引用第6楼black于2010-03-21 01:11发表的  :
正如jooyep说的
一般半桥或者是推挽 为了防止同时导通 都会把最大占空比设定在0.45左右
你的可能是占空比设计过高 量子管子的实际参数又不太相同 导致直通
不过有点不理解的是 一般进入直通的话 都会发生烧管 而不是诡异的20ma
所以我偏向于是均压电容漏电

引用第7楼拔刀斋于2010-03-21 11:13发表的  :
Coss寄生电容损耗，可以不管

引用第10楼black于2010-03-21 12:53发表的  :

你的意思是半个桥臂打开时 下面一个mos相当于电容？
我也是这样想的 但是他说“空载一段时间后 mos会很热”

引用第12楼kuanglong7于2010-03-21 16:26发表的  :
非也，MOS管的等效电路如下图：

DG之间、GS之间都分别相当于并联了一个电容Cgd和Cgs，所以你想想，当你想使MOS导通，驱动电路输出高电位时，MOS管的G极电位不是瞬间提高的，而是由你的驱动电路先给Cgs充电（同时Cgd放电），使G极电位逐渐提升，MOS管经过一个短暂的放大区，才能进入饱和导通状态。同理，当驱动电路输出低电位时，MOS管的G极电位也不是瞬间下降为零的，而是Cgs经由你的驱动电路放电（同时Cgd充电），使G极电位逐渐下降，MOS管也要经过一个短暂的放大区，才能进入截止状态。显然如果驱动电路的电流输出和吸入能力越大，这个开关过程越短，开关损耗也就越小。
LZ在G极的Rg上并了个肖特基二极管，所以当驱动电路输出高电位时相当于直接通过这个肖特基二极管给Cgs充电，t=0时刻电容等效是短路状态，所以流过该二极管的电流是很大的。再加上这种电路开关频率多在数十K赫兹，每秒钟就有数十K次的冲击电流，如果元件选择不当很容易烧管。
.......

引用第24楼=y2k042000=于2010-03-22 21:29发表的  :
MOS裡的UFD死的快才要外挂,...

引用第25楼kuanglong7于2010-03-22 21:55发表的  :
要看你的电路反峰有多严重，而且要限制反峰外挂二极管也是饮鸩止渴，要用反峰吸收电路或缓冲电路。

引用第26楼拔刀斋于2010-03-23 18:52发表的  :
桥式电路的外挂二极管作续流
一侧的外挂二极管限制另一侧的反峰

引用第20楼kuanglong7于2010-03-21 20:26发表的  :
我不太明白LZ为什么要在MOS管的S极上串个肖特基二极管？这个串联的二极管除了增加损耗外好像没什么别的作用，而且1N5048不是肖特基二极管是普通整流二极管，用在这种高频环境中烧了是很正常的。（即使电流电压都在额定范围内）
再就是LZ采用的MOS隔离驱动电路也没必要，就是正规厂家生产的数百瓦开关电源也极少用隔离驱动电路的，这种电路调试很麻烦。连元件离散参数、PCB布线、磁芯特性等都要考虑进去，如果你有示波器可以先看看你的驱动电路输出波形怎么样，是不是你想像的那样。不过我建议用图腾柱直驱，足够了。

引用第36楼223388于2010-03-28 13:39发表的  :
网上很多半桥电路为什么没那么复杂？

引用第39楼223388于2010-04-01 11:50发表的  :
半桥用磁环能隔离，有低压部分和高压部分（220v）。

引用第41楼223388于2010-04-03 12:54发表的  :
我的低压电路负极接的地，如果不隔离的话 高压（220v）负极要接地？