暑假欲做一把电磁枪，苦于没有合适的升压电路。。。

文号t16358

3490

majianjia2009/06/23电磁炮 IP:天津

快高三了。决定最后做点东西，然后让他们沐尘一岁。
最后选择了电磁枪。

每一个电路，元件，甚至弹夹的弹簧都“纸上谈兵”地画好了
但是，原本打算用的汽车逆变器出了问题。
这东西很多余地套上一个低压保护。充电容可能会停机的，其次它的体积太大，我打算自己做。

不知上面那个电路是否符合要求？这是我找到的最简单的了
找了挺多电路，挺复杂的。论坛里有些贴子我没学术积分，也看不到。。很郁闷。

所以很希望有dx能提供一个合适的逆变器电路。简单易做为好，谢谢了。。
要求很简单，400v输出功率100到300w都可以，输入12v dc

第一次做这个，问题多了点，见谅。。。

+200 科创币

虎哥 2009/06/23 问题具有典型性

来自：物理高能技术 / 电磁炮

已屏蔽原因：{{ notice.reason }}已屏蔽

屏蔽解除屏蔽编辑详情

~~空空如也

潜伏者

15年8个月前 IP:未同步

113389

1楼

你想要300w的！体积是个问题！你想做多级还是单级？

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

majianjia

作者

15年8个月前 IP:未同步

113434

2楼

回楼上，，功率不作特别要求。100w也可。
我感觉电路的频率上升了，体积应该不用很大吧？
我考虑的是我的几块电池，它们比较有能耐。将近450w的连续输出。
自己组的11.1 v 2200mah 25C锂聚，玩电固用的。按20C算都有480w以上。
如果能上300w，加合适的关断，不到一秒即可充满电容
当然。。以上只是计算结果
想做二级的，比较简单也不失威力。
初级用的是几节450v的并联成1200到1500uf的电容
考虑到次级通电时间更短，所以次级用几节 450v的并联成1000到800uf的电容
光点检测或者单片机定时两种方式都设计了。

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

潜伏者

15年8个月前 IP:未同步

113473

3楼

看来LZ还没有做过一次实验！您对电磁木仓了解多少？比如线圈，弹丸，效率，控制，结构等等！总之要先把所有的资料收集，否则做完后会发现不合适，或达不到预期的效果。泼盆冷水别见怪，我初到论坛时也感觉简单，还自不量力的想用单机加速达到高速。希望LZ先做做简单的实验在开工作成品不迟。

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

潜伏者

15年8个月前 IP:未同步

113484

4楼

+300

科创币

虎哥

2009-06-23

助人为乐

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

majianjia

作者

15年8个月前 IP:未同步

113554

5楼

谢谢你的提醒，
我也翻了不少贴子了，对它的特点也有些了解，才决定要做的
效率不指望了
之前一直在能材和固体火箭板块转悠，另外还在手电论坛的时候做了一支激光笔和3w的手电。。。

辛苦了。。弄了那么多链接。我都看过，不过重看几遍也不过的！
内容都很精典，做成一个新贴应该有置顶的资格了！

你最新做的那把很不错啊！我相当喜欢。
我回家后再下载贴子里的附件。我手机下载好像有问题。ucweb下了开不了，opera9.7下了是乱码，IE6没试过，太慢了。
因为我是管教室电脑的。。更不能用电脑下了。。原则问题。。。

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

潜伏者

15年8个月前 IP:未同步

113661

6楼

手机上的UCWEB很好用。我以前就是用那个软件下载网页直接能打开的图片。好像连接图片下载不了。

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

吴巷德

15年8个月前 IP:未同步

114103

7楼

资料看完了，还得不少时间去消化。现在也正在计划做一支电磁“枪”，因为第一次做，还在摸索价段，就先不考虑体积问题了，以后再改良吧，数据如下：
电压：900V
电容储能：17600uF
加速极级数：1
触发方式：可控硅KG500  手动
子弹直径：9mm
子弹长度：4cm
整体长度：?
整体重量：?
供电方式：市电
升压方式：市电升压
线圈:：1mm，360匝，12cm长3层

有几个问题：1   可控硅关断问题，电容放电直致可控硅自行关断，时间是多少？
            2   可控硅自行关断时会产生反向高压么？会不会因关断时间过长产生反向斥力？
  以下是参考电路

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

majianjia

作者

15年8个月前 IP:未同步

114180

8楼

1时间不定看你的电感和电阻。
不过看你的电容容量，我感觉子弹会被抽回来……
2不会，会

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

潜伏者

15年8个月前 IP:未同步

114187

9楼

有几个问题：1  可控硅关断问题，电容放电直致可控硅自行关断，时间是多少？
            2  可控硅自行关断时会产生反向高压么？会不会因关断时间过长产生反向斥力？
  以下是参考电路

问题提得好！不过要是消化了帖子就不会有这些问题了。
简单的说。
1、可控硅的自行关断是电流，当电流迅速降低时，达不到自身的维持到通的电流则，自行关断。
2、会产生反向高压，而且因为场效应，IGBT，可控硅，等等的开关元件关断原理有差异，所以产生的反向电压也会有高低之分，感觉LS的线圈匝数计算有误！如果通电时间过长当然会产生反拉。
建议削减电容组容量，选好线径，选好发射物材料，绕制适当大小线圈。

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

潜伏者

15年8个月前 IP:未同步

114188

10楼

7楼：电路是你自己画的？电路有问题，看来只能手动关断，但是危险！请加以改进，而且你手的动作不可能把握得好！

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

majianjia

作者

15年8个月前 IP:未同步

114224

11楼

lsdx…
糊涂了我
他说的是自行关断，我的理解是电容放完电后自己断电，如果这样就不会有高压了吧

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

潜伏者

15年8个月前 IP:未同步

114252

12楼

引用第11楼majianjia于2009-06-25 07:13发表的 :
lsdx…
糊涂了我
他说的是自行关断，我的理解是电容放完电后自己断电，如果这样就不会有高压了吧

在电路中线圈，可控硅形成回路，一旦可控硅导通，那么只有等电路中电流下降到某一数值可控硅才会自行关断，所以可控硅在关断时电路内还有电流，所以关断后会有反向高压。
只是反向高压不如硬关断的产生的高。可控硅发射后余压为60v左右（未设计关断电路的情况下）

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

warmonkey

15年8个月前 IP:未同步

114314

13楼

lz的电路有错，SG3524不能直接驱动MOSFET
而且也没必要用IRF1010这么大的MOS，IRF3205足矣

+100

科创币

虎哥

2009-06-25

很好

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

吴巷德

15年8个月前 IP:未同步

114385

14楼

电路是国外小发明家网站上找到的，感觉上是有问题，SCR换成IGBT似乎可行。
可控硅KP500是现成的，所以想先用这做试验。
延长线圈长度，能否改善可控硅关闭时间长的问题？
SCR和可控硅貎似同一种东东？
有没有人试过接触器分断？

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

吴巷德

15年8个月前 IP:未同步

114391

15楼

引用第10楼yslovedd于2009-06-24 23:55发表的 :
7楼：电路是你自己画的？电路有问题，看来只能手动关断，但是危险！请加以改进，而且你手的动作不可能把握得好！

不用手动关断，当手动触发后，X1导通，电压上升致高于D1额定电压时，D1导通，X3触发电压下降为0，当主电容放电后，X3电流不足以维持导通，自行关断。不知有没有理解错？

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

潜伏者

15年8个月前 IP:未同步

114583

16楼

引用第15楼吴巷德于2009-06-25 15:43发表的 :

不用手动关断，当手动触发后，X1导通，电压上升致高于D1额定电压时，D1导通，X3触发电压下降为0，当主电容放电后，X3电流不足以维持导通，自行关断。不知有没有理解错？

这样等于还是让可控硅自行关断！我们要做的是强制关断可控硅！这样才能达到高效率，和理想的效果！

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

潜伏者

15年8个月前 IP:未同步

114584

17楼

引用第13楼warmonkey于2009-06-25 11:17发表的 :
lz的电路有错，SG3524不能直接驱动MOSFET
而且也没必要用IRF1010这么大的MOS，IRF3205足矣

同意

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

潜伏者

15年8个月前 IP:未同步

114590

18楼

引用第14楼吴巷德于2009-06-25 15:21发表的 :
电路是国外小发明家网站上找到的，感觉上是有问题，SCR换成IGBT似乎可行。
可控硅KP500是现成的，所以想先用这做试验。
延长线圈长度，能否改善可控硅关闭时间长的问题？
SCR和可控硅貎似同一种东东？
有没有人试过接触器分断？

建议你慢慢在本版翻翻帖！最好能翻一遍！你的这些问题动能解决！
据我观察本版主要的开关器件有两种IGBT和SCR(空气开关除外，因其不实用)IGBT虽然可以根据信号自行关断，但是过载能力若，而高质量的IGBT又很贵！且体积大。SCR(可控硅)可控硅在这里主要用单向可控硅，虽然自身无法完成硬关断，但是其过载能力超强。（想当年我用450v6800uf的电容做实验，只用一只50A的就搞定了，而且没有任何保护电路）
其他的问题多翻翻，我保证肯定有，因为我看过。

引用

加载评论中，请稍候...

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

折叠评论

想参与大家的讨论？现在就登录或者注册。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。

请选择违规类型：

空空如也