电压能量势垒也大于3.0 eV，因此， 电子自然迁移的可能性很小。浮栅内储存的电子使得器件的阈值电压增大。
通常存在两种擦除方法：
1. 紫外线照射
2. FN 隧道效应
IIIa. 紫外线照射
根据图九所示，电子由紫外线照射获得足够的能量，足以克服能量势垒由浮栅区到达控制门区或者substrate区，导致期间的阈值电压降低。一般来说，阈值电压从高电位降低到中电位所需要的时间大约为10分钟。

图九，紫外擦除NVM的能带图
IIIb. FN 隧道效应
FU 隧道效应也用于对NVM的擦除，方法之一是对控制门极加高负电压。这时能带变化如图十所示。所加的电压Vcg 形成的电场造成了一个电势势垒，它给浮栅中的电子提供了一条由浮栅到达substrate的通路。

图十，浮栅NVM进行FN擦除时的能带图
图十一a和b展示了两种不同的FN擦除方法：均匀隧道效应和漏极区域隧道效应。第一种方法中，只需要一个很大的负电压被加载在控制门极；而第二种方法中，除了此负电压之外，还需要在漏极加载一个正电压。

总的来说，均匀隧道效应擦除要比漏极区域隧道效应擦除慢，但是后者可能会造成器件可靠性问题：由于集中电子隧穿造成的漏极区门氧化层破坏。

第四部分： 热载流子注入模型

热电子注入是对Flash EEPROM编程的一种手段，它利用高电场加速得到的热电子注入浮栅区来实现电子的移动。此方法编程速度比较慢，这是因为电子注入效率很低，其依据是建立在可能性的统计学规律之上。热电子注入机制也增加了漏极区域的电离，多子和少子都被电离产生。高动能的空穴通常被substate所收集从而形成substrate电流 (Isub)而电子则被漏极区域收集形成漏极电流 (Ids)。此时，如果氧化层电场(Eox)吸引电子，那么这些载流子将克服能量势垒通过氧化层到达浮栅区形成门极注入电流(Ig)。有两个模型用于描述热电子注入：
1， 幸运电子模型
2， 有效电子温度模型
IVa.幸运电子模型和高阈值电压 VT
幸运电子模型是由肖特基建立的，理论上来说它可以这么来解释：为了使热电子能够到达浮栅区，热电子必须在垂直沟道电势差中得到足够的动能 (Elat) 使得它具有足够的动力克服二氧化硅能量势垒到达Si-SiO2 接触。图十二展示了幸运电子模型的概念。它必须具备三个条件：
A - B：一个沟道电子由Elat 得到能量而变成热电子。它的动能必须被重新引导至Si-SiO2 接触面。假设此过程的可能性为 -- 一个电子获得足以克服Si-SiO2能量势垒的能量的可能性。
B – C：此热电子必须不能被碰撞而丧失能量。这一过程的可能性为PSEMI 。PSEMI 被定义为一个电子在Si-SiO2 接触面穿过而不被碰撞的可能性。
C – D： 电子在Si-SiO2 接触面移动到浮栅区过程中，它必须不被氧化层中的电势阱所吸引。此过程的可能性为Pinsul – 电子不被氧化层中电势阱所吸引的可能性。

图十二，幸运电子模型能带图
由于以上三个可能性在统计学上互相独立，总可能性即为三者之乘积。那么门极电流可以得出：

其中：
lr = 动能散射平均路径长度 = 92 nm
Leff = 有效沟道长度 (cm)
Ids = 漏极- 源极电流(A)

浮栅区的电荷量改变了器件的阈值电压：

其中：
DVT = VT (Programmed) - VT (Initial)
DQfg = Qfg (Programmed) - Qfg (Initial) = 浮栅区电荷量变化
电荷量变化也等于

其中：Dt为编程时间（s）
器件阈值电压由初始值到现在的变化为：

其中：
Cfg = 浮栅到控制门极的电容量(F)
图十三展示了一个典型的传输特性曲线，可以看出Ids-Vcg 曲线是相互平行的。他们的位移相当于DQfg/ Cfg。

第六部分. 结论
本文主要介绍了NVM的发展过程和技术概况。主要的编程手段有热载流子注入和FN隧道效应。在FN隧道效应中，门极氧化层厚度一般小于12nm，而在热电子注入中可以厚很多。两种典型的擦除机制为紫外照射和FN隧道效应，通常在UV EPROM中使用紫外照射擦除的方法，而在EEPROM和FLASH存储器中则使用了FN隧道效应擦除机制。紫外擦除所需的时间一般为10分钟而FN隧道效应擦除的时间根据控制门极和漏极上加载的电压强度不同仅为1ms到10ms。最快的编程机制是热电子注入，一般只需100ms。在此过程中，我们讨论了幸运电子模型，这个模型揭示了门电流是如何通过可能性模型来计算的过程。虽然注入的效率很低，但将热电子注入浮栅的过程是很快的，这是因为有外加强电场的作用。对于每个NVM器件来说，可靠性的问题都存在，而耐久力和数据保持力是最重要的两个问题。此外，在编程中和擦除中产生的干扰也是影响NVM可靠性的一个因素。


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