嗯嗯,我现在就是不会做ZVS, 没看明白那些电路!
就是不懂MOS管到底是干什么用! 还有就是如何才能让变压后的输出功率更大,让充电速度更快,
来达到点射的目标!
你觉得做感应式不做磁阻式好吗?好似感应式要求大电流,但不会反拉!
我有个想法,就是感应式,第一级用发射硬币的形式,后面就用类似发射磁阻的形式,只是全过程DD
是导电体,后面的级数用光电检测DD的尾部进入了线圈才激励线圈! 然后把铜DD弄成空心!来减轻DD的重量!
用400V 1000uf 不知道能不能启动起来!
如果不行,就串联,但充电始终要用并联来充电才安全,而就在这个串并联的切换上面,我想得头都大了,都没想出如何不用机器开关来做切换! 然后又担心,就算有不用机械开关的解决方法,又会不会加大了整个放电系统的电阻,影响了整体效果!
如果是磁阻的,用机械开关,火花的问题解决起来麻烦,而开关速度也是个难题!
想来想去,觉得磁阻的效率确实是个难题,主要就是反拉,要解决反拉就要关断,要关断,又要有大电流高压,开关管是个难题, 就算解决了大部分,但开关速度依然困扰! 所以觉得紧密加速或许能避免反拉!
还有一个迷惑的就是高低压分离的做法,主要就是说可控硅的触发应该高低压分离!
我感觉这是针对使用单片机控制的安全性设想的!
如果不是使用单片机控制,应该不需要高低压分离,我现在的触发方式就是电池共地+极 串个限流电阻,然后+极接触 可控硅的门极来触发的! 不知道这样做实验是否安全!
现在升压电路是买的,很想自己会做!毕竟自己会做是方便很多的! 但电路图还是看得很迷糊!
不善表达...
