引用第4楼dctyu于2010-01-06 16:22发表的  :
通过2楼的提问。我立即想出突破 半导体极限 制造高速芯片的办法。大家都注意好，要是芯片公司真得用上了这个主意，那可是我先提出的！！！

把整个芯片工作时的零点电势提高或降低。让半导体内电子数量饱和或匮乏，总之就是与芯片在大地零点工作时不一样。因为芯片的工作环境不同了，所以继续压榨极限继续提高芯片性能是有可能的！！！

引用第4楼dctyu于2010-01-06 16:22发表的  :
通过2楼的提问。我立即想出突破 半导体极限 制造高速芯片的办法。大家都注意好，要是芯片公司真得用上了这个主意，那可是我先提出的！！！

把整个芯片工作时的参考零点电势提高或降低。让半导体内电子数量饱和或匮乏，总之就是与芯片在大地零点工作时不一样。因为芯片的工作环境不同了，所以继续压榨极限继续提高芯片性能是有可能的！！！

引用第11楼dctyu于2010-01-07 11:05发表的  :
如果人和设备被关在金属房间里。缓慢地生高金属房间的电势。

对房间里的人和设备来说，金属墙壁作为零点电势。这样人没事，设备也工作正常。

千万不要让房间外的人（采用大地电势为零点电势）来摸金属墙壁。如果这样做房间外的人会很倒霉。
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