在100M/S的情况下，硅钢片的响应速度应该可以满足需求了。
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效率是个尖锐的问题，再次分析外包轭铁的意义
通过软件模拟可以发现，外包轭铁可以减小气隙长度，减小磁阻至通常数值的20%左右。
这样的话虽然增加了体积和重量，但是另一方面可以采用更低的电压和更小的电容，减小了
升压电路的要求，减小了对IGBT或者可控硅的要求，使效率得到5倍以上的提高。
附模拟图：
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这样的话虽然增加了体积和重量，但是另一方面可以采用更低的电压和更小的电容，减小了
升压电路的要求，减小了对IGBT或者可控硅的要求，使效率得到5倍以上的提高。
附模拟图：
电流的变化慢在多级加速的情况下并不是问题，如果能把效率提高数倍，那么可以让后面的加速线圈提前导通，这样产生的额外能量损耗也是可以接受的。
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电流的变化快不一定就是好事，子弹感应电流产生的斥力也很大，从实验中子弹反向的现象就可以看出来。
可惜不容易量化分析，不知道对速度的影响有多大的程度。
可惜不容易量化分析，不知道对速度的影响有多大的程度。
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有一种情况不知道你遇到过没有，就是把子弹放在线圈外特定的位置，根本就不会被吸进来，而是直接推出去。不过这个点很难把握，远了近了都不行。就经验来说，也许电流快速变化产生的斥力能有吸引力的20%以上。（没有依据，全凭感觉了）可见电流的过快变化同样是需要我们注意的重点。
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