有这回事 普通的IGBT过流能力以1mS的承受时间标定的
时间减短可以增加承受电流
时间减短可以增加承受电流
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请教IGBT的过流能力
在网上搜到的最大功率的IGBT管,号称是"全新进口原装英飞凌IKW40N120H3".
参数如下:
![IGBT.jpg]()
请教下有没谁测试过这货的过流能力?
还有,网传好的IGBT管,过流峰值能达到所标值的4-10倍 ,有这回事没?
参数如下:
请教下有没谁测试过这货的过流能力?
还有,网传好的IGBT管,过流峰值能达到所标值的4-10倍 ,有这回事没?
技术说明书上提到160A 峰值或者安全电流.已经是极限了么?
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IGBT比可控硅脆弱多了，过流是一方面，另一方面由于需要关断，而关断的又是感性负载，表面上看电流都在参数之内，但实际上电路设计一不小心忽略了哪个瞬间的涌浪电流，IGBT基本就走掉了。。。。
上百A的IGBT可不是几块钱的事情啊。。。。搞不好还像大闸蟹一样 一烧烧一串，三两下就把人搞穷了。。。
上百A的IGBT可不是几块钱的事情啊。。。。搞不好还像大闸蟹一样 一烧烧一串，三两下就把人搞穷了。。。
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回 3楼(whd1982) 的帖子
可是...对于关断,老感觉IBGT比可控硅要优秀啊.特别是做多级的时候,用光电来感知DD到什么位置,然后给相应的线圈通电,DD一离开就给线圈断电...很纠结啊...我是眼高手低了.老想做得更好,偏偏门都摸不着.
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为了整合电容组,坚决使用IGBT来控制关断.再度追问个新人才问的问题.
在IGBT前级,按上面IGBT管的情况来算,是串联80A还是160A的限电阻合适呢?再次,在此基础上,是串联个额定值80A还是160A的热熔断保险合适呢?
或者是采用IGBT的四倍值来计算,也就是额定80A的IGBT,当它是320A的来算?然后串联额定320A的限流电阻,再串联额定320A的热熔断保险?
IGBT,上面的这个管,一个就要16块.因为摸不清原理,不敢乱用.怕测试的时候是好好的,接上去后一个没小心,烧了一串...那就亏大了.
在IGBT前级,按上面IGBT管的情况来算,是串联80A还是160A的限电阻合适呢?再次,在此基础上,是串联个额定值80A还是160A的热熔断保险合适呢?
或者是采用IGBT的四倍值来计算,也就是额定80A的IGBT,当它是320A的来算?然后串联额定320A的限流电阻,再串联额定320A的热熔断保险?
IGBT,上面的这个管,一个就要16块.因为摸不清原理,不敢乱用.怕测试的时候是好好的,接上去后一个没小心,烧了一串...那就亏大了.
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回 5楼(jeilly6100) 的帖子
无需串电阻，利用铜线本身的电阻即可
计算好最大电流值得到电阻允许的量，这样可以用稍细的铜线绕制线圈，而且同样圈数厚度减少，更加有利于弹体附近的磁场密度
计算好最大电流值得到电阻允许的量，这样可以用稍细的铜线绕制线圈，而且同样圈数厚度减少，更加有利于弹体附近的磁场密度
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回 6楼(vcasm) 的帖子
那保险呢?是按IGBT的额定80A来设定,还是按安全限值160A来设定,或者是按IGBT的理论承受浪涌电流来设定?
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电路的安全性最好不要靠保险管，利用电路设计确保芯片工作环境在正常的数据范围内，像IGBT这样的芯片，等保险管烧融断开之前，芯片内部已经短路报销了
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回 8楼(vcasm) 的帖子
谢谢了.不过新手如果去折腾复杂的驱动电路,还不如先让它能用起来,至于烧管子....随它吧.烧着烧着,某天不烧了,就懂了.
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