传个视频上来，让我们看看2.2%的效率
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[原创] 一种新的多级加速方式
本人的电磁加速装置已经做了好几个，但是到目前为止只有一个是二级加速的，用cd4017
总感觉不够理想！目前个人的最高效率为2.2%左右。
好了转入正题！
磁阻式的加速装置在发射过程中会有反向高压，个人认为反向高压最好不要回收，而是利用在本次
加速中，因为就算你回收的再好每一级的加速效率仍然很低，我的思路是把反向高压作为下一级的
开启关断信号，并把反向高压作为下一级加速的部分能量。
此种思路会用到IGBT，因为它是硬关断，而可控硅是一个软关断的过程，两种方式产生的反向高压，
哪个高哪个低就不用我多说了。所以可能用到IGBT的串联使用。
本人不是学电子类专业的，但是从小对制作东西有着浓厚的兴趣，有什么说的不对的地方欢迎大家指正。
总感觉不够理想！目前个人的最高效率为2.2%左右。
好了转入正题！
磁阻式的加速装置在发射过程中会有反向高压，个人认为反向高压最好不要回收，而是利用在本次
加速中，因为就算你回收的再好每一级的加速效率仍然很低，我的思路是把反向高压作为下一级的
开启关断信号，并把反向高压作为下一级加速的部分能量。
此种思路会用到IGBT，因为它是硬关断，而可控硅是一个软关断的过程，两种方式产生的反向高压，
哪个高哪个低就不用我多说了。所以可能用到IGBT的串联使用。
本人不是学电子类专业的，但是从小对制作东西有着浓厚的兴趣，有什么说的不对的地方欢迎大家指正。
我的那个已经完全分解了，（没那么多钱买原件）不过可以再我发的帖子里看到原型
《300米每秒电磁枪》只不过加了外层的导磁材料，采用的是硅钢片，
（超薄的那种多层缠绕，解决涡流问题）
我已经有了新的设计方案，设计图改天上传。
《300米每秒电磁枪》只不过加了外层的导磁材料，采用的是硅钢片，
（超薄的那种多层缠绕，解决涡流问题）
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期待...........................
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可控硅关断如果用的是坛上那个双管电路那根本就没有反向高压.
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很想看看你说的全新的加速方式`~~~~~~如果是用触片或光电检测就不要说了`~~因为人家早就做了`~~
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有几种想法，不知道行不行，最近考试紧，希望大家先讨论。
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还有图中的可控硅最好换成IGBT，因为其为硬关断，反向电压高。
还给大家译了个网页，有点乱，但是估计大家能看懂。
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电路图画得不够严密，漏了些东西！实在不好意思，又画了一个稍后上传
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上个电路图没考虑周全，太着急了。
我这个电路的原理就是利用线圈发射后的反向高压，
作为下一级发射的部分能量，并且作为下一级的控制信号。
今天查了一下资料，发现可控硅自行关闭时反向电压也不小，
所以可控硅不用换成igbt了。
线圈产生反向高压时把它当成电源和下一级的电容组串联，
而可控硅的开启有反向高压控制，
可控硅的全导通驱动电流是毫安级的。
本图中的电阻是4m的，所以在电路中不会导通，
当上一级线圈产生高压时，由于电压升高，
4m的电阻会有1毫安的电流实现导通。
而线圈产生的高压会迅速下降，电流也会下降得很快，
当电流低于30ma时可控硅会关断。达到快速关断的目的。
本设计的好处是
1、线圈的能量无需回收，直接作为下一级的部分能量，效率提高。
2、提高了可控硅的关断速度，降低或消除了反拉的可能。
3、简化了控制电路，提高了整个系统的稳定性。
4、由于电压成倍提高，可以使用更细的漆包线，绕更多的匝数，提高磁场强度。
5、继续使用可控硅，无需保护电路。
6、电容组容量无需太大，使用的线材直径可以适当降低。
本设计的坏处是
1、电容组的电压和容量需要较多的次数试验确定。
2、如果其中一级出现问题，哪么以下的加速极将不能正常工作。
3、由于高压位置较多需增加绝缘材料。（1mm的亚颗粒有机玻璃板）
本人的设计或者观点可能会出现错误，或者失误，欢迎大家探讨，指正。
我这个电路的原理就是利用线圈发射后的反向高压，
作为下一级发射的部分能量，并且作为下一级的控制信号。
今天查了一下资料，发现可控硅自行关闭时反向电压也不小，
所以可控硅不用换成igbt了。
线圈产生反向高压时把它当成电源和下一级的电容组串联，
而可控硅的开启有反向高压控制，
可控硅的全导通驱动电流是毫安级的。
本图中的电阻是4m的，所以在电路中不会导通，
当上一级线圈产生高压时，由于电压升高，
4m的电阻会有1毫安的电流实现导通。
而线圈产生的高压会迅速下降，电流也会下降得很快，
当电流低于30ma时可控硅会关断。达到快速关断的目的。
本设计的好处是
1、线圈的能量无需回收，直接作为下一级的部分能量，效率提高。
2、提高了可控硅的关断速度，降低或消除了反拉的可能。
3、简化了控制电路，提高了整个系统的稳定性。
4、由于电压成倍提高，可以使用更细的漆包线，绕更多的匝数，提高磁场强度。
5、继续使用可控硅，无需保护电路。
6、电容组容量无需太大，使用的线材直径可以适当降低。
本设计的坏处是
1、电容组的电压和容量需要较多的次数试验确定。
2、如果其中一级出现问题，哪么以下的加速极将不能正常工作。
3、由于高压位置较多需增加绝缘材料。（1mm的亚颗粒有机玻璃板）
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看了图,明显楼主到现在还没搞清楚可控硅怎样关断.
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在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。
我感觉是靠电流的降低。如果不对请赐教。
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没错,正向电流低于可控硅保持电流就关断了,问题是此时线圈中的能量已完全放出,不会再有反向高压产生,只有用IGBT等自身具备关断能力的器件在线圈中还有能量时关断才能出现反向电压.
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可是我发现在我试验时可控硅关断后电容仍有60v左右的余压，说明不是完全放干净后关断的。
再有就是我用倍压电路充电后，如果不断开就发射，发射后被压电路中的二极管就会被击穿！当我加上正向整流二极管后问题解决。说明scr方案下还是会有反向高压的，scr也不是在电容能量完全放干净后关断的。（我用的整流二极管全部是RU4D）
我不否认IGBT在关断时的能力，但是貌似它的保护电路要求高，并且复杂。还有就是价格高。
我现在用国产的垃圾可控硅bca60-1600，至今没有一只报废，30a 1600v耐压。
再有就是我用倍压电路充电后，如果不断开就发射，发射后被压电路中的二极管就会被击穿！当我加上正向整流二极管后问题解决。说明scr方案下还是会有反向高压的，scr也不是在电容能量完全放干净后关断的。（我用的整流二极管全部是RU4D）
我不否认IGBT在关断时的能力，但是貌似它的保护电路要求高，并且复杂。还有就是价格高。
我现在用国产的垃圾可控硅bca60-1600，至今没有一只报废，30a 1600v耐压。
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电容有余压那是因为电解电容无法瞬间把储能放尽,如果你用无感薄膜电容你会发现不仅没有正余压,而且还会有负压,原理参见LC电路.
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正因为有负压才证明它会有反向电压！
晚上有研究了一下，准备用V型电路
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有负压和反向电压一点关系都没有.
那是因为LC电路里电容电压超前电流90度,当电流为0时电容电压为负峰值.
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V型电路是两个L共用的LC回路,其工作原理是在C很大的主回路电流峰值时切换到另一个C很小的副回路,此时L没变,C大大减少,LC频率增高,下降延变陡.V型两回路里的电压电流与单回路没有什么不同.
可控硅优点是过流能力极强,缺点是关断速度慢,不过慢归慢,用来做几十米/秒的电磁枪也基本够了.
可控硅优点是过流能力极强,缺点是关断速度慢,不过慢归慢,用来做几十米/秒的电磁枪也基本够了.
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前面几级可以用可控硅，后面为了追求速度，恐怕得用IGBT了
靠慢速关断来避开反压，并不是最好的方法，还是在控制下关断，并且吸收掉反压比较好
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潜伏者
学者 笔友
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