沙发

基于SCR+IGBT的高压关断方案；那就是SCR+IGBT内阻值的总和，还不如只有埃及鼻涕（IGBT）呢

本帖最后由 奶酪 于 2014-5-8 20:46 编辑

SCR与IGBT不讲内阻，讲的是压降。
开启损耗由SCR承担，关断由IGBT承担。

功率部分草图，略去续流等电路，非本人发明：

本帖最后由 奶酪 于 2014-5-8 20:52 编辑

与SCR的V开关相比，关断可以达到ns级别（V关断过程可能会超过100us），而SCR开启的延迟可以控制在5us以内，还是可以接受的，目前选型的峰值550A的SCR为TO263贴片封装。
后面打算搞的加速器基本上每个加速级峰值电流不会超过250A，IGBT的话考虑300A峰值承受能力的，封装为TO247。

就是IGBT一直开着，开通SCR后用IGBT关断么 光电是触发进单片机再控制下一级还是直接触发下一级？[s:12]

250A的放电电流，用关断方案做，射钢珠的话估计做10级初速也很难破60
这方案的关断方式是亮点，但并不实用，电路相对复杂，搭棚或者洞洞板制作的话有大量的飞线，提高了不少故障率，还有就是调试将是个非常头痛的问题

低速段DD速度不高，可以用较小的放电电流较长的放电时间为DD提供大量的动能
到了高速段，只有用短时间大电流的方式为DD提供同等的动能，理想的方式就是加高电压
而电容不分级的设计虽然简化了接线，但违背了以上原理，低速段电容电压充足，为延长放电时间，你的线圈必须绕的很大，而到了高速段，电容电压降低，你又必须绕非常小的线圈。。。。当然，如果你准备用足够庞大、就算经历10级的放电也不会下降多少电压的电容组，就当我这条没说。。。
而且这多级前后相关，单级的参数改变，所有加速级的控制时间就必须重新调整
我敢打赌，八成以上的可能，这方案会在调试过程中的几次故障之后而半途而废。。。。
我对这方案的总结是：原理设计80分，实际工艺可行性40分。。。。

以前我也觉得关断方案省事，线圈、电容参数不用计算很精确，只要及时开通和关断就行了
但做过几个关断方案之后发现事实并不是这样，计算参数省事了，实际调试花费的精力多出10倍不止
而且关断方案只不过是效率高，但储能体积上并不占优势，同样的储能体积下，关断方案要做到SCR方案同样的出膛动能是非常困难的

楼上的是经验之谈，工艺与调试。

这张图看来IGBT的寿命必定很短，因为igbt要在短时间内多次承受大电流冲击

说实话半导体元件的耐压和耐流都不咋地（土豪级除外）个人表示还是研究高速开、合的机械开关比较实用也相对简单

想了下电流模式不太可行，延迟+限流可能会更稳妥。

奶酪 发表于 2014-5-11 12:56
想了下电流模式不太可行，延迟+限流可能会更稳妥。

可以通过限流电阻使得每个半导体原件不超过峰值电流，多个并联同样可以做到大电流的效果