620v IGBT半桥式 MCU开环控制紧密加速线圈炮测试更新：七级已破百

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发表于《620v IGBT半桥式 MCU开环控制紧密加速线圈炮测试更新：七级已破百》

引用 3DA502:
上管可以使用可控硅做开启，下管IGBT只负责关断，这样优势互补，IGBT的高频特性不好

如果“IGBT的高频特性不好”，那用IGBT做下管关断的拖尾时间还是不能减少吧？

文号 / 841742

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