这图画完后自己看着好像到处都是错误,但又想不通错误在哪里...头疼了
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IGBT与可控硅的组合构想
作用于多级线圈炮上的电路构想,画完图后才发现与之前 XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/16061).
这次电路构想仅建立于设想基础之上,图也仅是个示意图,比如门极硬接,未考虑均流(参考IGBT的均流设计时,看其复杂程度让头都大了几圈),未考虑到光电开光的输出电流与电压对两种不同控制管的影响等等.
算是抛块砖,有玉的速度砸上来.
欢迎各坛子老鸟的指教与完善(喷就算了).
![IGBT与SCR的组合.jpg]()
这次电路构想仅建立于设想基础之上,图也仅是个示意图,比如门极硬接,未考虑均流(参考IGBT的均流设计时,看其复杂程度让头都大了几圈),未考虑到光电开光的输出电流与电压对两种不同控制管的影响等等.
算是抛块砖,有玉的速度砸上来.
欢迎各坛子老鸟的指教与完善(喷就算了).
回 1楼(jeilly6100) 的帖子
线圈放最上面 IGBT在中间 最下面放硅 我觉得可行的 驱动和保护做好
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回 2楼(找自己) 的帖子
这个图的最基础用意,在于节约IGBT.如果这模式可行的话,上面的IGBT并联组,可以直接换成一块大功率的IGBT砖,只要能达到下面随意一个可控硅的过流能力就行了.
问题,刚才问过坛子里的某些玩电高手,都说这行不通,说这种构思的IGBT不可能关断得了可控硅.很纠结.
而且瞎话叔更是提出,这样的可行性太低,就算解决了IGBT组的均流和保护问题,只要任意一个光电开关故障,那电就从一个线圈上全跑光了,IGBT和可控硅都承受不了.
而假使它能完美的运转,也出现前级电压高电流大,后级电压和电流下降的问题,导致加速根本达不到想要的效果.省是省了,省了电也省了钱,但没有理想的结果.
问题,刚才问过坛子里的某些玩电高手,都说这行不通,说这种构思的IGBT不可能关断得了可控硅.很纠结.
而且瞎话叔更是提出,这样的可行性太低,就算解决了IGBT组的均流和保护问题,只要任意一个光电开关故障,那电就从一个线圈上全跑光了,IGBT和可控硅都承受不了.
而假使它能完美的运转,也出现前级电压高电流大,后级电压和电流下降的问题,导致加速根本达不到想要的效果.省是省了,省了电也省了钱,但没有理想的结果.
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回 3楼(jeilly6100) 的帖子
IGBT用负压关断 试试吧
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回 3楼(jeilly6100) 的帖子
对于光电故障导致的问题可以通过设置igbt驱动模块的触发时间来实现保护，比如某个光电动作了在下一个光电信号输入之前最长触发多长时间，达到时间后关断
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可控硅关断需要维持的时间太长，需要数毫秒以上，不适合多组统一关断
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IGBT与可控硅是两种瞬时特性背道而驰的器件，在高速、大功率领域必定首选IGBT，可控硅大多用于工频控制领域，楼主这种想法是不对的。
判断一个控制系统能否用于武器发射，首先要要得到控制系统的惯性常数，将其与弹丸的理论速度进行比较，如果发现某一阶段上，该段控制系统惯性常数大于弹丸运动时间，那么这个阶段上系统是失效的。
楼主当作的不是幻想各种器件，而是扎扎实实的做好基本功。
判断一个控制系统能否用于武器发射，首先要要得到控制系统的惯性常数，将其与弹丸的理论速度进行比较，如果发现某一阶段上，该段控制系统惯性常数大于弹丸运动时间，那么这个阶段上系统是失效的。
楼主当作的不是幻想各种器件，而是扎扎实实的做好基本功。
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回 7楼(uniessey) 的帖子
已经放弃了SCR与IGBT的组合了.背着老婆正在淘宝批发IBGT管中...
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回 8楼(jeilly6100) 的帖子
别浪费钱在IGBT上了
市面上闪光灯用的高压大电流IGBT我买了4个型号，全部失败，海量的实验烧掉的这类芯片不计其数
300V 250A的IRGP4086 330V 300A的FGPF4633 各100个上周也全部消耗完毕
IGBT的实验我的感觉已经不是普通的廉价的IGBT可以尝试，或者高价的IGBT模组比较可靠，但钱浪费在这上面没意义，体积太大了。
市面上闪光灯用的高压大电流IGBT我买了4个型号，全部失败，海量的实验烧掉的这类芯片不计其数
300V 250A的IRGP4086 330V 300A的FGPF4633 各100个上周也全部消耗完毕
IGBT的实验我的感觉已经不是普通的廉价的IGBT可以尝试，或者高价的IGBT模组比较可靠，但钱浪费在这上面没意义，体积太大了。
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回 9楼(vcasm) 的帖子
不知道您的IGBT是因为电压烧的还是过流烧的?
我买十片英飞凌IKW40N120H3,掌柜说是全新原装进口的,每片16块...今天上午到的货,用一片试了一下在模拟器里模拟显示180A峰值电流的线圈,充电480v,1100uf的电容组,(瞎话叔家买的450V 270uf的5个电容并联).结果没烧...但我试了十几次后,还是烟花了...这款IGBT介绍,标的是额定80A,峰值160A,额定电压1200V的...感觉,如果把剩下的全都并联上去,小心点用的话,应该可以胜任...还在焊洞洞板之中,看你的成绩,焊好了也可能不敢通电了..
不过,要实现快速连射,这个神圣的使命好像还是需要落在IBGT身上...而想节省钱,最终又把思路调回到SCR与IGBT的组合上来了..祝福我吧,阿门.
我买十片英飞凌IKW40N120H3,掌柜说是全新原装进口的,每片16块...今天上午到的货,用一片试了一下在模拟器里模拟显示180A峰值电流的线圈,充电480v,1100uf的电容组,(瞎话叔家买的450V 270uf的5个电容并联).结果没烧...但我试了十几次后,还是烟花了...这款IGBT介绍,标的是额定80A,峰值160A,额定电压1200V的...感觉,如果把剩下的全都并联上去,小心点用的话,应该可以胜任...还在焊洞洞板之中,看你的成绩,焊好了也可能不敢通电了..
不过,要实现快速连射,这个神圣的使命好像还是需要落在IBGT身上...而想节省钱,最终又把思路调回到SCR与IGBT的组合上来了..祝福我吧,阿门.
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回 10楼(jeilly6100) 的帖子
都是过流导致的损坏。。。。
如果直接驱动建议IGBT用在后级上，我的IGBT几乎都在第一级烧掉的，如果统一并联关断，最好为每个IGBT增加限流电阻，希望你能成功：）
我用的大部分IGBT额定参数都在100~300A之间，到目前为止不知道烧掉几百个，主要实验频度过高导致
IGBT不像可控硅在10倍于标称流量MS级别工作，我现在得出的一些小教训就是不能信赖厂家的参数，保护电路做的再好，也突破不了数倍于参数的需求。
如果直接驱动建议IGBT用在后级上，我的IGBT几乎都在第一级烧掉的，如果统一并联关断，最好为每个IGBT增加限流电阻，希望你能成功：）
我用的大部分IGBT额定参数都在100~300A之间，到目前为止不知道烧掉几百个，主要实验频度过高导致
IGBT不像可控硅在10倍于标称流量MS级别工作，我现在得出的一些小教训就是不能信赖厂家的参数，保护电路做的再好，也突破不了数倍于参数的需求。
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回 12楼(哇咔咔咔) 的帖子
直接用电源哪有这么大功率的输出啊.图上的电源别太认真,随便画的,还画完后才注意到把电容给画成了电池..
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回 11楼(vcasm) 的帖子
谢谢指导...在研究IGBT并联时均流的问题了.暂时不打算接SCR,如果并联后,能承受设计中最后一级的峰值电流的考验(1838A的电流),那就有戏了..限流电阻的方案,也在设想之中..
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