有几个问题：1  可控硅关断问题，电容放电直致可控硅自行关断，时间是多少？
            2  可控硅自行关断时会产生反向高压么？会不会因关断时间过长产生反向斥力？
  以下是参考电路


问题提得好！不过要是消化了帖子就不会有这些问题了。
简单的说。
1、可控硅的自行关断是电流，当电流迅速降低时，达不到自身的维持到通的电流则，自行关断。
2、会产生反向高压，而且因为场效应，IGBT，可控硅，等等的开关元件关断原理有差异，所以产生的反向电压也会有高低之分，感觉LS的线圈匝数计算有误！如果通电时间过长当然会产生反拉。
建议削减电容组容量，选好线径，选好发射物材料，绕制适当大小线圈。