上个电路图没考虑周全，太着急了。

我这个电路的原理就是利用线圈发射后的反向高压，
作为下一级发射的部分能量，并且作为下一级的控制信号。
今天查了一下资料，发现可控硅自行关闭时反向电压也不小，
所以可控硅不用换成igbt了。
线圈产生反向高压时把它当成电源和下一级的电容组串联，
而可控硅的开启有反向高压控制，
可控硅的全导通驱动电流是毫安级的。
本图中的电阻是4m的，所以在电路中不会导通，
当上一级线圈产生高压时，由于电压升高，
4m的电阻会有1毫安的电流实现导通。
而线圈产生的高压会迅速下降，电流也会下降得很快，
当电流低于30ma时可控硅会关断。达到快速关断的目的。


本设计的好处是
1、线圈的能量无需回收，直接作为下一级的部分能量，效率提高。
2、提高了可控硅的关断速度，降低或消除了反拉的可能。
3、简化了控制电路，提高了整个系统的稳定性。
4、由于电压成倍提高，可以使用更细的漆包线，绕更多的匝数，提高磁场强度。
5、继续使用可控硅，无需保护电路。
6、电容组容量无需太大，使用的线材直径可以适当降低。

本设计的坏处是
1、电容组的电压和容量需要较多的次数试验确定。
2、如果其中一级出现问题，哪么以下的加速极将不能正常工作。
3、由于高压位置较多需增加绝缘材料。（1mm的亚颗粒有机玻璃板）

本人的设计或者观点可能会出现错误，或者失误，欢迎大家探讨，指正。
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