上文所说的红点所在位在:即ss8050三极管的b极。

如果用mos管呢？

确实延迟大。可以试试变容触发，在光电管位置贴2个金属电极当电容，当金属弹丸通过的时候会产生容量变化。

请问什么意思？是用光电控制mos吗？

意思是改用光耦用的光电二极管做光电开关吗？

对黑色光电开关进一步实验发现，20k电阻并不能再改小了，再改小一些它会失去开关的作用，即在无遮挡时都会被触发。

修改触发条件和黄表笔的位置，使用黑色光电开关，搭建磁阻炮提供75m/s初速的6*40弹丸。管子上光电孔直径为2.5mm，光电二极管自带光缝0.8mm。测试电路和结果如下:

可见光电实际的延时35us左右（发射管和接收管之间几乎无延时，当红外线有微小遮挡时，黄线电位当即下降），理论上用2.5mm÷75m/s得蛋丸开始到完全遮挡光电孔历时33us。

为啥黄线会先缓慢下降，再迅速上升回去，然后平稳一段，再下降？

所以也应该对光电进行改进

可能是因为共阴极的影响。电容在放电过程中，可控硅K极与电容负极的电势差会上升，也因此会拉高G极、三极管E极的电位，降低Vbe。当三极管be极间的压差降低，会导致三极管放电受到阻碍。所以就出现了一降一升一降的情况。

感谢三水合番的指导，参考《你好，电磁炮》上的光电电路图，制出了17us延时光电（包括70tps16的2us延时，即光电开关本身的延时为15us）。

下图黄线为红外发管电源，蓝线为可控硅G极信号。

下图黄线为红外管电源，蓝线为可控硅A极信号。

光电单次输出的信号波形（测量可控硅G极，70tps16的K极与G极之间电阻为15欧左右）:

建议大家使用硅光电池，我对比过响应速度，可以达到ns级，比普通红外接收管快多了。

工作原因和光电器件打交道比较多，普通的光电二极管，光敏电阻响应速度就是非常慢的。需要高速的话，你需要使用PIN光电二极管或者雪崩光电二极管。PIN光电二极管并不贵，我把一些非常廉价的PIN光电二极管工作的光导模式，接上几伏的反压，然后串联上非常小的阴极或者阳极电阻。给光电二极管入射几百毫瓦的激光（也不能太大，否则会烧毁激光管，最好是激光源也是脉冲的，只有按下发射按钮以后才开始持续发光一段时间，避免不必要的灼烧）。

光电二极管有个参数非常重要，就是灵敏度，单位是A/W，如0.6A/W表示，你给这个激光二极管输入1W激光，那么你如果短接这个光电二极管两端，它以光伏模式可以产生0.6A的电流；如果你给它接一个足够高的反向偏压源，同时串联一个3欧姆电阻，那么在这个电阻上可以产生0.6A*3 = 1.8V电压。

之所以你们的光电器件慢，一方面是光电二极管不是PIN的，另一方面，入射光的强度非常低，导致光电二极管不允许使用阻值30欧以内的电阻，RC时间常数就大（C是结电容）。另外你们的系统不必要的放大器件太多了，入射激光功率足够大情况，光电二极管是可以直接驱动MOS或者触发可控硅（需要串联至少两个，光伏模式，这也是光触发可控硅的原理）的。

参数设计的合理，PIN光电二极管是可以响应到ns级别的；