本电路目前不包括能量回收部分。
从左往右看
当第一个可控硅导通时第一级加速开始，副线圈要在出口位置，不需要很多圈，为主线圈的五分之一就差不多了，当弹丸移动至第一级加速末尾副线圈获得足够的能量触发第二个可控硅。
随之第二个回路闭合，并通过无极性电容供给一个电压，使第一级加速关断。
同理第三级、第四级------
目前的思路就是这些。此电路和每级都用v型开关相比节省可控硅使用数量明显。而且效果不错。
从左往右看
当第一个可控硅导通时第一级加速开始，副线圈要在出口位置，不需要很多圈，为主线圈的五分之一就差不多了，当弹丸移动至第一级加速末尾副线圈获得足够的能量触发第二个可控硅。
随之第二个回路闭合，并通过无极性电容供给一个电压，使第一级加速关断。
同理第三级、第四级------
目前的思路就是这些。此电路和每级都用v型开关相比节省可控硅使用数量明显。而且效果不错。
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