引用 rb-sama:

引用 iSee:

引用 rb-sama:
比较奇怪一楼用 Quote：
5级600v时的实测平均值：
    v = 35/0.408 = 85.784m/s
    效率 = 85.784/147.675 = 58.089%
计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？
这样计算效率的方式，存疑。
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另外IGBT芯片对电压尖峰应该是非常敏感的，甚至几个us的OV peak就会把芯片击穿。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？
是用了什么钳位或者吸收的手段吗？
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另外没有看到楼主的光电开关实物图，和准确长度测量工具的图片。
现在帖子里的数据说服力不大，如果能补充一个发射视频，实测示波器波形来测算速度就更好了。

“计算效率不应该是速度平方/理论值平方得到吗？”这个“效率”指的是根据理论值算出的相对于速度的“归一化效率”值，不是能量上的效率值，所以不需要平方。
为什么600V的管子楼主用到660V，并且一定会有关断尖峰的情况下，还未击穿？：1：桥式中的快恢复二极管有能力回收和钳位两个功能；2：薄膜电容本身有较强的吸收功能；3：放电后薄膜电容本身电压也很低了，吸收能力增强了；4： 600v是管子的标称值，不是极限值，虽说极限值没列出来，但实际都有裕量，一般再上去10%甚至于有些管子上去20%都是可以的。比如3.3的芯片上到3.7一般都不会有问题。
为了尽量减少误差，光电接收用的是PIN管，“IR333C”+“bpv10nf”组合，上升沿、下降沿为2.5ns。MCU是C8051F410，时钟49M。为了准确在测试的时候用硬件PCA模块捕捉光电信号跳变沿，自动存储到硬件寄存器，中断后经软件根据两次硬件捕捉值算出差值，再置入另一个硬件PCA通道以PWM模式重复输出并用示波器测量，理论误差为：光电响应2.5ns*2+两时钟硬件采样2*2*20.4ns+2*4*20.4nsPCA时钟=249.8ns， 这是目前硬件下我所能达到的最精确的结果。
光电测量硬件部分：
弹丸：平头8*35mmA3定位销：

视频放上来不太和谐，还请见谅。

不错，我觉得这样就说的通了。
另外对于3：放电后薄膜电容本身电压也很低了，吸收能力增强了；
强迫症纠正一下，L遵循伏秒平衡，其实如果电容电压高，吸收速度会快很多。
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这个帖子的数据是很不错的结果了，五级可关断做到85MPS。
想知道如果用电解电容，同样容量的情况下，能否做到一样的效果。
你有没有论证过，电解电容内阻与薄膜电容内阻对于初速度相比的影响有多大？