DESIGN OF SNUBBERS FOR POWER CIRCUITS
hamdad2008/10/06电子技术 IP:新疆
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~~空空如也
hamdad 作者
16年5个月前 IP:未同步
46765
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科创币
1211
2008-10-06
很有用的资料
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hamdad作者
16年5个月前 IP:未同步
46767
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shuimi126
16年5个月前 IP:未同步
46779
看不懂
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hamdad作者
16年5个月前 IP:未同步
46816
PDF原文下载地址

XXXXXXXXXXXXXXXXXX/tech/design.pdf

CDE公司目前没有官方的中译版本,我也没有翻译之的打算。

了解本文中RC和RCD缓冲网络的科学设计方法,对于使用有源开关器件的很多高级玩具,如电磁发射装置、全固态特斯拉线圈等,有非常大的帮助。在没有GOV拨款的业余研究的道路上,可以少花很多不必要的烧管冤枉钱……
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TUNGUSKA
16年5个月前 IP:未同步
46817
看不懂鸡肠,似乎是RC吸收网络的资料,收下慢慢研究.
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TUNGUSKA
16年5个月前 IP:未同步
46818
引用第4楼hamdad于2008-10-07 01:11发表的  :
PDF原文下载地址

XXXXXXXXXXXXXXXXXX/tech/design.pdf

CDE公司目前没有官方的中译版本,我也没有翻译之的打算。
.......

快我三分钟发贴,搞的我好像明知故问的.....
RC吸收网络不太了解,在我唯数不多的应用中似乎效果没有TVS那样立竿见影,也许是各有侧重吧.
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hamdad作者
16年5个月前 IP:未同步
46819
TVS和压敏电阻对于瞬态过电压有钳位的重要作用,但是对于过高的dv/dt(超过器件的承受极限)则完全没有任何抑制和降低的功能。

对于工频、中频的可控硅应用场合,需要组合压敏电阻与RC(RCD)缓冲网络抑制过电压与高dv/dt,数十KHz以上的高频场合,由于压敏电阻自身电容过大,适当的组合是TVS与RC(RCD)缓冲网络。
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hamdad作者
16年5个月前 IP:未同步
46820
某HAM朋友进行高压发生器试验,电源为24V/50A通信开关电源模块,300A/1200V IGBT,赤裸裸没有加任何过压保护措施,负载为某型号24V电源电压天然气发动机点火线圈。

烧毁的IGBT模块解剖图

调整大小 照片 089.jpg

后来采纳我的建议,使用RCD缓冲网络和450V金属陶瓷辉光避雷管复合作用抵抗过压与高dv/dt,新换的模块得以幸存。

调整大小 照片 091.jpg

调整大小 照片 093.jpg

以上照片版权属于BG4IQF/燕文利所有
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1211
16年5个月前 IP:未同步
46843
用高频三极管就能解决的问题,居然用IGBT,说明此人太有财了。
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