最近加分文章
有关再生冷却的简单计算软件开源以及计算过程
本文章以较简单的基础公式，介绍以这些公式开发的计算软件。只展示大概流程，并且计算相对简单，不会特别准确，有一定的误差。本文章主要介绍顺序对流换热基础公式介绍，热流密度公式介绍，冷却剂传热介绍。相变温度计算器的使用方法。热流密度以及温升的计算器使用方法。普通铣槽冷却通道计算器基础公式以及光滑环形冷却通道计算器基础公式。相对应的特征长度计算。整体设计过程以及其他注意事项，按照此顺序来进行编写。
时序控制磁阻炮的速度负反馈特性
提出了磁阻炮在仅依靠时序、无传感器的情况下，能够自动地实现速度负反馈的设想。使用Ansys Maxwell对磁阻炮进行建模仿真，给定适宜时序，对比不同扰动对时序控制磁阻炮发射速度的影响。仿真结果验证设想可行，具有较大实用价值。
金属空心锥形的一些研究与实验
聚能装药是一种能直观体现含能材料爆速、爆压的应用场景，简略的介绍聚能装药理论，着重介绍药型罩与装药技术。以理论设计与实验为主，提供了一些药型罩制作新方法与聚能装药的新思路，以作学习交流。
MR9电磁炮
先上当前性能进度：速度127mps，效率32%，线圈全开无故障。这个炮使用全新的架构，有很多新设计要验证，来积累经验，同时也想挑战一下只使用3个牛角电容(?!)来达到一百多的速度。阵列拓扑适合较大规模的设计，因此非常有发展潜力，几乎可以说是为高速小口径特化的优秀方案。由于每个igbt都要多次开关，考虑到器件热量的均衡和降低线圈排列的复杂度，这次采用了两个4*5的阵列共40级，每级1cm。线圈不再保...
行波加速器的仿真计算流程
行波加速的特点在于
1、 线圈沿轴向的方向更短，密度更高
2、 同时存在多个线圈同时处于通电状态
行波加速的优点主要在于全程可以维持一个较高的磁场梯度，加速效率高（也就是说动子的加速度大，可以在更短的距离加速到更高的速度），能量效率高。而由于行波加速中，线圈同时通电和线圈密度较高的特性，使得行波加速中，线圈与线圈之间的磁耦合不能忽略，这使得以往的仿真工具并不完全能适用于行波加速。
本文提出了一种行波加速仿真的工作流，对优化行波加速器的设计具有一定指导意义
意外开始的场致发光
起因是前些日子做了一点掺杂的硫化锌荧光粉，这些荧光粉会用于探测重带电粒子，最后确实达到了目标，不过其中一个意外的小插曲带来了些额外的乐趣。一言以蔽之，起因是意外，是由于掺杂中没清理干净引入了杂质。场致发光现在感觉应用不多了，接触过上个世纪的仪表的朋友可能有印象，比如那些67/70/70-1/75型射线指示仪的表盘，都使用了场致发光背光，然后到现在不少也都坏了；这些表盘用高压交流驱动，在上述的仪器中...
基于JFET管/BJT管和运放电路设计方案分享
本文整理了我对低噪声JFET管、BJT管的调研结果，以及一些设计方案的测试结果，包括静态工作点设计、电路噪声分析、失调电压调零等具体操作。这里将结果分享出来，以便同行查阅。
文中关于失调电压的分析存在较大缺陷，其他分析也有不完整的地方，欢迎同行指出Bug。
6月20日补充：经测试发现，本文中噪声谱密度的算法有问题，因此实测结果中的噪声分析有很大问题。这里用正确的算法重新测试了这些板卡的指标，并补充在相关章节。
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液体火箭发动机再生冷却冷却剂物性影响及其关键数据变化规律
本文章主要是通过曲率修正巴兹公式作为对流换热的主要计算公式，并研究发动机典型铣槽式再生冷却通道其对流换热系数和冷却剂物性变化的影响之间的关系。主要是从考虑冷却剂随温度动力粘度的变化，密度的变化，导热率的变化对于对流换热之间的影响。研究冷却剂温度对于密度，比热容等等之间的影响。以及以3000牛再生冷却发动机为例研究壁面温度对流换热系数以及热阻等等在再生冷却通道当中的规律变化。
STM32MCU边缘AI部署之再探NanoEdge AI Studio（二）
前言：原文再续，书接上一回。上一回讲到如何使用NanoEdge AI Studio训练出用于部署的模型，下面我将继续讲解如何部署模型到STM32的MCU。这里我使用的MCU是STM32F103，软件是CubeIDE。训练使用的数据集是上文正态分布生成的数据集。分别为3-1-200-16.csv，4-1-200-16.csv，5-1-200-16.csv，命名格式为：期望-标准差-矩阵的行数-矩阵的...
膨胀偏转喷管测试
首次膨胀偏转喷管测试。结合各教材和ls等爱好者科普，简单解释膨胀偏转喷管原理，使用特征线法对喷管进行型面设计。使用ANSYS软件进行流体仿真简要分析该喷管工作状况后，对该喷管进行了实际测试，并结合理论和实际验证膨胀偏转喷管原理
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电流上升率可控硅（SCR）刚触发时，如果电流上升速度太快，就会烧掉。这是可控硅特有的问题（比如MOS，IGBT就不需要考虑di/dt），它的原因是：可控硅刚触发时，硅片上只有门极附近的区域是导通的，导通的区域向周围扩散的速度很慢，大约只有50-100m/s。如果电流上升的速度过快，门极附近就会承受过大的电流密度，并过热烧毁。比如最常见的70TPS系列，允许的电流上升率（di/dt）是150A/us...
两岸统一不是坏事，但也绝不是一件好事
初论单一国家型文明的风险
刘虎，创新工程局
本文中，我将提出一堆命题，其中最重要的一项是：如果一种文化完整的处于唯一的国家边界之内，相对于多国共享的文化类型，这种一国文化将缺少内部竞争，从而缺乏改进的内在驱动力，并且难于形成底线共识。
既然是命题，就只是一个说法而已，还没得到证明。我会为这些命题建立简单的逻辑关系，但尚未推及公理，也未列出实证，请读者自己思考。
文化进步的驱动力平行的划分为...
小知识：汞沾染的处理方法
汞沾染的处理方法刘虎实验室汞沾染并不罕见，打破温度表或者操作金属汞时稍不留神，汞就会漏出来，掉在地上，打碎成无数小汞球，四处飞散，有的留在地面，有的落入地板缝隙。被打碎的汞，具有极大的表面积，会蒸发，蒸汽迅速吸附在家具、衣物器、皿上，并且在日后进一步缓慢挥发。处理不当，汞蒸汽浓度过高，会引起急性汞中毒。但是最常见的是慢性汞中毒，特别那些经常在受沾染的实验室里面睡觉的人。慢性中毒的常见症状是记忆力减...
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