引用 三水合番:
楼主的半桥在关断的时候，有没有碰到电压峰？
我之前试的时候，一两百A的电流，关断的时候，管子两端会额外出来几十到一百多V的尖峰……

引用 莱特:
效果不错！请问IGBT用的什么型号的，另外第一级发热是不是很严重

引用 三水合番:
楼主的半桥在关断的时候，有没有碰到电压峰？
我之前试的时候，一两百A的电流，关断的时候，管子两端会额外出来几十到一百多V的尖峰……

引用 iSee:

引用 莱特:
效果不错！请问IGBT用的什么型号的，另外第一级发热是不是很严重

IGBT：AUPS4067D1，拆机件，2块4一个。每级温度差别不大。按充一次电10-20s一发，连续20次以上会比较热，不过也算正常吧。用的是“QZY-2/180度高温全铜漆包线”，没刻意因为温度的关系停下来等冷却。

引用 iSee:

引用 三水合番:
楼主的半桥在关断的时候，有没有碰到电压峰？
我之前试的时候，一两百A的电流，关断的时候，管子两端会额外出来几十到一百多V的尖峰……

最大电压（受限于ZVS）电容端空载放电波形：

引用 三水合番:

引用 iSee:

引用 三水合番:
楼主的半桥在关断的时候，有没有碰到电压峰？
我之前试的时候，一两百A的电流，关断的时候，管子两端会额外出来几十到一百多V的尖峰……

最大电压（受限于ZVS）电容端空载放电波形：

有管子两端的波形吗？
不过说，关断前电容只剩一两百V的话，对于600V的器件，就算有一个几百V的尖，貌似也没啥毛病

引用 WGC03:
之前找这管子怕不靠谱，这下终于有人实验了...

引用 iSee:
再上一些数据和分析：
第一级平均离开速度：36.84m/s，9.36J，ΔE=9.36J，平均加速度22622.35
第二级平均离开速度：52.71m/s，19.17J，ΔE=9.81J，平均加速度23153.61
第三级平均离开速度：65.30m/s，29.42J，ΔE=10.25J，平均加速度23688.31
第四级平均离开速度：76.42m/s，40.29J，ΔE=10.87J，平均加速度24332.90
根据以上数据可以发现，能量一直是在平稳的增加中，加速度变化也非常稳定，只要后面能保持住24000这个加速度，那么在第8级的时候就可以达到107.33m/s的出口速度，动能可达到79.488J。此时线圈+隔板总长度为30*8+5*9=285mm。

引用 莱特:

引用 iSee:
再上一些数据和分析：
第一级平均离开速度：36.84m/s，9.36J，ΔE=9.36J，平均加速度22622.35
第二级平均离开速度：52.71m/s，19.17J，ΔE=9.81J，平均加速度23153.61
第三级平均离开速度：65.30m/s，29.42J，ΔE=10.25J，平均加速度23688.31
第四级平均离开速度：76.42m/s，40.29J，ΔE=10.87J，平均加速度24332.90
根据以上数据可以发现，能量一直是在平稳的增加中，加速度变化也非常稳定，只要后面能保持住24000这个加速度，那么在第8级的时候就可以达到107.33m/s的出口速度，动能可达到79.488J。此时线圈 隔板总长度为30*8 5*9=285mm。

1450uf的薄膜电容是什么样子，换电解不行吗，长度确实够短了

引用 iSee:

引用 莱特:

引用 iSee:
再上一些数据和分析：
第一级平均离开速度：36.84m/s，9.36J，ΔE=9.36J，平均加速度22622.35
第二级平均离开速度：52.71m/s，19.17J，ΔE=9.81J，平均加速度23153.61
第三级平均离开速度：65.30m/s，29.42J，ΔE=10.25J，平均加速度23688.31
第四级平均离开速度：76.42m/s，40.29J，ΔE=10.87J，平均加速度24332.90
根据以上数据可以发现，能量一直是在平稳的增加中，加速度变化也非常稳定，只要后面能保持住24000这个加速度，那么在第8级的时候就可以达到107.33m/s的出口速度，动能可达到79.488J。此时线圈 隔板总长度为30*8 5*9=285mm。

1450uf的薄膜电容是什么样子，换电解不行吗，长度确实够短了

德国ELECTRONICON油浸薄膜电容。直径116mm，高度165mm，单个1.9kg。很大、很重。

再上一张三级时拍的材料图：

可以看到巨无霸的电容
只要电压达标、内阻较低的电解电容应该也是可以的。没有用的原因主要是基于以下考虑：
首先这是用于积累实验数据的测试机，薄膜电容最接近理想电容，在系统调试时可以较少考虑电容的影响；其次是即使在军事等实用中，体积并不是一个大的问题，性能稳定是最重要的。一枚导弹可以由很多辆车来服务，或者上舰艇或固定山洞炮台都不用担心体积问题；最后设计时就考虑的是600v以上电压，这时合适的电解不好找，串联时的问题又多，不适合测试环境。所以为了在电压上达到要求先用着再说，至少不用担心内阻影响或电压不均炸电容。不过作为个人便携的话那这个油浸确实是有点太夸张了

引用 莱特:

引用 iSee:

引用 莱特:

引用 iSee:
再上一些数据和分析：
第一级平均离开速度：36.84m/s，9.36J，ΔE=9.36J，平均加速度22622.35
第二级平均离开速度：52.71m/s，19.17J，ΔE=9.81J，平均加速度23153.61
第三级平均离开速度：65.30m/s，29.42J，ΔE=10.25J，平均加速度23688.31
第四级平均离开速度：76.42m/s，40.29J，ΔE=10.87J，平均加速度24332.90
根据以上数据可以发现，能量一直是在平稳的增加中，加速度变化也非常稳定，只要后面能保持住24000这个加速度，那么在第8级的时候就可以达到107.33m/s的出口速度，动能可达到79.488J。此时线圈 隔板总长度为30*8 5*9=285mm。

1450uf的薄膜电容是什么样子，换电解不行吗，长度确实够短了

德国ELECTRONICON油浸薄膜电容。直径116mm，高度165mm，单个1.9kg。很大、很重。

再上一张三级时拍的材料图：

可以看到巨无霸的电容
只要电压达标、内阻较低的电解电容应该也是可以的。没有用的原因主要是基于以下考虑：
首先这是用于积累实验数据的测试机，薄膜电容最接近理想电容，在系统调试时可以较少考虑电容的影响；其次是即使在军事等实用中，体积并不是一个大的问题，性能稳定是最重要的。一枚导弹可以由很多辆车来服务，或者上舰艇或固定山洞炮台都不用担心体积问题；最后设计时就考虑的是600v以上电压，这时合适的电解不好找，串联时的问题又多，不适合测试环境。所以为了在电压上达到要求先用着再说，至少不用担心内阻影响或电压不均炸电容。不过作为个人便携的话那这个油浸确实是有点太夸张了

电容眼馋，楼主能不能抽空再试一试，把每一级的电容都并联在一起，发射几次，与目前的效果做一下对比，看看电容并联前后效率和动能数据有什么变化?

引用 莱特:
电容眼馋，楼主能不能抽空再试一试，把每一级的电容都并联在一起，发射几次，与目前的效果做一下对比，看看电容并联前后效率和动能数据有什么变化?

引用 iSee:

引用 莱特:
电容眼馋，楼主能不能抽空再试一试，把每一级的电容都并联在一起，发射几次，与目前的效果做一下对比，看看电容并联前后效率和动能数据有什么变化?

看你上次的帖子里说：“我用六个IGBT并联驱动粗线圈，发现二极管瞬间就击穿了，当时17600uf的电容充到了460V，触发IGBT之后接续流二极管的一截0.5方电线瞬间炸没了，就剩下一点线皮，耳鸣不止，同时IGBT击穿，现在用峰值500A的RHRG75120续流，暂时没出问题，目前关断电流应该有1200A以上了，感觉还能再提高。”具体情况和参数能说一下吗？目前的测试结果怎么样了？很想知道1200A以上的效果。

引用 莱特:

引用 iSee:

引用 莱特:
电容眼馋，楼主能不能抽空再试一试，把每一级的电容都并联在一起，发射几次，与目前的效果做一下对比，看看电容并联前后效率和动能数据有什么变化?

看你上次的帖子里说：“我用六个IGBT并联驱动粗线圈，发现二极管瞬间就击穿了，当时17600uf的电容充到了460V，触发IGBT之后接续流二极管的一截0.5方电线瞬间炸没了，就剩下一点线皮，耳鸣不止，同时IGBT击穿，现在用峰值500A的RHRG75120续流，暂时没出问题，目前关断电流应该有1200A以上了，感觉还能再提高。”具体情况和参数能说一下吗？目前的测试结果怎么样了？很想知道1200A以上的效果。

最大电流的线圈是0.9线，3cm，155匝，效果和你660V的效果差不多，单级能提升15J动能，但是效率低，发射三次就闻到漆包线的糊味儿了

引用 莱特:

引用 iSee:

引用 莱特:
电容眼馋，楼主能不能抽空再试一试，把每一级的电容都并联在一起，发射几次，与目前的效果做一下对比，看看电容并联前后效率和动能数据有什么变化?

看你上次的帖子里说：“我用六个IGBT并联驱动粗线圈，发现二极管瞬间就击穿了，当时17600uf的电容充到了460V，触发IGBT之后接续流二极管的一截0.5方电线瞬间炸没了，就剩下一点线皮，耳鸣不止，同时IGBT击穿，现在用峰值500A的RHRG75120续流，暂时没出问题，目前关断电流应该有1200A以上了，感觉还能再提高。”具体情况和参数能说一下吗？目前的测试结果怎么样了？很想知道1200A以上的效果。

最大电流的线圈是0.9线，3cm，155匝，效果和你660V的效果差不多，单级能提升15J动能，但是效率低，发射三次就闻到漆包线的糊味儿了

引用 kuang998:
用304不锈钢管，对弹丸发射有没有影响，如果在304不锈钢管上面开口可能发射比较理想

引用 kuang998:
用不锈钢管可能对线圈的温度有所提高

引用 Mr_:
同楼上，如果用速度算效率应该是  实际v²/理论v²  

引用 三水合番:

引用 Mr_:
同楼上，如果用速度算效率应该是  实际v²/理论v²  

那个效率……也没说是“能量效率”嘛……可以认为，那个“效率”被定义为“实际出速/楼主提到的理论出速”……毕竟只是个说法问题……

引用 三水合番:

引用 Mr_:
同楼上，如果用速度算效率应该是  实际v²/理论v²  

那个效率……也没说是“能量效率”嘛……可以认为，那个“效率”被定义为“实际出速/楼主提到的理论出速”……毕竟只是个说法问题……

引用 rb-sama:
比较奇怪一楼用 Quote：
5级600v时的实测平均值：
    v = 35/0.408 = 85.784m/s
    效率 = 85.784/147.675 = 58.089%
计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？
这样计算效率的方式，存疑。
-
另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的，甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？
是用了什么钳位或者吸收的手段吗？
-
另外没有看到楼主的光电开关实物图，和准确长度测量工具的图片。
现在帖子里的数据说服力不大，如果能补充一个发射视频，实测示波器波形来测算速度就更好了。

引用 iSee:

引用 rb-sama:
比较奇怪一楼用 Quote：
5级600v时的实测平均值：
    v = 35/0.408 = 85.784m/s
    效率 = 85.784/147.675 = 58.089%
计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？
这样计算效率的方式，存疑。
-
另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的，甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？
是用了什么钳位或者吸收的手段吗？
-
另外没有看到楼主的光电开关实物图，和准确长度测量工具的图片。
现在帖子里的数据说服力不大，如果能补充一个发射视频，实测示波器波形来测算速度就更好了。

“计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？”这个“效率”指的是根据理论值算出的相对于速度的“归一化效率”值，不是能量上的效率值，所以不需要平方。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？：1：桥式中的快恢复二极管有能力回收和钳位两个功能；2：薄膜电容本身有较强的吸收功能；3：放电后薄膜电容本身电压也很低了，吸收能力增强了；4： 600v是管子的标称值，不是极限值，虽说极限值没列出来，但实际都有裕量，一般再上去10%甚至于有些管子上去20%都是可以的。比如3.3的芯片上到3.7一般都不会有问题。
为了尽量减少误差，光电接收用的是PIN管，“IR333C”+“bpv10nf”组合，上升沿、下降沿为2.5ns。MCU是C8051F410，时钟49M。为了准确在测试的时候用硬件PCA模块捕捉光电信号跳变沿，自动存储到硬件寄存器，中断后经软件根据两次硬件捕捉值算出差值，再置入另一个硬件PCA通道以PWM模式重复输出并用示波器测量，理论误差为：光电响应2.5ns*2+两时钟硬件采样2*2*20.4ns+2*4*20.4nsPCA时钟=249.8ns， 这是目前硬件下我所能达到的最精确的结果。
光电测量硬件部分：
弹丸：平头8*35mmA3定位销：

视频放上来不太和谐，还请见谅。

引用 rb-sama:

引用 iSee:

引用 rb-sama:
比较奇怪一楼用 Quote：
5级600v时的实测平均值：
    v = 35/0.408 = 85.784m/s
    效率 = 85.784/147.675 = 58.089%
计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？
这样计算效率的方式，存疑。
-
另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的，甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？
是用了什么钳位或者吸收的手段吗？
-
另外没有看到楼主的光电开关实物图，和准确长度测量工具的图片。
现在帖子里的数据说服力不大，如果能补充一个发射视频，实测示波器波形来测算速度就更好了。

“计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？”这个“效率”指的是根据理论值算出的相对于速度的“归一化效率”值，不是能量上的效率值，所以不需要平方。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？：1：桥式中的快恢复二极管有能力回收和钳位两个功能；2：薄膜电容本身有较强的吸收功能；3：放电后薄膜电容本身电压也很低了，吸收能力增强了；4： 600v是管子的标称值，不是极限值，虽说极限值没列出来，但实际都有裕量，一般再上去10%甚至于有些管子上去20%都是可以的。比如3.3的芯片上到3.7一般都不会有问题。
为了尽量减少误差，光电接收用的是PIN管，“IR333C”+“bpv10nf”组合，上升沿、下降沿为2.5ns。MCU是C8051F410，时钟49M。为了准确在测试的时候用硬件PCA模块捕捉光电信号跳变沿，自动存储到硬件寄存器，中断后经软件根据两次硬件捕捉值算出差值，再置入另一个硬件PCA通道以PWM模式重复输出并用示波器测量，理论误差为：光电响应2.5ns*2+两时钟硬件采样2*2*20.4ns+2*4*20.4nsPCA时钟=249.8ns， 这是目前硬件下我所能达到的最精确的结果。
光电测量硬件部分：
弹丸：平头8*35mmA3定位销：

视频放上来不太和谐，还请见谅。

不错，我觉得这样就说的通了。
另外对于3：放电后薄膜电容本身电压也很低了，吸收能力增强了；
强迫症纠正一下，L遵循伏秒平衡，其实如果电容电压高，吸收速度会快很多。
-
这个帖子的数据是很不错的结果了，五级可关断做到85MPS。
想知道如果用电解电容，同样容量的情况下，能否做到一样的效果。
你有没有论证过，电解电容内阻与薄膜电容内阻对于初速度相比的影响有多大？

引用 rb-sama:

引用 iSee:

引用 rb-sama:
比较奇怪一楼用 Quote：
5级600v时的实测平均值：
    v = 35/0.408 = 85.784m/s
    效率 = 85.784/147.675 = 58.089%
计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？
这样计算效率的方式，存疑。
-
另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的，甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？
是用了什么钳位或者吸收的手段吗？
-
另外没有看到楼主的光电开关实物图，和准确长度测量工具的图片。
现在帖子里的数据说服力不大，如果能补充一个发射视频，实测示波器波形来测算速度就更好了。

“计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？”这个“效率”指的是根据理论值算出的相对于速度的“归一化效率”值，不是能量上的效率值，所以不需要平方。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？：1：桥式中的快恢复二极管有能力回收和钳位两个功能；2：薄膜电容本身有较强的吸收功能；3：放电后薄膜电容本身电压也很低了，吸收能力增强了；4： 600v是管子的标称值，不是极限值，虽说极限值没列出来，但实际都有裕量，一般再上去10%甚至于有些管子上去20%都是可以的。比如3.3的芯片上到3.7一般都不会有问题。
为了尽量减少误差，光电接收用的是PIN管，“IR333C”+“bpv10nf”组合，上升沿、下降沿为2.5ns。MCU是C8051F410，时钟49M。为了准确在测试的时候用硬件PCA模块捕捉光电信号跳变沿，自动存储到硬件寄存器，中断后经软件根据两次硬件捕捉值算出差值，再置入另一个硬件PCA通道以PWM模式重复输出并用示波器测量，理论误差为：光电响应2.5ns*2+两时钟硬件采样2*2*20.4ns+2*4*20.4nsPCA时钟=249.8ns， 这是目前硬件下我所能达到的最精确的结果。
光电测量硬件部分：
弹丸：平头8*35mmA3定位销：

视频放上来不太和谐，还请见谅。

不错，我觉得这样就说的通了。
另外对于3：放电后薄膜电容本身电压也很低了，吸收能力增强了；
强迫症纠正一下，L遵循伏秒平衡，其实如果电容电压高，吸收速度会快很多。
-
这个帖子的数据是很不错的结果了，五级可关断做到85MPS。
想知道如果用电解电容，同样容量的情况下，能否做到一样的效果。
你有没有论证过，电解电容内阻与薄膜电容内阻对于初速度相比的影响有多大？

引用 LED:
楼主的数据太优雅了，非凡的结论需要非凡的证据，而且这种多通道准同步测量其实是很困难的，希望楼主公布测试方法和原始数据记录，最好有视频或者整个系统包括测试设备的全景照片。

引用 3DA502:
上管可以使用可控硅做开启，下管IGBT只负责关断，这样优势互补，IGBT的高频特性不好

引用 3DA502:
烧一堆管的钱足够PCB打样几次了

引用 kuang998:
请问各位大侠，600v直流数字电压表在哪里可以买到

引用 kuang998:
好的，谢谢：

引用 潜伏:
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/82489 楼主的速度理论上限值的帖子帮忙贴出来。看到那个公式的时候眼前一亮。本来向询问楼主的，翻了翻旧帖就有了。
AUPS4067这个管子我看到淘宝上有人5块钱卖的，我才买进来的，平时都10几块钱

引用 kuang998:
关于烧IGTP管的小经验，我做了一个5级加速炮，IGTP70A1600，电容450v1000uf*2,光控，快恢复二极管FR608，线圈参照（听我说瞎话）老师的数据做 的，开始也烧了一些管子，后来也是怀疑是反峰打坏了IGTP管，本人是做家电维修的，和做一些电子打鱼机充电器之类的，后来就按照电视机行扫描电路的故障来参考，怎样排除反峰电压打坏IGTP管问题，排除的故障是在快恢复二极管FR608并一个5600pf2kv的无极性电容就搞定了，现在没有烧坏过一个管子，大家可以去试一试，炮比较猛。