请问楼主这个电路输出的脉冲典型幅度和持续时间分别是多少

现在做出来一致性很差，三块洞洞板都不一样（应该是受分布参数的影响），等PCB画好了之后会进行详细的实验。

具体怎么不一样，其实同一个板子，换不同PIN管只要差不多，就很实用了

追求特低成本还有另外一条路线：使用便宜、性能较差的运放。普通的LM358之类输入偏置电流（Ib）普遍在nA水准，大于等于PIN二极管的暗电流，难以胜任计数需求。若使用JFET输入类运放，其工作电流又比较大（参见前文，约2mA），且无明显成本优势。此处采用较为折中的方法，使用一般的CMOS型运放。Ti公司生产的LMV358A（多了一个V和A，LMV358（没有A）的性能与LM358相似）输入偏置电流仅有10pA，且具有RRO的特性。其最大问题为电压限制（5.5V），若使用前文中运放提供偏压的电路配置，无法给PIN二极管较高的偏压，因此探测效率较差。

下文中的实验采用的是国产（Gansil）的LMV358（A），供电4.5V（3节AA电池），工作电流220uA。一只PD70-01C型PIN光电二极管，热缩套管避光+铝箔胶带EMI屏蔽。

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测试源为烟感中的Am-241，未进行拆封，PIN二极管紧贴源一侧；电路图与前文相似。

由于之前不太安全的源（指负离子粉）处理给了学校，所以未能跟之前的设计进行比较。

电路图中的改动如下：

R2 增加至 51K

R3 减小至 22M

R7 增加至 470k

R4，R5 增加至 51k

负载电阻R8 增加至 22k

至于成本嘛。。。还是3RMB（运放0.6，PIN1.3，其他阻容1.1）

这个PIN也可以直接高压偏置，然后交流耦合。

之前做过这样的，但是感觉（没有数据支持）对EMI和避光的要求比较高，可能是输入阻抗的问题（？

直接耦合的好处是漏光不会有误报现象，特征为几乎没有噪声的直流输出。

请问大佬，使用bpw34测铯这个级别的γ大概需要多少偏压，我看到核电子学期刊上有一篇只给了3.3v的偏压，但我用那个电路复现的时候却达不到文章里的效果