无极电容..............

看懂了。。。

没有那么大的无极电容，还得拿电解电容和二极管改，不过回收能量的想法是好的，但不用这么复杂。
ps:那位有经验的老兄讲讲怎么才能挑到好的电容啊，子母电容伤不起啊

薄膜电容100uf，1400v,就有100j，2000v就有200j，如果效率上去后，这些能量也足够威力

电解电容低压高容量有优势，薄膜电容高压低容量有优势

引用第3楼kewei_9900于2012-06-22 20:30发表的  :
没有那么大的无极电容，还得拿电解电容和二极管改，不过回收能量的想法是好的，但不用这么复杂。
ps:那位有经验的老兄讲讲怎么才能挑到好的电容啊，子母电容伤不起啊

呵呵，这个电路还算复杂呀

今天通过实验
无极电容100uf充电到100v
线圈内径13mm，长35mm，漆包线1mm32匝5层
可控硅bta41-700b+her306组成单向可控硅（我手上没有单向的）
经过一次放电后电容负压为45-50v
通过计算可知，如果采用此种电路回收上一次发射的能量，回收效率大概在25%左右，猜想如果电压升高电流增加，回收效率将会降低，估计可以在15-20%之间
还有一点要说明的是，连接线我是用的网线和电夹子，电阻损耗会比较大，如果改进线路估计可以使回收效率增加，在没放入加速体的情况下，向空线圈放电，只能回收25%，说明线路热损占到了75%，可见减少热损对提高效率很有帮助，无发射体回收电压50v，加入发射体回收电压45，说明耦合到加速体的能量非常小，在开关电源设计中，因为有磁芯，漏感一般可以控制在10%以内，电磁发射因为没有磁芯，耦合系数估计会低于50%至10%

准备做  ！不知道47UF 400V电解电容能做吗？

这个电路需要用薄膜无极电容，因为会反向充电，你不如找个cbb65的启动电容，450v40uf储能4j，先做实验看看效果，然后提高电压，虽然我设计这个电路，我还没完整的测试过，也期待你的测试结果，这个电路主要是要用无极电容，容量小，体积大，但是电压高了，薄膜电容储能也很可观，比如100uf的薄膜电容，100v才储能0.5j，1000v储能50j，1400v可储能98j，但是新手不建议用这么高的电压，一定注意安全

噢~~~非常感谢！等东西到了我就着手做！

看此贴后,带来了一些惊喜,喜的是,可以比较容易实现能量回收,特性应该是更加适合在高初速时的加速!
然而由于知识的问题,存在几个疑问:
1:电容如何确立其初始极性?是充电时确立吗?
2:开关管用什么型号能满足高压触发和关断而且体积不会很大! 你图上的设计应该是无关断吧?
3:在反向充电的时候,电压应该比放电电压更高,是否存在危险?
4:我打算做这个实验,如果成功,的话,设想是用在高初速阶段使用,能否提供一些经验和建议?

依上图，问题多多。依楼主２号可控硅后触发，这时，１号可控硅产生的自感电动势还有吗？如果２号可控硅提前一点触发，就是２个电流相互抵消。效率反而下降了。


本电路无意义。

看电流的波形就应该知道，2号可控硅导通时是在1号导通后完全关闭后，这个电路是从LC自由振荡变形而来的，普通的LC振荡是在同一个线圈和同一个电容中振荡，这个电路是同一个电容，不同的线圈中振荡，而且下一个半波触发时间是用位置检测来触发，从而保证磁行波的形成，此外这个电路可控硅是运行在zvs状态，零电流开通，零电流关闭

引用第10楼qq363606096于2013-05-27 12:22发表的 回 6楼(lovevirus) 的帖子 :
看此贴后,带来了一些惊喜,喜的是,可以比较容易实现能量回收,特性应该是更加适合在高初速时的加速!
然而由于知识的问题,存在几个疑问:
1:电容如何确立其初始极性?是充电时确立吗?
2:开关管用什么型号能满足高压触发和关断而且体积不会很大! 你图上的设计应该是无关断吧?
3:在反向充电的时候,电压应该比放电电压更高,是否存在危险?
.......

1:电容如何确立其初始极性?是充电时确立吗?
这个电路加速级数一般控制在偶数，这样在最终放电结束后可以保证电容极性和初始时一致

2:开关管用什么型号能满足高压触发和关断而且体积不会很大! 你图上的设计应该是无关断吧?
开关管用的是可控硅，关断是靠LC自由振动过零自动关断的

3:在反向充电的时候,电压应该比放电电压更高,是否存在危险?
由于对加速体做功和热损，反向充电的电压只会比前一级低

引用第12楼lovevirus于2013-05-27 13:16发表的 回 11楼(我在飞翔) 的帖子 :
看电流的波形就应该知道，2号可控硅导通时是在1号导通后完全关闭后

好，依你，


2号可控硅导通时是在1号导通后完全关闭后，这时电容已经没有电压，那个空芯线圈的感应电动势能够反向冲１Ｖ吗？？？？？？？？


即使能够冲１Ｖ，对于４５０Ｖ的电源有什么意义？？？？？？

由于对加速体做功和热损，反向充电的电压只会比前一级低

如果是这样的话,第二级的稳定性恐怕很难保障,而且前提还是做功不大啊!

强烈建议你做一下实验，用无极电容（可以找个cbb65电容,450v40uf），通过单向可控硅向空心线圈放电，然后测量无极电容前后的电压

这两天终于狠心买了几个cs60-14看参数和70tps是一个级别的，周末的时候在家重新做了一下全波能量回收的测试，说下测试参数
线圈：内径13mm，长35mm，漆包线0.8mm，一层大概38匝，5层
可控硅：cs60-14
电容：薄膜电容600v100uf
充电电路：boost，开关管13005，磁芯铁硅铝磁环
按50v一个增量单位进行测试，测试电压范围50-300v
测试结果如下表：
  

说下注意事项，在测试过程中损失一个13005，因为电容上面会有比电解高的多的反向电压，因此boost电路充电后要断开进行发射试验，如果不断开的话，反压会通过二极管向开关管放电击穿升压开关管

这次测试是向空线圈放电，并没有放入任何发射体，回收效率大概在35%左右，说明有60%多的能量转换成热损消耗掉了，热损是CG发射中的大头，如果能有办法减少热损，将极大地提高效率

第二次试验放入发射体后，各测试数据如下：


对于测试数据有个有意思的地方，本来按猜想，回收效率应该随着电压的升高逐渐降低才对，但是实际的试验数据表明，回收效率随着电压升高有升高的趋势，也有可能是可控硅压降固定，电流增加后，等效电阻减少，导致热损在总能量中的占比减少造成的

电容：薄膜电容600v100uf  这个电容是什么价位? 印象中,这个家伙已经比一般的电解贵很多了吧?
另外,看能否测试一下匝数对回收效率的影响,
我的意思就是,在匝数多与匝数小的时候的区别!
如果匝数小的时候,回收率更高的话,那这个玩意就超实用了!
还有一个就是现在这样的话,前级是在反向充电后直到自由关断,  那这样一来,反拉的问题怎么办?
如果又加电阻,这样不是影响了回收效率?

这个电容是在淘宝上买的二手的，才10块，当然也可以用cbb65，一般在50uf，10-15元左右，缺点是体积太大，我正想办法看能否有缩小体积的方案，因为我的线圈都固定好匝数了，所以没有测试匝数对回收的影响，你说的反拉问题是通过匹配电容容量和线圈匝数达到一个合适的数值，因为手上没有示波器，所以对这个问题有些困难，不过有个解决方案是测量发射体在不同位置的电感量来大致通过LC时间常数来计算，这个电路既然是要回收能量所以最好不要加电阻，那样会增加热损，减少回收效率

这个电容是在淘宝上买的二手的，才10块，当然也可以用cbb65，一般在50uf，10-15元左右，缺点是体积太大，我正想办法看能否有缩小体积的方案，因为我的线圈都固定好匝数了，所以没有测试匝数对回收的影响，你说的反拉问题是通过匹配电容容量和线圈匝数达到一个合适的数值，因为手上没有示波器，所以对这个问题有些困难，不过有个解决方案是测量发射体在不同位置的电感量来大致通过LC时间常数来计算，这个电路既然是要回收能量所以最好不要加电阻，那样会增加热损，减少回收效率

嗯,我也看到了也打算买,你这个实测容量和耐压是多少?

容量是够的，耐压不是很清楚，因为没耐压测试工具

今天测试了一下两层线圈的，没有放入发射体，发现比5层线圈的回收的电压要低些，估计是匝数少后，电感减少，电阻减少，但是电流比以前大了，电流对热损的影响更大些，总的来说损耗还是增加了，数据如下：

这么看来,这个回收的设计的 第一级 适合在初始加速阶段!
而第二级由于不考虑回收,则设计匝数较少,让电流大些快些,消耗到初速较高的级数中!
否则如果多级加速,用回收的方式不利,毕竟初速高起来后,匝数减少,电压增加,容量减少,这是肯定的了! 所以结论就是,回收的设计不适合在多级中使用!
-----------------------------------------------------------------
再综合体积,容量,价格,薄膜电容对于电解电容来说,在综合应用上,恐怕优势只有两点:电压,内阻!
所以这样看来,还是不要考虑回收了!甚至在速度没有达到一定的程度时,也不考虑这种电容了!
-----------------------------------------------------------------------
再次感谢LZ的实验数据,这些数据可谓宝贵,解开了不少疑问,甚至让我明确了一些设计方向!

这些实验数据只是一个大致参考，不要先急于下结论，因为过早下结论可能会使你丧失一些发现新契机的机会，要敢于怀疑，当时论坛上也有人提出能量回收都是“没事找事”之类的结论，我当时就不是很赞同那个网友的看法，做能量回收是基于这样一个事实，CG中功率因数都比较低，本来功率因数和效率并不一定有关系，但是如果没有能量回收一个低功率因数的系统效率也肯定是低的，但是如果加入能量回收，一个低功率因数的系统也可以是高效率的，影响效率的因素有很多，能想到是耦合系数，热损，电容放电率，负功，涡流，其中热损是最不容易控制的，CG的耦合系数一般不高，但是可以通过多级来弥补，因为没耦合到发射体中的磁场能量，可以回收起来下次利用，这点要和热损区分开，热损消耗了后就找不回来了，但是剩余的磁能是可以找回来的，热损来源于线圈电阻，电容内阻，开关电阻，开关损耗等多个因素，负功可以通过合理搭配LC时间或者用斩波等形式来避免，电容放电率对效率的影响也不是特别大，涡流也可以通过发射体开槽分层来减少，到现在为止，热损几乎成了影响CG效率的第一大杀手，在有能量回收的电路中热损也能占到能量损耗中的60%以上，如果不用能量回收，磁耦合系数低，差不多有90%多的能量都被以热损的形式消耗掉

回收只是提高效率的一个环节，至于你说的只适合第一级也不是绝对的，谈到薄膜电容，最大的缺点就是体积太大，耐压，电容放电率，内阻，自愈等参数都很优秀，因为我对CG的研究重点是在简单高效上，对于是否现在就制造一个可以实用的发射器我倒不是十分在意，我只是尽我最大努力去想办法提高效率，也许到下次技术革命，体积问题早就不是问题了（如果薄膜电容能量密度可以提高10倍，想想就觉得很过瘾），此外我设计这个电路也是出于一直找不到合适体积的大电流开关管，mosfet，igbt都是过流能力不是很强，对于采用mosfet和igbt我看好的电路时双管正激形式的电路，能量也是可以回馈到电源，可以利用电解电容，你有兴趣也可以看看，只是要控制好电流，否则，mosfet，igbt将会损失严重，对于这个全波电路还有一个改进形式，就是薄膜电容只是当做一个谐振工作电容，可以用电解储能在适当的时机耦合到谐振系统中来，这样就可以稍微解决了薄膜电容储能有限的问题

在当前不要急于否定任何一个CG方案，其中都有一些特点变通利用的地方，很多人都看不起机械触发，实际上机械开关的方式也有很多优点，价格低廉，过流能力强，可以准时关断，特别是在高速发射的情况下很有用处，对于每种电路的优缺点综合利用起来说不定可以组合出一种性能，价格折中的方案来，我一直还是坚持简单高效这个原则

我看你最近也是对CG很感兴趣，也肯动脑筋，我上面说的是我这几年做CG的一些心得，可能正确，也可能错误，希望对你有所启发，如果有启发更好，没有的话也许以后会给某位潜在的制作者带来一丝灵感，那我就知足了

上星期的实验很不理想,现在打算先整体评估一下各种方案,找出一个好的平衡点再动手!
但不想动手就能较准确评估是很难的,需要翻阅大量资料!
而我不想动手的原因就是怕瞎搞出事故,因为自己在电子电路方面完全是个初学者!

如果对电路不是很熟可以先用低电压测试（比如50-100v），测试好了再升高电压，这样可以最大程度的降低风险

嗯嗯,我现在就是不会做ZVS, 没看明白那些电路!
就是不懂MOS管到底是干什么用! 还有就是如何才能让变压后的输出功率更大,让充电速度更快,
来达到点射的目标!
你觉得做感应式不做磁阻式好吗?好似感应式要求大电流,但不会反拉!
我有个想法,就是感应式,第一级用发射硬币的形式,后面就用类似发射磁阻的形式,只是全过程DD
是导电体,后面的级数用光电检测DD的尾部进入了线圈才激励线圈! 然后把铜DD弄成空心!来减轻DD的重量!
用400V 1000uf 不知道能不能启动起来!
如果不行,就串联,但充电始终要用并联来充电才安全,而就在这个串并联的切换上面,我想得头都大了,都没想出如何不用机器开关来做切换! 然后又担心,就算有不用机械开关的解决方法,又会不会加大了整个放电系统的电阻,影响了整体效果!
如果是磁阻的,用机械开关,火花的问题解决起来麻烦,而开关速度也是个难题!
想来想去,觉得磁阻的效率确实是个难题,主要就是反拉,要解决反拉就要关断,要关断,又要有大电流高压,开关管是个难题, 就算解决了大部分,但开关速度依然困扰! 所以觉得紧密加速或许能避免反拉!
还有一个迷惑的就是高低压分离的做法,主要就是说可控硅的触发应该高低压分离!
我感觉这是针对使用单片机控制的安全性设想的!
如果不是使用单片机控制,应该不需要高低压分离,我现在的触发方式就是电池共地+极 串个限流电阻,然后+极接触 可控硅的门极来触发的!  不知道这样做实验是否安全!
现在升压电路是买的,很想自己会做!毕竟自己会做是方便很多的! 但电路图还是看得很迷糊!

不善表达...

1.zvs是一个双管自激电路，要想弄明白，高频开关电源还是要学习些
XXXXsfet是一个电压控制的开关管，bjt是电流控制的开关管，需要看下《模拟电路》
3.感应的对电流上升率要求高，电流大，电子开关压力大，但是无饱和限制，无反拉，磁阻的电流小，但是受磁饱和限制，有反拉，业余还是磁阻的容易搞些
4.并联充电，串联放电，马克思发生器就是这样，只是需要用火花间隙开关，暂时还没想到简单的电路
5.磁阻中机械开关主要是火花损耗大，开关速度不是问题
6.可控硅高低压控制分离的方式有，光耦，磁环驱动等方式
7.对于初期升压电路可以购买成成品，这样容易些，等有了解后可以自己搞也行，我现在用的rcc+boost电路，单管自激形式

对于想快速掌握CG发射，还是自己搭建一些简单的电路实验，这样感性认识会强些，也容易发现纯YY的电路的不足

受教了, 关于并联充电,串联放电找到了资料,理解了不少,也带来了疑问...
现在假设1200V由 3个 400V 900UF的电容串联获得!
由固定线并联进行充电, 用间隙击穿的设计 完成串联放电!
现在间隙有2个, 第一个需要激活, 第二个是调试好在激活第一个间隙后的电压能达到击穿条件的距离!
然后,现在第一个间隙,只有400V的击穿条件,恐怕比较麻烦!
毕竟,马克思的,单级都很高电压!
那么如果只有接触才能导通第一个间隙,怎么办? 相当于机械开关了,而机械开关我真想不出办法!
又如果虽然要求距离十分接近,但依然能完成击穿,那么如何控制它呢? 关于这个问题,
我想到了几个办法,主要就是用不同的方式来控制距离使它达到是否击穿的切换!
然后就是这样想到,机械开关能否也采用击穿的方式设计呢!
假如可以的话,那就可以用这种方式来 开和关了?
当然,这种方式我很早就想,但我总觉得电压可能太低了,能不能击穿,很是疑惑!

感应方面,我总觉得,磁阻只是表面容易,深入难, 感应则刚好相反! 而且我总认为,感应就是对储能的要求比较高! 所以我比较担心就是以后想做到深入的时候被磁阻的固有规律绊倒...

今天向一个铁硅铝磁环放电，参数如上，发现回收效率随电压升高大幅度下降，磁环外径40mm，内径25mm，磁导率125，漆包线1mm70匝

应该是由于匝数没有跟上电压的缘故! 尝试按比例增加匝数! 情况应该不一样了!
回收效率下降是肯定的了,但应该不会像这样下降得这么离谱!

为什么要按比例增加匝数呢，按我的理解，在小安匝数的时候磁芯可能还没饱和，电流值很小，损耗也很小，随着电压增大，电流增加，磁芯饱和，电流增加很多，损耗也就增大了

看来我又错了, 那如果这样的话,换个高导磁的硅钢应该会好点!
或者你也尝试一下我这个错误的想法吧!呵呵!
因为我觉得匝数多了,电流的上升速度和峰值都要小些!但电感还是会按比例加强!
如果是这样的话,试试不知道会成什么结果!也许正如你说的! 也许意外惊喜?

放电管我查了百科,一般是用来吸收高压和大电流的吧!
这么看来,凡是击穿性质的导通,都会带来很大的损耗,
这样的话,脉冲出来的效果就走样了!
会是这样吗?
在没出现放电管这3字之前我想过,用高压包来协助电极击穿,就是在两个很相近的点击间打个电弧,我猜想能! 想着出现了放电管

低压方面我想过用动力锂电池串联,然后就实现低压控制!
主要就是省去升压模块和充电时间!
效率是高,但速度很难接受啊!

最近女儿拉肚子快10天了,工作也忙,没时间实验,只能先理清脑海中的理论了!

我看了你之前的放电管的实验,后面没有再继续研究放电管了吗?
说说吧!跟进一下吧!

发一个国外网友设计的一个类似的电路图，这个电路第二级是自动触发的


实物图如下


发射结果


可以看到第一级和第二级公用一个电容，第一级780v发射后回收507v，然后第二级再次利用又回收309v，如果两级算下来效率高达30%

引用 lovevirus:
发一个国外网友设计的一个类似的电路图，这个电路第二级是自动触发的


实物图如下


发射结果


可以看到第一级和第二级公用一个电容，如果两级算下来效率高达30%

引用地址如下：XXXXXXXXXXXXXX/e107_plugins/forum/forum_XXXXXXXXXXXXp?100083.60