我的那个已经完全分解了，（没那么多钱买原件）不过可以再我发的帖子里看到原型
《300米每秒电磁枪》只不过加了外层的导磁材料，采用的是硅钢片，
（超薄的那种多层缠绕，解决涡流问题）

我已经有了新的设计方案，设计图改天上传。

郁闷呀，才发现电路的设计图忘记带了。
只带了这个，
电磁手枪.rar 4.55KB RAR 20次下载

有几种想法，不知道行不行，最近考试紧，希望大家先讨论。
新的加速方式.rar 4.02KB RAR 20次下载

还有图中的可控硅最好换成IGBT，因为其为硬关断，反向电压高。

还给大家译了个网页，有点乱，但是估计大家能看懂。
国外资料  文档.rar 380.08KB RAR 35次下载

电路图画得不够严密，漏了些东西！实在不好意思，又画了一个稍后上传

上个电路图没考虑周全，太着急了。

我这个电路的原理就是利用线圈发射后的反向高压，
作为下一级发射的部分能量，并且作为下一级的控制信号。
今天查了一下资料，发现可控硅自行关闭时反向电压也不小，
所以可控硅不用换成igbt了。
线圈产生反向高压时把它当成电源和下一级的电容组串联，
而可控硅的开启有反向高压控制，
可控硅的全导通驱动电流是毫安级的。
本图中的电阻是4m的，所以在电路中不会导通，
当上一级线圈产生高压时，由于电压升高，
4m的电阻会有1毫安的电流实现导通。
而线圈产生的高压会迅速下降，电流也会下降得很快，
当电流低于30ma时可控硅会关断。达到快速关断的目的。


本设计的好处是
1、线圈的能量无需回收，直接作为下一级的部分能量，效率提高。
2、提高了可控硅的关断速度，降低或消除了反拉的可能。
3、简化了控制电路，提高了整个系统的稳定性。
4、由于电压成倍提高，可以使用更细的漆包线，绕更多的匝数，提高磁场强度。
5、继续使用可控硅，无需保护电路。
6、电容组容量无需太大，使用的线材直径可以适当降低。

本设计的坏处是
1、电容组的电压和容量需要较多的次数试验确定。
2、如果其中一级出现问题，哪么以下的加速极将不能正常工作。
3、由于高压位置较多需增加绝缘材料。（1mm的亚颗粒有机玻璃板）

本人的设计或者观点可能会出现错误，或者失误，欢迎大家探讨，指正。
改进的控制方式.rar 3.16KB RAR 22次下载

在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。
我感觉是靠电流的降低。如果不对请赐教。

可是我发现在我试验时可控硅关断后电容仍有60v左右的余压，说明不是完全放干净后关断的。
再有就是我用倍压电路充电后，如果不断开就发射，发射后被压电路中的二极管就会被击穿！当我加上正向整流二极管后问题解决。说明scr方案下还是会有反向高压的，scr也不是在电容能量完全放干净后关断的。（我用的整流二极管全部是RU4D）
我不否认IGBT在关断时的能力，但是貌似它的保护电路要求高，并且复杂。还有就是价格高。
我现在用国产的垃圾可控硅bca60-1600，至今没有一只报废，30a 1600v耐压。

正因为有负压才证明它会有反向电压！

晚上有研究了一下，准备用V型电路

如果用V型开关呢？

可控硅有很强的过载能力！我还是想用可控硅做

最后一级准备回收能量，但是仍然用可控硅。