Class-E，电容两端电压会振升到很高，所以需要高耐压的MOS~
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CLASS E固態特斯拉線圈 SSTC
前幾天做的CLASS E SSTC。照著steve的電路做的。
XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/XXXXXXXXXXXXXm
次級頻率640KHZ
MOSFET原先使用20N60C3，使用調壓器慢慢增加電壓，110V時電弧超過15CM，後來實驗過程中MOSFET炸掉了(急著關，忘了看輸入電壓)。後來重做，改用11N80C3，只敢用55V，55V輸入只有6CM電弧。
請問一下，這個的電容要用什麼？改用CDE 942或WIMA FKP會比較好嗎？![ClassETeslaCoil.jpg]()
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次級頻率640KHZ
MOSFET原先使用20N60C3，使用調壓器慢慢增加電壓，110V時電弧超過15CM，後來實驗過程中MOSFET炸掉了(急著關，忘了看輸入電壓)。後來重做，改用11N80C3，只敢用55V，55V輸入只有6CM電弧。
請問一下，這個的電容要用什麼？改用CDE 942或WIMA FKP會比較好嗎？
回 1楼(ry7740kptv) 的帖子
既然是高压为什么还要mos，IGBT的效果应该会更好啊。建议LZ加装瞬态二极管保护。
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Class-E由於是初級線圈和TANK CAP構成諧振
電壓增益很高 在60V輸入可以在電容兩端形成400V 左右的峰值電壓Vpk
電容可以選擇高頻損耗較小的CDE電容 耐壓也足夠
640KHZ下使用普通的IGBT開關速度跟不上
電壓增益很高 在60V輸入可以在電容兩端形成400V 左右的峰值電壓Vpk
電容可以選擇高頻損耗較小的CDE電容 耐壓也足夠
640KHZ下使用普通的IGBT開關速度跟不上
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