引用 bg2bhc:第三个PDF里讲到了单粒子效应,包括单粒子翻转、破坏性的单粒子锁定,还有功率MOSFET的单粒子击穿,功率MOSFET工作在远低于耐压的状态下可以降低风险。
后面DTU那个ppt里用的是ESA的一个在线工具,参数设置很细,也比较方便
总剂量只是一个方面,还有单粒子效应,一般用LET描述,这个比较复杂,和半导体的具体实现有关
这类效应一般容易在地面用放射性同位素辐射源模拟吗?
引用 bg2bhc:第三个PDF里讲到了单粒子效应,包括单粒子翻转、破坏性的单粒子锁定,还有功率MOSFET的单粒子击穿,功率MOSFET工作在远低于耐压的状态下可以降低风险。
后面DTU那个ppt里用的是ESA的一个在线工具,参数设置很细,也比较方便
总剂量只是一个方面,还有单粒子效应,一般用LET描述,这个比较复杂,和半导体的具体实现有关
引用 bg2bhc:
需要高能量的中子源,比较危险
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