本帖最后由 奶酪 于 2014-5-8 20:46 编辑
SCR与IGBT不讲内阻，讲的是压降。
开启损耗由SCR承担，关断由IGBT承担。
功率部分草图，略去续流等电路，非本人发明：
![IMG_20140508_122220355.jpg]()
SCR与IGBT不讲内阻，讲的是压降。
开启损耗由SCR承担，关断由IGBT承担。
功率部分草图，略去续流等电路，非本人发明：
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高压紧密加速的电流模式控制方案探讨
本帖最后由 奶酪 于 2014-5-8 18:09 编辑
先大致说几点，回头再整理具体的想法。
1，基于SCR+IGBT的高压关断方案；
2，通过改良工艺将光电传感部分做到1mm厚度；
3，各加速级尽可能的紧密安装；
4，光电触发加速级放电；
5，线圈电流到达本级预设值后关断；
6，由两个电容组及对应控制电路进行交错；
7，通过模拟计算及发射调试确定各加速级的最佳线圈参数；
8，微调各加速级的预设电流值得到效率与动能的最佳平衡点。
先大致说几点，回头再整理具体的想法。
1，基于SCR+IGBT的高压关断方案；
2，通过改良工艺将光电传感部分做到1mm厚度；
3，各加速级尽可能的紧密安装；
4，光电触发加速级放电；
5，线圈电流到达本级预设值后关断；
6，由两个电容组及对应控制电路进行交错；
7，通过模拟计算及发射调试确定各加速级的最佳线圈参数；
8，微调各加速级的预设电流值得到效率与动能的最佳平衡点。
本帖最后由 奶酪 于 2014-5-8 20:52 编辑
与SCR的V开关相比，关断可以达到ns级别（V关断过程可能会超过100us），而SCR开启的延迟可以控制在5us以内，还是可以接受的，目前选型的峰值550A的SCR为TO263贴片封装。
后面打算搞的加速器基本上每个加速级峰值电流不会超过250A，IGBT的话考虑300A峰值承受能力的，封装为TO247。
与SCR的V开关相比，关断可以达到ns级别（V关断过程可能会超过100us），而SCR开启的延迟可以控制在5us以内，还是可以接受的，目前选型的峰值550A的SCR为TO263贴片封装。
后面打算搞的加速器基本上每个加速级峰值电流不会超过250A，IGBT的话考虑300A峰值承受能力的，封装为TO247。
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