可是我发现在我试验时可控硅关断后电容仍有60v左右的余压，说明不是完全放干净后关断的。
再有就是我用倍压电路充电后，如果不断开就发射，发射后被压电路中的二极管就会被击穿！当我加上正向整流二极管后问题解决。说明scr方案下还是会有反向高压的，scr也不是在电容能量完全放干净后关断的。（我用的整流二极管全部是RU4D）
我不否认IGBT在关断时的能力，但是貌似它的保护电路要求高，并且复杂。还有就是价格高。
我现在用国产的垃圾可控硅bca60-1600，至今没有一只报废，30a 1600v耐压。