引用 三水合番:
关于“可控硅的响应时间”，楼主能详细说明一下吗？比如通常可控硅的响应时间是多少，信息来源或者测试条件是啥？

引用 三水合番:
？？？
目测楼主毫和微写反了……
那张图上唯一一个11000多的数字，单位是A^2*s……楼主的图不完整，这个数前面应该提到它指的是“Max. I^2t for Fusing”，是给选保险丝做参考的………

引用 三水合番:
有问题……那个参数是极限电流上升率，是在25度时，每us电流上升150A……注意单位制……
“g160n60是每1us电流上升200a”的来源是哪？

引用 power_rdx:
即使是固定的导通响应时间，光电门与线圈的间隔也会越来越远，因为弹头的速度在逐级提高。至于你说的电流上升速度，事实上影响电流上升的主要因素是线圈的自感，而非开关元件。

引用 314152:
后级更快，可控硅开通时间基本不变，当然远点补偿

引用 hwjt150024300:

引用 power_rdx:
得了吧，坛子里多一半都是相同的线圈，你当减小电感量那么容易吗？减小电感量，就意味着要想保持安匝数不变，你必须使用更低的电压和超级巨大的电流，这将大幅提高制作难度，同时效率也会明显降低。

引用 三水合番:
用相同参数线圈的还真是大有人在，因为有时候成本（人力/金钱）比效果更重要。
而且，仅靠减小电感来提高电流上升率是不现实的，因为对于LC谐振，需要平方倍的减小线圈电感，才能让上升率一次方的提高。对于通常……

引用 power_rdx:
你说对了，就是要逐级减小电容容量，并提高充电电压。你连最基本的电磁学原理都不懂，建议多潜水，少说话。

引用 power_rdx:
看清楚，我说的是“逐级减小容量，并提高电压”。越到后级，线圈对弹头的加速时间就越短，这时候我们需要更陡的电流上升梯度，而持续时间则越来越短，所以，从1级到最后一级都使用同样容量的电容，是一种极其愚蠢的……

引用 三水合番:
我们没说你的效率一定会低，只是在说你的理论不对而已。即使是可控硅无关断方案，设计得当的话，也可以有相当高的效率，比如“我叫欧阳鑫”（贴吧ID）宣称达到了100m/s左右的速度与10%左右的效率（[ur……

引用 虎哥:
26楼朋友，三水合番说的是达到理论极限的50%，而不是50%，请仔细了解。如果您质疑理论，那么需要有观测事实或者新的理论证明。
动手实践固然值得提倡，同时理论推导以及指出动手实践所依据的理论的错误也必……

引用 三水合番:
“效率极限”的50%不是25%……话说，那个“效率极限”用到的思路，是可以同时考虑效率，动能甚至体积重量的。比如我们可以用它计算出某一加速段长度下，达到某个动能时的“效率极限”，然后与等长度，等动能的……

引用 虎哥:
上市？期待继续。也希望楼主不论成败都继续把研究做完。

引用 莱特:
欢迎楼主回归论坛，23级优化后还有多少级

引用 莱特:
楼主做的不错，做这么多级很不容易，材料费也得2000多了吧，电容充电模块功率多大的，是用zvs做的吗。

引用 莱特:
还有这么多电容为什么不换成一个大的呢，22个1000uf电容，换成一个22000uf的话，体积和电容内阻都会显著减小

引用 虎哥:
伤情挺严重，指尖有感觉吗，指甲盖发白、发紫不，要去医院。小心啊。

引用 莱特:
180V的效果怎么样，有测速器吗