这些实验数据只是一个大致参考，不要先急于下结论，因为过早下结论可能会使你丧失一些发现新契机的机会，要敢于怀疑，当时论坛上也有人提出能量回收都是“没事找事”之类的结论，我当时就不是很赞同那个网友的看法，做能量回收是基于这样一个事实，CG中功率因数都比较低，本来功率因数和效率并不一定有关系，但是如果没有能量回收一个低功率因数的系统效率也肯定是低的，但是如果加入能量回收，一个低功率因数的系统也可以是高效率的，影响效率的因素有很多，能想到是耦合系数，热损，电容放电率，负功，涡流，其中热损是最不容易控制的，CG的耦合系数一般不高，但是可以通过多级来弥补，因为没耦合到发射体中的磁场能量，可以回收起来下次利用，这点要和热损区分开，热损消耗了后就找不回来了，但是剩余的磁能是可以找回来的，热损来源于线圈电阻，电容内阻，开关电阻，开关损耗等多个因素，负功可以通过合理搭配LC时间或者用斩波等形式来避免，电容放电率对效率的影响也不是特别大，涡流也可以通过发射体开槽分层来减少，到现在为止，热损几乎成了影响CG效率的第一大杀手，在有能量回收的电路中热损也能占到能量损耗中的60%以上，如果不用能量回收，磁耦合系数低，差不多有90%多的能量都被以热损的形式消耗掉

回收只是提高效率的一个环节，至于你说的只适合第一级也不是绝对的，谈到薄膜电容，最大的缺点就是体积太大，耐压，电容放电率，内阻，自愈等参数都很优秀，因为我对CG的研究重点是在简单高效上，对于是否现在就制造一个可以实用的发射器我倒不是十分在意，我只是尽我最大努力去想办法提高效率，也许到下次技术革命，体积问题早就不是问题了（如果薄膜电容能量密度可以提高10倍，想想就觉得很过瘾），此外我设计这个电路也是出于一直找不到合适体积的大电流开关管，mosfet，igbt都是过流能力不是很强，对于采用mosfet和igbt我看好的电路时双管正激形式的电路，能量也是可以回馈到电源，可以利用电解电容，你有兴趣也可以看看，只是要控制好电流，否则，mosfet，igbt将会损失严重，对于这个全波电路还有一个改进形式，就是薄膜电容只是当做一个谐振工作电容，可以用电解储能在适当的时机耦合到谐振系统中来，这样就可以稍微解决了薄膜电容储能有限的问题

在当前不要急于否定任何一个CG方案，其中都有一些特点变通利用的地方，很多人都看不起机械触发，实际上机械开关的方式也有很多优点，价格低廉，过流能力强，可以准时关断，特别是在高速发射的情况下很有用处，对于每种电路的优缺点综合利用起来说不定可以组合出一种性能，价格折中的方案来，我一直还是坚持简单高效这个原则

我看你最近也是对CG很感兴趣，也肯动脑筋，我上面说的是我这几年做CG的一些心得，可能正确，也可能错误，希望对你有所启发，如果有启发更好，没有的话也许以后会给某位潜在的制作者带来一丝灵感，那我就知足了