引用 三水合番:
楼主的半桥在关断的时候，有没有碰到电压峰？
我之前试的时候，一两百A的电流，关断的时候，管子两端会额外出来几十到一百多V的尖峰……

引用 莱特:
效果不错！请问IGBT用的什么型号的，另外第一级发热是不是很严重

引用 三水合番:
楼主的半桥在关断的时候，有没有碰到电压峰？
我之前试的时候，一两百A的电流，关断的时候，管子两端会额外出来几十到一百多V的尖峰……

引用 iSee:

引用 莱特:
效果不错！请问IGBT用的什么型号的，另外第一级发热是不是很严重

IGBT：AUPS4067D1，拆机件，2块4一个。每级温度差别不大。按充一次电10-20s一发，连续20次以上会比较热，不过也算正常吧。用的是“QZY-2/180度高温全铜漆包线”，没刻意因为温度的关系停下来等冷却。

引用 三水合番:

引用 iSee:

引用 三水合番:
楼主的半桥在关断的时候，有没有碰到电压峰？
我之前试的时候，一两百A的电流，关断的时候，管子两端会额外出来几十到一百多V的尖峰……

最大电压（受限于ZVS）电容端空载放电波形：

有管子两端的波形吗？
不过说，关断前电容只剩一两百V的话，对于600V的器件，就算有一个几百V的尖，貌似也没啥毛病

引用 WGC03:
之前找这管子怕不靠谱，这下终于有人实验了...

引用 莱特:

引用 iSee:
再上一些数据和分析：
第一级平均离开速度：36.84m/s，9.36J，ΔE=9.36J，平均加速度22622.35
第二级平均离开速度：52.71m/s，19.17J，ΔE=9.81J，平均加速度23153.61
第三级平均离开速度：65.30m/s，29.42J，ΔE=10.25J，平均加速度23688.31
第四级平均离开速度：76.42m/s，40.29J，ΔE=10.87J，平均加速度24332.90
根据以上数据可以发现，能量一直是在平稳的增加中，加速度变化也非常稳定，只要后面能保持住24000这个加速度，那么在第8级的时候就可以达到107.33m/s的出口速度，动能可达到79.488J。此时线圈 隔板总长度为30*8 5*9=285mm。

1450uf的薄膜电容是什么样子，换电解不行吗，长度确实够短了

引用 莱特:

引用 iSee:

引用 莱特:

引用 iSee:
再上一些数据和分析：
第一级平均离开速度：36.84m/s，9.36J，ΔE=9.36J，平均加速度22622.35
第二级平均离开速度：52.71m/s，19.17J，ΔE=9.81J，平均加速度23153.61
第三级平均离开速度：65.30m/s，29.42J，ΔE=10.25J，平均加速度23688.31
第四级平均离开速度：76.42m/s，40.29J，ΔE=10.87J，平均加速度24332.90
根据以上数据可以发现，能量一直是在平稳的增加中，加速度变化也非常稳定，只要后面能保持住24000这个加速度，那么在第8级的时候就可以达到107.33m/s的出口速度，动能可达到79.488J。此时线圈 隔板总长度为30*8 5*9=285mm。

1450uf的薄膜电容是什么样子，换电解不行吗，长度确实够短了

德国ELECTRONICON油浸薄膜电容。直径116mm，高度165mm，单个1.9kg。很大、很重。

再上一张三级时拍的材料图：

可以看到巨无霸的电容
只要电压达标、内阻较低的电解电容应该也是可以的。没有用的原因主要是基于以下考虑：
首先这是用于积累实验数据的测试机，薄膜电容最接近理想电容，在系统调试时可以较少考虑电容的影响；其次是即使在军事等实用中，体积并不是一个大的问题，性能稳定是最重要的。一枚导弹可以由很多辆车来服务，或者上舰艇或固定山洞炮台都不用担心体积问题；最后设计时就考虑的是600v以上电压，这时合适的电解不好找，串联时的问题又多，不适合测试环境。所以为了在电压上达到要求先用着再说，至少不用担心内阻影响或电压不均炸电容。不过作为个人便携的话那这个油浸确实是有点太夸张了

电容眼馋，楼主能不能抽空再试一试，把每一级的电容都并联在一起，发射几次，与目前的效果做一下对比，看看电容并联前后效率和动能数据有什么变化?

引用 莱特:
电容眼馋，楼主能不能抽空再试一试，把每一级的电容都并联在一起，发射几次，与目前的效果做一下对比，看看电容并联前后效率和动能数据有什么变化?

引用 莱特:

引用 iSee:

引用 莱特:
电容眼馋，楼主能不能抽空再试一试，把每一级的电容都并联在一起，发射几次，与目前的效果做一下对比，看看电容并联前后效率和动能数据有什么变化?

看你上次的帖子里说：“我用六个IGBT并联驱动粗线圈，发现二极管瞬间就击穿了，当时17600uf的电容充到了460V，触发IGBT之后接续流二极管的一截0.5方电线瞬间炸没了，就剩下一点线皮，耳鸣不止，同时IGBT击穿，现在用峰值500A的RHRG75120续流，暂时没出问题，目前关断电流应该有1200A以上了，感觉还能再提高。”具体情况和参数能说一下吗？目前的测试结果怎么样了？很想知道1200A以上的效果。

最大电流的线圈是0.9线，3cm，155匝，效果和你660V的效果差不多，单级能提升15J动能，但是效率低，发射三次就闻到漆包线的糊味儿了

引用 莱特:

引用 iSee:

引用 莱特:
电容眼馋，楼主能不能抽空再试一试，把每一级的电容都并联在一起，发射几次，与目前的效果做一下对比，看看电容并联前后效率和动能数据有什么变化?

看你上次的帖子里说：“我用六个IGBT并联驱动粗线圈，发现二极管瞬间就击穿了，当时17600uf的电容充到了460V，触发IGBT之后接续流二极管的一截0.5方电线瞬间炸没了，就剩下一点线皮，耳鸣不止，同时IGBT击穿，现在用峰值500A的RHRG75120续流，暂时没出问题，目前关断电流应该有1200A以上了，感觉还能再提高。”具体情况和参数能说一下吗？目前的测试结果怎么样了？很想知道1200A以上的效果。

最大电流的线圈是0.9线，3cm，155匝，效果和你660V的效果差不多，单级能提升15J动能，但是效率低，发射三次就闻到漆包线的糊味儿了

引用 kuang998:
用304不锈钢管，对弹丸发射有没有影响，如果在304不锈钢管上面开口可能发射比较理想

引用 kuang998:
用不锈钢管可能对线圈的温度有所提高

引用 rb-sama:
比较奇怪一楼用 Quote：
5级600v时的实测平均值：
    v = 35/0.408 = 85.784m/s
    效率 = 85.784/147.675 = 58.089%
计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？
这样计算效率的方式，存疑。
-
另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的，甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？
是用了什么钳位或者吸收的手段吗？
-
另外没有看到楼主的光电开关实物图，和准确长度测量工具的图片。
现在帖子里的数据说服力不大，如果能补充一个发射视频，实测示波器波形来测算速度就更好了。

引用 rb-sama:

引用 iSee:

引用 rb-sama:
比较奇怪一楼用 Quote：
5级600v时的实测平均值：
    v = 35/0.408 = 85.784m/s
    效率 = 85.784/147.675 = 58.089%
计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？
这样计算效率的方式，存疑。
-
另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的，甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？
是用了什么钳位或者吸收的手段吗？
-
另外没有看到楼主的光电开关实物图，和准确长度测量工具的图片。
现在帖子里的数据说服力不大，如果能补充一个发射视频，实测示波器波形来测算速度就更好了。

“计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？”这个“效率”指的是根据理论值算出的相对于速度的“归一化效率”值，不是能量上的效率值，所以不需要平方。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？：1：桥式中的快恢复二极管有能力回收和钳位两个功能；2：薄膜电容本身有较强的吸收功能；3：放电后薄膜电容本身电压也很低了，吸收能力增强了；4： 600v是管子的标称值，不是极限值，虽说极限值没列出来，但实际都有裕量，一般再上去10%甚至于有些管子上去20%都是可以的。比如3.3的芯片上到3.7一般都不会有问题。
为了尽量减少误差，光电接收用的是PIN管，“IR333C”+“bpv10nf”组合，上升沿、下降沿为2.5ns。MCU是C8051F410，时钟49M。为了准确在测试的时候用硬件PCA模块捕捉光电信号跳变沿，自动存储到硬件寄存器，中断后经软件根据两次硬件捕捉值算出差值，再置入另一个硬件PCA通道以PWM模式重复输出并用示波器测量，理论误差为：光电响应2.5ns*2+两时钟硬件采样2*2*20.4ns+2*4*20.4nsPCA时钟=249.8ns， 这是目前硬件下我所能达到的最精确的结果。
光电测量硬件部分：
弹丸：平头8*35mmA3定位销：

视频放上来不太和谐，还请见谅。

不错，我觉得这样就说的通了。
另外对于3：放电后薄膜电容本身电压也很低了，吸收能力增强了；
强迫症纠正一下，L遵循伏秒平衡，其实如果电容电压高，吸收速度会快很多。
-
这个帖子的数据是很不错的结果了，五级可关断做到85MPS。
想知道如果用电解电容，同样容量的情况下，能否做到一样的效果。
你有没有论证过，电解电容内阻与薄膜电容内阻对于初速度相比的影响有多大？

引用 rb-sama:

引用 iSee:

引用 rb-sama:
比较奇怪一楼用 Quote：
5级600v时的实测平均值：
    v = 35/0.408 = 85.784m/s
    效率 = 85.784/147.675 = 58.089%
计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？
这样计算效率的方式，存疑。
-
另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的，甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？
是用了什么钳位或者吸收的手段吗？
-
另外没有看到楼主的光电开关实物图，和准确长度测量工具的图片。
现在帖子里的数据说服力不大，如果能补充一个发射视频，实测示波器波形来测算速度就更好了。

“计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？”这个“效率”指的是根据理论值算出的相对于速度的“归一化效率”值，不是能量上的效率值，所以不需要平方。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？：1：桥式中的快恢复二极管有能力回收和钳位两个功能；2：薄膜电容本身有较强的吸收功能；3：放电后薄膜电容本身电压也很低了，吸收能力增强了；4： 600v是管子的标称值，不是极限值，虽说极限值没列出来，但实际都有裕量，一般再上去10%甚至于有些管子上去20%都是可以的。比如3.3的芯片上到3.7一般都不会有问题。
为了尽量减少误差，光电接收用的是PIN管，“IR333C”+“bpv10nf”组合，上升沿、下降沿为2.5ns。MCU是C8051F410，时钟49M。为了准确在测试的时候用硬件PCA模块捕捉光电信号跳变沿，自动存储到硬件寄存器，中断后经软件根据两次硬件捕捉值算出差值，再置入另一个硬件PCA通道以PWM模式重复输出并用示波器测量，理论误差为：光电响应2.5ns*2+两时钟硬件采样2*2*20.4ns+2*4*20.4nsPCA时钟=249.8ns， 这是目前硬件下我所能达到的最精确的结果。
光电测量硬件部分：
弹丸：平头8*35mmA3定位销：

视频放上来不太和谐，还请见谅。

不错，我觉得这样就说的通了。
另外对于3：放电后薄膜电容本身电压也很低了，吸收能力增强了；
强迫症纠正一下，L遵循伏秒平衡，其实如果电容电压高，吸收速度会快很多。
-
这个帖子的数据是很不错的结果了，五级可关断做到85MPS。
想知道如果用电解电容，同样容量的情况下，能否做到一样的效果。
你有没有论证过，电解电容内阻与薄膜电容内阻对于初速度相比的影响有多大？

引用 LED:
楼主的数据太优雅了，非凡的结论需要非凡的证据，而且这种多通道准同步测量其实是很困难的，希望楼主公布测试方法和原始数据记录，最好有视频或者整个系统包括测试设备的全景照片。

引用 3DA502:
上管可以使用可控硅做开启，下管IGBT只负责关断，这样优势互补，IGBT的高频特性不好

引用 3DA502:
烧一堆管的钱足够PCB打样几次了

引用 kuang998:
请问各位大侠，600v直流数字电压表在哪里可以买到

引用 kuang998:
好的，谢谢：

引用 潜伏:
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/82489 楼主的速度理论上限值的帖子帮忙贴出来。看到那个公式的时候眼前一亮。本来向询问楼主的，翻了翻旧帖就有了。
AUPS4067这个管子我看到淘宝上有人5块钱卖的，我才买进来的，平时都10几块钱

引用 kuang998:
关于烧IGTP管的小经验，我做了一个5级加速炮，IGTP70A1600，电容450v1000uf*2,光控，快恢复二极管FR608，线圈参照（听我说瞎话）老师的数据做 的，开始也烧了一些管子，后来也是怀疑是反峰打坏了IGTP管，本人是做家电维修的，和做一些电子打鱼机充电器之类的，后来就按照电视机行扫描电路的故障来参考，怎样排除反峰电压打坏IGTP管问题，排除的故障是在快恢复二极管FR608并一个5600pf2kv的无极性电容就搞定了，现在没有烧坏过一个管子，大家可以去试一试，炮比较猛。

引用 kuang998:
IGTP70A1600就是70TPS16可控硅， 是每级2个1000uf，速度和动能没有工具测试，也不懂，在家阳台10米测试，直线打易拉罐直接打通，我的感觉2.3.4级光亮的位置都可以按照论坛高手的方法来做，主要是末级的光亮位置是主要的，可以把光亮和线圈的位置啦远一点，否则反拉非常大，因为本人不懂整体的数据和参数，都是靠论坛高手的图纸和自己的摸索出来的，

引用 3DA502:

引用 iSee:

引用 3DA502:
烧一堆管的钱足够PCB打样几次了

这是沉金工艺的四层阻抗板，内部都是大片的电源和地平面，本身是用于16路1.458G差分信号处理，电源和地的稳定性非常好。所以随手拿来用不用太担心，只是可惜的是装5个驱动就不太有位置了。这次只是积累一些经验和数据，为今后可能上更高电压打些基础，不然PCB打样再多次都没用，可能还是要烧一堆管子

你画PCB有难度吧，整这么多没用的，，，，，，你这是1000A电流在PCB铜箔上走，不烧才怪

引用 3DA502:

引用 iSee:

引用 3DA502:
烧一堆管的钱足够PCB打样几次了

这是沉金工艺的四层阻抗板，内部都是大片的电源和地平面，本身是用于16路1.458G差分信号处理，电源和地的稳定性非常好。所以随手拿来用不用太担心，只是可惜的是装5个驱动就不太有位置了。这次只是积累一些经验和数据，为今后可能上更高电压打些基础，不然PCB打样再多次都没用，可能还是要烧一堆管子

你画PCB有难度吧，整这么多没用的，，，，，，你这是1000A电流在PCB铜箔上走，不烧才怪

引用 三水合番:
话说，楼主开始的时候阵亡了那么多IGBT，但是后来就不再烧管了，是哪些地方作了改进？

引用 三水合番:

引用 iSee:
当时选用电容的时候基于实验积累数据和600v设计方案的原因直接选用了薄膜电容，没太多考虑电解电容。如果要我现在评估的话可能在电解旁边并接适当的薄膜电容是个好主意，一定程度上可以平衡大容量和低内阻的关系。
“你有没有论证过，电解电容内阻与薄膜电容内阻对于初速度相比的影响有多大？”：没论证过，这是我第一次做电磁炮，我手上现在连一个50v以上的电解都没有。。

貌似用串联电解电容代替这里的薄膜电容对性能并不会有太大影响。
电解电容的内阻x容量，或者说“时间常数”，普遍在100us到30us之间（具体多少视价格以及……运气）。如果楼主运气够好，买到了时间常数30us的电解电容，那么1450uF对应的内阻仅有约20mΩ。对于顶楼提到的546.5A-581.8A的峰值电流，仅会产生11V多点的压降。就算楼主的运气和我一样差，买到了100us的电容，电容内阻上也就是30V多的压降。与600V多的电容电压相比完全可以忽略不计。
而且楼主这个600到700V的电压范围，刚好对应闪光灯电容两个串联的电压。替换起来蛮方便的，而且还不会浪费电压容量。

引用 三水合番:

引用 iSee:

引用 三水合番:

引用 iSee:
当时选用电容的时候基于实验积累数据和600v设计方案的原因直接选用了薄膜电容，没太多考虑电解电容。如果要我现在评估的话可能在电解旁边并接适当的薄膜电容是个好主意，一定程度上可以平衡大容量和低内阻的关系。
“你有没有论证过，电解电容内阻与薄膜电容内阻对于初速度相比的影响有多大？”：没论证过，这是我第一次做电磁炮，我手上现在连一个50v以上的电解都没有。。

貌似用串联电解电容代替这里的薄膜电容对性能并不会有太大影响。
电解电容的内阻x容量，或者说“时间常数”，普遍在100us到30us之间（具体多少视价格以及……运气）。如果楼主运气够好，买到了时间常数30us的电解电容，那么1450uF对应的内阻仅有约20mΩ。对于顶楼提到的546.5A-581.8A的峰值电流，仅会产生11V多点的压降。就算楼主的运气和我一样差，买到了100us的电容，电容内阻上也就是30V多的压降。与600V多的电容电压相比完全可以忽略不计。
而且楼主这个600到700V的电压范围，刚好对应闪光灯电容两个串联的电压。替换起来蛮方便的，而且还不会浪费电压容量。

恩，我是在回莱特的时候说了“只要电压达标、内阻较低的电解电容应该也是可以的”。串联电解的话我比较担心的是一个是需要均压，另一个是电解在高压时漏电也会比较大，如果再加均压电阻的话这么多级、总的又这么大的储能，功率损耗会比较大，估计我手上这么小的ZVS会很吃力，充不上去了。另外现在一级的储能按660v1450uf算要315J以上，要保留些耐压裕量的话330v的电解不够用，400v以上的闪光灯电容容量都不多，搭一级这样的储能估计要400v的8-10个，体积也不算小了，还要考虑温度系数的影响，寿命上更是不用比了，我用的这个标称寿命是大于20万小时。。。

你都把600V的IGBT超到660了，害怕把330V的闪光灯电容超到350嘛
不想超压的话，闪光灯电容还有一个常见的360V

引用 三水合番:

引用 iSee:
买了一根8mm的DT4C电工纯铁棒，截成35mm长的做测试，电压控制在610v-615v，单级开始调起。在3级以下的时候效果还明显，大概有4-5%左右的提高；四级以上的效果就不明显了，7级最终只能提高2%左右。总体感觉性价比不高，还是A3定位销划算些。

2%的变化…这测量精度还挺高的嘛
可以确定是材料带来的变化吗？能排除比如气温变化，弹丸形状差别，热处理等产生的影响吗？