请问楼主这个电路输出的脉冲典型幅度和持续时间分别是多少
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电路如上图，受这篇（Radioaktivität (elektronik-labor.de)（链接不准确，该网站中有一份达林顿的，但找不着了）文章启发，使用了达林顿式结构。连JFET都没有用，整体BOM成本小于3块钱（国产BPW34大约1.3RMB，型号为PD70-01C）（不包括电池和示波器）。
效果如下，9V层叠电池供电，PIN紧贴低活度源，EMI屏蔽与前文类似。
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QQ视频20220513214714.mp4
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接下来会试试文章中JFET的版本，信噪比应该会高些。
引用GiroPetrenko发表于2楼的内容现在做出来一致性很差，三块洞洞板都不一样（应该是受分布参数的影响），等PCB画好了之后会进行详细的实...
具体怎么不一样，其实同一个板子，换不同PIN管只要差不多，就很实用了
追求特低成本还有另外一条路线：使用便宜、性能较差的运放。普通的LM358之类输入偏置电流（Ib）普遍在nA水准，大于等于PIN二极管的暗电流，难以胜任计数需求。若使用JFET输入类运放，其工作电流又比较大（参见前文，约2mA），且无明显成本优势。此处采用较为折中的方法，使用一般的CMOS型运放。Ti公司生产的LMV358A（多了一个V和A，LMV358（没有A）的性能与LM358相似）输入偏置电流仅有10pA，且具有RRO的特性。其最大问题为电压限制（5.5V），若使用前文中运放提供偏压的电路配置，无法给PIN二极管较高的偏压，因此探测效率较差。
下文中的实验采用的是国产（Gansil）的LMV358（A），供电4.5V（3节AA电池），工作电流220uA。一只PD70-01C型PIN光电二极管，热缩套管避光+铝箔胶带EMI屏蔽。
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IMG_0327.mp4
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测试源为烟感中的Am-241，未进行拆封，PIN二极管紧贴源一侧；电路图与前文相似。
由于之前不太安全的源（指负离子粉）处理给了学校，所以未能跟之前的设计进行比较。
![829M{]VJ%[(HI@W9PJ`EM)8.jpg](https://img.kechuang.org:81/r/325044?c=resource)
电路图中的改动如下：
R2 增加至 51K
R3 减小至 22M
R7 增加至 470k
R4，R5 增加至 51k
负载电阻R8 增加至 22k
至于成本嘛。。。还是3RMB（运放0.6，PIN1.3，其他阻容1.1）
这个PIN也可以直接高压偏置，然后交流耦合。
之前做过这样的，但是感觉（没有数据支持）对EMI和避光的要求比较高，可能是输入阻抗的问题（？
直接耦合的好处是漏光不会有误报现象，特征为几乎没有噪声的直流输出。
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