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可控硅并联的问题
前段时间，我用三个btw69并联，电容组（400V470ufx7）可以成功射穿两个易拉罐。
后来那三个可控硅因为一次意外坏了，于是我买过了一个，单独使用。
测试10v-150V都很正常，说明我连接没问题，但是电压一到200V，可控硅就挂了，正向击穿
问题就来了，同种型号的可控硅，为啥并联时比单独使用好得多呢？
而且很多人都劝我：可控硅并联是多余的，无法同时出发，甚至可能形同虚设。如果真是这样，那我的实验现象如何解释呢？
另外 我的发射管是铜的，外部包了一层厚塑料 电容和可控硅离管子进，线圈在管子后方，并未套入，电磁感应的干扰会有影响吗？
希望有人能够解答这些问题呀~
后来那三个可控硅因为一次意外坏了，于是我买过了一个，单独使用。
测试10v-150V都很正常，说明我连接没问题，但是电压一到200V，可控硅就挂了，正向击穿
问题就来了，同种型号的可控硅，为啥并联时比单独使用好得多呢？
而且很多人都劝我：可控硅并联是多余的，无法同时出发，甚至可能形同虚设。如果真是这样，那我的实验现象如何解释呢？
另外 我的发射管是铜的，外部包了一层厚塑料 电容和可控硅离管子进，线圈在管子后方，并未套入，电磁感应的干扰会有影响吗？
希望有人能够解答这些问题呀~
