三水合番发表回复 8天15时前
嗯,芯片的状态是“电流模式的反激”,输出电压高的时候,进入dcm模式,每个周期输出的能量等于电感储能,储能由峰值电流决定,而峰值电流又被芯片限制为一个恒定值,所以是恒功率
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三水合番发表回复 8天15时前
可能是出现了很严重的反拉。就是:开关导通后,电流缓慢上升,弹丸被吸引,缓慢移动到线圈中点的另一侧,然后吸力反向(反拉)。之后电流继续上升,此时电流更大,所以吸力也更大,不仅会消除掉弹丸的正向速度,还会给弹丸提供反向速度,使弹丸反向飞出。如果是这种问题,解决方法是,减小电容容量,减少线圈匝数(缩短电流脉冲的持续时间),将弹丸放得更靠后(离线圈更远)另一种更简单的可能是:弹丸装得太深了,初始位置就在线...
xxd215发表回复 8天16时前
我的建议是不要建议,不要突发奇想,教具这种完全可以把任务交给钞票的东西如果要素缺失我是给不了建议的😅且不说KC有全套带原件玩具的教材,网上也有大量便宜的套件,买下来观摩一下就知道缺陷的解决方法了至少不会出现认为弹丸被磁化的问题。
在下松田诚一发表回复 8天18时前
首先合成硝化原料2-甲基-4,6-嘧啶二酮。于120ml无水乙醇中溶解乙醇钠31.98g(470mmol),加入盐酸乙脒18.90g(200mmol)与丙二酸二乙酯29.15g(182mmol)。90℃加热反应3h,反应结束后抽滤所得混合物,将滤饼溶于500ml冰水中,在0℃下将溶液的pH调至2,有大量白色固体析出。抽滤并用水和乙醇洗涤滤饼,在60℃下真空干燥5h,得到产物。
在下松田诚一发表文章 8天19时前
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Hue2583发表文章 9天0时前
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lyjerry发表文章 9天1时前
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QQQQQQQ发表评论 9天8时前
这个问题我需要纠正我的之前一个地方只看GTN当量了大了,因为GTG晶体密度很大2.07 高于GTN的1.97所以爆压是高于GTN的,但高出的这点 会被它水水的当量 抵消掉(毕竟GTN当量很大) 。不像叠氮银 密度5.1密度最高,所以在爆压上(37.0)可以堪比黑索金。除了工业上追求顿感以外 并不太需要GTG业余用GTN就可以了。
dracula1429
潜龙腾渊发表回复 9天11时前
我认为反应的方程式是这样的4HF+SiO2=SiF4+2H2O然后四氟化硅与氢氟酸进一步反应SiF4+2HF=H2SiF6总的反应是6HF+SiO2=H2SiF6+2H2O
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