可控硅只是速度比较慢，频率比较低而已。
28273
%7B%22isLastPage%22%3Atrue%2C%22notes%22%3A%5B%5D%2C%22pid%22%3A%22t28273%22%2C%22tid%22%3A%2228273%22%2C%22mainForumsId%22%3A%5B%22367%22%5D%2C%22categoriesId%22%3A%5B%220%22%5D%2C%22tcId%22%3A%5B%5D%7D
%7B%22isEditMode%22%3Afalse%7D
难道IRFP460可以代替可控硅。
用MOS代替SCR做Coilgun的确有，通过更多的绕线让电感上升达到取代大电流的效果。
MOS比IGBT和SCR更便于控制(主要是更快)，而且基本都带反向D，不像部分IGBT不带D。只是耐压相对较低，耐浪涌也比较低，如果线圈的感抗小了电流大了容易被秒。
MOS比IGBT和SCR更便于控制(主要是更快)，而且基本都带反向D，不像部分IGBT不带D。只是耐压相对较低，耐浪涌也比较低，如果线圈的感抗小了电流大了容易被秒。
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
可控硅和场管。二个在一定条件下当然可代替。只要都在零件工作范围条件下就行。。
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
SCR耐过流 13X
MOS耐过流 1.5X
另外MOS的反向二极管 可能是体二极管 那个东西没多大能耐的 别寄希望于那上面
用MOS向大电感放电 然后关断不加外吸收 简直是开玩笑 那个DV/DT足以要了你MOS的小命 这个信号耦合到栅极 也会导致无法关断 IGBT也是一样
虽然说对电磁线圈的放电是一个非常迅速的过程 但是也涉及到mS这一数量级
用MOS作开关无非就是导通速度较快 但是由于负载是感性 电压会比电流先一个相位 所以要达到加速 还是有一个时间延迟
而SCR从关断到零电阻 一般需要1mS左右的时间
另外回LZ DR说的开关管 是指开关电源中承担主功率的管子 而不是所谓的开关
MOS耐过流 1.5X
另外MOS的反向二极管 可能是体二极管 那个东西没多大能耐的 别寄希望于那上面
用MOS向大电感放电 然后关断不加外吸收 简直是开玩笑 那个DV/DT足以要了你MOS的小命 这个信号耦合到栅极 也会导致无法关断 IGBT也是一样
虽然说对电磁线圈的放电是一个非常迅速的过程 但是也涉及到mS这一数量级
用MOS作开关无非就是导通速度较快 但是由于负载是感性 电压会比电流先一个相位 所以要达到加速 还是有一个时间延迟
而SCR从关断到零电阻 一般需要1mS左右的时间
另外回LZ DR说的开关管 是指开关电源中承担主功率的管子 而不是所谓的开关
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
这是"开关电源"中的"开关管"不是传统用来开关的"开关"。。说的很绕口，凑合看吧。。
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。