这个图的最基础用意,在于节约IGBT.如果这模式可行的话,上面的IGBT并联组,可以直接换成一块大功率的IGBT砖,只要能达到下面随意一个可控硅的过流能力就行了.
问题,刚才问过坛子里的某些玩电高手,都说这行不通,说这种构思的IGBT不可能关断得了可控硅.很纠结.
而且瞎话叔更是提出,这样的可行性太低,就算解决了IGBT组的均流和保护问题,只要任意一个光电开关故障,那电就从一个线圈上全跑光了,IGBT和可控硅都承受不了.
而假使它能完美的运转,也出现前级电压高电流大,后级电压和电流下降的问题,导致加速根本达不到想要的效果.省是省了,省了电也省了钱,但没有理想的结果.
