电荷阱型器件是在1967年被发明的，也是第一个被发明的电编程半导体器件。在这类型的存储器中，电荷被储存在分离的氮阱中，由此在无电源供应时保持信息。电荷阱器件的典型应用是在MNOS(Metal Nitride Oxide Silicon)，SNOS(Silicon Nitride Oxide Semiconductor)和SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor)中。图二展示了一个典型的MNOS电荷阱型存储器的结构。


MNOS中的电荷通过量子机制穿过一层极薄的氧化层（一般为1.5-3nm）从沟道中被注入氮层中。

世界上第一个EPROM,是一个浮栅型器件，是通过使用高度参杂的多晶硅（poly-Si）作为浮栅材料而制成的，它被称为浮栅雪崩注入型MOS存储器（FAMOS）。它的门极氧化层厚度为100nm, 由此保护电荷流向substrate。 对存储器的编程是通过对漏极偏压到雪崩极限使得电子在雪崩中从漏极区域被注入到浮栅中。这种存储器的擦除只能通过紫外线照射或X光照射。如今，这种EPROM的封装形式通常是陶瓷带有一个可透光的小窗口，或者是一个塑料封装的没有石英窗的。这些存储器被称为一次性编程存储器（OTP）,这种存储器很便宜，但是在封装后要测试他们是不可能的。带有石英窗口的EPROM价格比较贵，但是由于可被擦除，所以可以在封装后作另外的测试。

虽然在70年代有了紫外可擦除型的商业用非易失存储器，研制电可擦写型非易失存储器的吸引力正在逐渐扩大。 H.IIZUKA XXXXX 发明了第一个电可擦写型非易失存储器，被称为叠门雪崩注入型MOS(SAMOS)存储器。SAMOS存储器由两个多晶硅门和一个外部控制门组成。外部控制门的出现使得电可擦写成为了现实，并且提高了擦除的效率。电可擦写型非易失存储器的电擦除是通过将浮栅中的电荷量恢复到未注入时的水平实现的。比起紫外照射擦除产品，这种产品的封装成本低廉很多。缺点是单位存储单元的尺寸要比以前大很多，使得晶元面积也大了很多。EEPROM单元由两个晶体管组成，一个是浮栅晶体管，另一个是选择晶体管，如图三所示。选择晶体管是用于在编程和擦除时选择相应的浮栅晶体管。后来，由于加入了错位修正电路以及修补电路，晶元尺寸被再次增大。

在80年代，一个经典的非易失存储器产品被发明了，那就是闪存。第一个闪存产品通过热电子注入机制实现对器件编程，而擦除则采用了隧道效应。这种新型的存储器只能被整片或一个区域的删除而不能被单字节删除。因此，选择晶体管被移除了，由此也减小了单元的尺寸。典型的单元结构如图一所示。