R10 ?
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菜鸟求助，SG3525直驱MOS管，老是烧R10，无法正常工作
如图题，在某宝买了两块SG3525模块，打算直推MOS管，替代ZVS，用市电整流推高压包。但在过程中R10电阻一直烧，一直没有正常运行过。
自己搭的电路如下，里面的R10电阻，基本一通电就冒烟发光。
![B.png]()
某宝上的SG3525驱动如下
![A.jpg]()
理论上不该有问题啊，求解。
如果这个行不能，在R10前光藕隔离能不能行得通？或者要怎么改进？
谢谢了。
自己搭的电路如下，里面的R10电阻，基本一通电就冒烟发光。
某宝上的SG3525驱动如下
理论上不该有问题啊，求解。
如果这个行不能，在R10前光藕隔离能不能行得通？或者要怎么改进？
谢谢了。
你说的应该是那几个标10R的栅极电阻吧，你的提问不太详细，如果是标10R的烧问题可能是栅极电阻功率过小，也有可能是占空比过高，建议调整占空比电位器至阻值中等，栅极电阻换1w以上的
还有可能是mos击穿，建议检查GE，GC，CE间电阻
另外，把10k的电阻去掉，因为你的驱动板上已经有图腾柱了，不必下拉
还有可能是mos击穿，建议检查GE，GC，CE间电阻
另外，把10k的电阻去掉，因为你的驱动板上已经有图腾柱了，不必下拉
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@WGC03 MOS没问题。通电中MOS不发热，事后检查MOS，全都是正常的。10R的栅极电阻，是用的0.5W的。最先没用双电源供电时，驱动和MOS用的同一组12V电源，是运行正常的，只是MOS几秒钟开始就非常烫。后来尝试改12V只驱动3525模块，市电整流作为MOS供电时，就开始烧10R的栅极电阻了。再改回来12V单电源，输出端不接负载时很正常，但只要一碰负载，就同样烧得非常勤快。
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@WGC03 另外，这个模块，没有调占空比的，我也不知道上哪去调占空比，上面可调电阻就只有两个，一个是负责频率，一个是负责电流。我全都是调到正中间的。
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引用 jeilly6100:你这是用市电上推挽吗...
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引用 jeilly6100:你那个“调电流的”就是占空比
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看大家的评论，我是否可以下定论，这个电路里除了下拉电阻多余，电路本身不存在错误是吧？可能存在的问题，只能是原件损坏或者调试类的？
谢谢大家的指导。
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@WGC03 是这么设计的。MOS管是1200V，31A的碳晶管。理论上来说，用SG3525做驱动上，输入电压可以到1000伏以上吧。
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所用碳化硅是否是要负压驱动才可以，有些碳化硅在VGS为0时不能可靠关断。
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@jeilly6100 是碳化硅管子吧？这类管子的寄生电容很小，驱动起来跟硅管有些差别。碳化硅管对杂散参数比较敏感。直接用硅管的驱动方式容易出问题，还有驱动板的信号输出电压是多少的？怀疑驱动电压太高了。
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@迪纳米斯 是的。电路全搭好后，接了个自己做的小高压包，初级5+5T，次级2000T，通电后，高压包输出端拉出大概15cm的电弧，持续时间～0.5秒以内。然后，电路报废。4个碳化硅管拆下来后测试，没有一个能用的，而且很奇怪，就是DS极不管怎么弄都不能导通～
SG3525输出端加了隔离变压器，所以SG3525没坏。
后来尝试用IRFP460替代，空载的时候，输出端用万用表测试，输出正常，电压330V。接上变压器油后，就是不能工作了，输出端为0伏。再把变压器拆下来，电路依然不能工作，输出端还是0伏。拆下IRFP460来测试，管子又是好的～
实在找不到原因了～所以上来求助了～期望知道问题到底出在哪里～
SG3525输出端加了隔离变压器，所以SG3525没坏。
后来尝试用IRFP460替代，空载的时候，输出端用万用表测试，输出正常，电压330V。接上变压器油后，就是不能工作了，输出端为0伏。再把变压器拆下来，电路依然不能工作，输出端还是0伏。拆下IRFP460来测试，管子又是好的～
实在找不到原因了～所以上来求助了～期望知道问题到底出在哪里～
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@迪纳米斯 驱动电压12V。最先说烧10R电阻的问题，重新焊了块板子就好了。再后面就没再用10R的电阻了，而是用参考了ZVS的用料，用的470R，3W的。
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@223388 碳化硅管已经全部报废了。改用IRFP460了。功率端电压大概330V左右，460能应付得下来。没接高压包前，驱动正常的。接高压包后，通电没任何反应，输出端就成0伏了，也就是说MOS管没被导通。
现在也不知道是不是输入功率过大而高压包功率过小出现磁饱和的原因还是其它的什么问题。
拆下来测试，SG3525正常使用，MOS管460正常使用，高压包在ZVS上也正常使用～郁闷了。
现在也不知道是不是输入功率过大而高压包功率过小出现磁饱和的原因还是其它的什么问题。
拆下来测试，SG3525正常使用，MOS管460正常使用，高压包在ZVS上也正常使用～郁闷了。
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板子带保护的。当你接上高压包就保护了。所以你的管子没玩完。输出0V.
建议给出完整的电路图。还有变压器的磁芯面积，变压器的匝数。
变压器饱和 肯定会出问题的。像你这种情况，最大的可能就出在变压器饱和或者击穿上面。
高压包空载启动，如果电压过高，内部绝缘会击穿的。
我也是小白，期待大神出马。
建议先从简单的，小功率的做起吧。另外理论、计算这方面不能缺，我计算不在行，就用软件先仿真。
建议给出完整的电路图。还有变压器的磁芯面积，变压器的匝数。
变压器饱和 肯定会出问题的。像你这种情况，最大的可能就出在变压器饱和或者击穿上面。
高压包空载启动，如果电压过高，内部绝缘会击穿的。
我也是小白，期待大神出马。
建议先从简单的，小功率的做起吧。另外理论、计算这方面不能缺，我计算不在行，就用软件先仿真。
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@迪纳米斯 碳化硅的管子玩完了，这个非常确定。因为～拆下来测试后，死活导通不了，所以，就算它没玩完～我总不能再去垃圾桶翻吧？
高压包内部没击穿，这个可以确定。我自己做的，线是用的三层绝缘线，然后每绕一层都刷了绝缘环氧树脂～就是那种号称每毫米绝缘70KV的环氧树脂。
现在正在用这个环氧树脂重新做UY30的骨架～
SG3525板子保护，输出端都已经价了变压器隔离了，还保护，这个得怎么破？
高压包内部没击穿，这个可以确定。我自己做的，线是用的三层绝缘线，然后每绕一层都刷了绝缘环氧树脂～就是那种号称每毫米绝缘70KV的环氧树脂。
现在正在用这个环氧树脂重新做UY30的骨架～
SG3525板子保护，输出端都已经价了变压器隔离了，还保护，这个得怎么破？
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@迪纳米斯 电路在重新绘制，不会用PCB画，只能是用coreldraw这种平面设计软件来画。自己已经手工折腾了两块板子了，还是有原件对不上孔的问题，也很头疼～
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另外，变压器不平衡或者输入有直流分量，磁芯会逐渐饱和。
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引用 jeilly6100:元件的Datasheet有尺寸图的。按里面标识的尺寸就没事。你怎么会用CDR的？
有原件对不上孔的问题
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XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/view/XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXml 有关变压器看看这个 蛮详细的
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你该不是想搞大功率的高压电源 就是为了玩核聚变吧？fusor是个用脉冲高压驱动的吧？
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@迪纳米斯 求个基于3525驱动的全桥电路图～
我做的实在没办法用，不停的炸管。每次换完最多只能撑个0.几秒，华丽的RMB烟花～
我做的实在没办法用，不停的炸管。每次换完最多只能撑个0.几秒，华丽的RMB烟花～
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@dadodo 没扔。管子确实可惜了，不过也换更高级的了。
最基本的3525前级，接IGBT商品驱动模块，准备上2对200A600V的富士IBGT2单元模块……
话说，正在途中的IBGT模块，富士2MBI200N-060，这模块有谁知道它的最高频率到底是多少？
技术参数上，看不到任何有关频率的。我自己按它导通和关断延时的总和的50倍来算应用，才9K的频率？这很坑啊～
最基本的3525前级，接IGBT商品驱动模块，准备上2对200A600V的富士IBGT2单元模块……
话说，正在途中的IBGT模块，富士2MBI200N-060，这模块有谁知道它的最高频率到底是多少？
技术参数上，看不到任何有关频率的。我自己按它导通和关断延时的总和的50倍来算应用，才9K的频率？这很坑啊～
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你有没有试过其他成品变压器？有点怀疑你自绕的变压器有问题。例如寄生电容，在高频下，次级输出电压等级越高，工作频率越高，寄生电容的影响就越明显。这也可能是一种让你电路无法持续运行的一个因素。
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首先，300V输入不适用于推挽，管子耐压是大问题，加一定吸收恐怕也要用1500V以上的管子，何况你还没有吸收，推挽在48V以下用的多一些。
其次，高压是一个系统工程，变压器更是重中之重，负载类型也对性能影响极大，不是随便搞搞就能出产品的
其次，高压是一个系统工程，变压器更是重中之重，负载类型也对性能影响极大，不是随便搞搞就能出产品的
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