阿丕真是多才多艺啊，佩服佩服！向你学习！
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电磁枪制作日记
所谓电磁枪，是指运用电流产生的强磁场来驱动铁质弹丸的一种武器。目前国外业余爱好者制作的电磁枪威力大概范围在：1焦耳到20焦耳左右。越高的弹丸动能要求有更多的电容来提供能量。与传统武器相比，发射弹丸时非常的安静，而且有明显的后坐感觉。无论如何，一支全电气化的枪支是非常酷的，即使它的能量利用律一直徘徊在10%左右。
电磁枪要解决的主要问题有三点：
1.迅速有效的充电装置
2.高效率的驱动线圈
3.精确的通断电控制
在过去的两年时间内，我主要解决第一个问题，对枪支来讲，空间限制是必然的。所以任何采用变压器来提高电压获得大电流的方法都不被允许。作为替代变压器的方法，电感取代了它的位置，采用电感回扫来升压的BOOST电路。可以允许功率为20W的升压装置被安装在火柴盒大小的空间内。这个问题已经成功的解决，在多次的发射实验中发挥了重要作用。
同时一直尝试解决第二个问题的我发现，在众多的数值模拟过程中，无论多么的详细，驱动线圈在实际使用中也会表现出大的差异，比如弹丸的放置位置可以大幅度的影响发射威力。这样的威力差距为穿透铁罐和凿出凹坑的差异。现在实验的6#线圈表现比较令人满意，在没有电压截止的控制下，也可以发挥大的威力。
今天进行的单片机电压控制出现了问题，单片机低的高电平电压无法触发SCR来控制电流，这使得新的发射系统需要重新调整。大概需要两天左右的时间。此次模拟的弹丸速度达到了60M/S以上，系统调试后的结果令人期待！
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关键是要有钱和时间，我现在两样都缺……
资料可以到网络上找到，输入COILGUN就可以了，用GOOGLE搜
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阿丕你的电磁枪试验的怎样了,现在达到什么效果了.
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由于我把毕设提前完成，教授想了一些其他任务给我，我争取在毕业前把电磁枪做出来，不行的话，到公司那边继续处理。
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线圈的供电回路切断一定要快,否则就会回弹.我用手动接通时,就发现这个问题,快速点接的时候,速度最快,如果接通时间长就会回弹.一定要检查清楚你的电路是否有问题,元件参数是否正确.另外还要注意反电动势.
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5.1试了BOOTS升压电路,功率太小,效率也很低,也许峰值电压太高,1200V的IGBT空载两秒就击穿了,一个1400V的MOS就没事,但仍然是不能用.
用变压器的升压器试验成功,推挽式工作,功率100W以上,效率有90%左右.
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boost的效率可以到90％以上，如果很低，电路设计可能有问题。boost的变比以不超过10为宜，如果需要再高，最好用感应圈原理，绕一个副边线圈。也可一多个电路迭起来。
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你的BOOST电路设计一定出了问题，否则效率很高。首先把频率进行调整，用万用表检测看是否达到了设计电压。使用IGBT需要对其进行保护措施，比如避免正负极接线错误，减低控制电流等。电磁枪强调小尺寸，所以避免使用变压器，除非仅用于实验
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大容量,高耐压,小体积的电解电容器找不到,各位高人有什么好介绍.
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去找相机里面的电容，那可是好东东。一般到电子市场可以有很多选择。
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开关电源的输入滤波电容应该可以，另外，可以找找邮购网站。华田电子好像有。
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不知道还有没人在做电磁枪，有的话，就出来探讨探讨，其实上初中时，我就有做电磁枪的想法了，而且也做过实验，起先用的是50V/10000uF的电容，手动开关，最高射速大概10M/S吧，后来又并几个同样电容进去还是老样，不解，用动能公式E=1/2*m*v2推算5克的子弹飞行40M/S时所需的能量是4J， 再用电容的能量公式（E=1/2*V*C）一算怎么搞的，一个电容才0.25J的能量，那电容不是要并几十个才行，结果就放弃了（都怪自己的基础知识不扎实，把电容的能量公式给漏乘了一个V）；直到前不久，突然又萌生了做电磁枪的念头，到网一查，还真有人在做，这样，动力便来了，五一开始，到昨晚已经能射出40M/S了，用的是4mm*2cm的铁钉。这样才有搞头啊，真是激动人心，我不是用可控硅做的，总觉那样不科学，而是用IGBT，但贵啊，实验时还烧了6，7个。到此已经毫资五六百，没饭吃了，有空再贴点图......
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不用闭环控制的话效率难以提高，MPU可以不用，用小规模集成电路＋模拟电路搭出来，这样可靠性或许会高一些。
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IGBT末级是BJT，容易被电感关断时的高dv/dt击穿，改用mos管可能会好一些，不过还是SCR的抗冲击能力最好。如果能找到SiC的SCR配上高压7.5kV电力电容就更爽了。
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大容量的耐压都比较低，电解最高的耐压我只见到600V，你说的1F的是不是5.5V的绿皮？或是10V的绿皮？
主要是为电脑电源做的滤波电容。现在有10F/20F以上的电容，耐压2.5V。国外有用这种海量电容做汽车动力源的。市面上还未见。
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加个快恢复二极管钳位，IGBT哪会烧，大电流下，不加钳位二极管，MOS管照烧，我是认为MOS管的过流能力太差，正向压降大，而且高压大电流的管子少，所以才不选它的。
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还请安酷兄弟将图纸发上来看看.
在东莞赛格市场找不到体积少,高容量的电容器.普通的400V,300UF的直径就有3.5CM.
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[quote][b]以下是引用[i]sohupusy[/i]在2006-5-13 00:09:25的发言：[/b][BR]还请安酷兄弟将图纸发上来看看.
在东莞赛格市场找不到体积少,高容量的电容器.普通的400V,300UF的直径就有3.5CM.[/quote]
来广州,有450V 1000U的,3.5CM直径,4CM高,不过是日货,实测容量只有800U左右.
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我用的是光偶，虽然慢，有80微秒的延迟，但两对光偶之间间距有4.5cm,弹头到达的时差是1052微秒(我所测的最高记录)，轻松打穿铁罐（花生牛奶的）的一个面，这两天晚上在调程序，没时间拍照片，周六还要上班，累死了~
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厉害,测速器都做出来了....
试试打易拉罐,打其它罐头威力不好估计,易拉罐倒是全国一至的.
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安酷:
有电路图吗传上来让大家看看,你射穿铁罐距离多远?你做的电磁枪体积多大,最好发个图片上来.
[em44]
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安酷兄,你的电路板是用热转印做的吧,很精致呢.
你用的电容电压,容量是多少的?
易拉罐穿底后能不能再穿面?
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我用12个400V/470uF电容并连，本来想充到380V来用，但我只买到300V的大电流IGBT，所以现在只充到210V(E=124J)，发射一次后，还剩140V(E=55J)；今晚修改程序后，最高射速达到48M/S，但还是不能同时穿透上下低面，不过，穿过一面后，还会在另一面打出个凹痕，可能把弹头磨尖后，效果会更好些。
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国外通过在弹丸上刻槽的方法，配合发射管螺旋导向使弹丸旋转达到稳定。另外，我有一个问题，安酷的线圈是什么设备上的
[align=right][color=#000066][此贴子已经被作者于2006-12-06 15:32:24编辑过][/color][/align]
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弹丸的旋转等以后再说，现在的关键是怎样把速度提上去，至于最终的速度能达到多少没必要被外国人限死，看那些国外网站，有几个做法专业的呢？都是千篇一律，甚至有些做法十分之盲目，你说一千安的电流加在二三十扎的线圈上跟一百安的电流加在二三百扎的线圈上所获的得的最终推力差别很大吗？可有些人就是要选择前者；我认为像他们那样用可控硅是不可能把效率再提高多少的，速度也是，除非他们用很多线圈组合起来，不过那么长的东东还叫枪吗？而且速度越大线圈与传感器的间距就得越大（我用单片机控制的原因也在于此，预估各组线圈充电时刻和充电时长都由它完成）；要相信国人的智慧啊！当然有两点我们绝对不如——时间和金钱！
我的线圈是自己绕的，不是什么设备上的，做法很简单：先用CD光盘、5mm笔壳、502胶水做骨架（长3.5cm,两边直径2.5cm），再用直径1毫米的漆包铜线饶八层，每层33扎左右。
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用单片机控制效率的确很高,可以试用更大直径的弹头,速度不会降低很多而动能会提高不少.
安酷你的线圈太长了,线圈长度与弹头一致时磁场的利用率最高,长了就做无用功了.
另安酷你的-----\"你说一千安的电流加在二三十扎的线圈上跟一百安的电流加在二三百扎的线圈上所获的得的最终推力差别很大吗？可有些人就是要选择前者；我认为像他们那样用可控硅是不可能把效率再提高多少的，速度也是，除非他们用很多线圈组合起来，不过那么长的东东还叫枪吗？\"----是不是自相矛盾啊?以字面上和你的实验理解,你选择的是\"一百安的电流加在二三百扎的线圈上\",那么枪的尺寸肯定是要大于\"一千安的电流加在二三十扎的线圈上\"的.
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[quote][b]以下是引用[i]TUNGUSKA[/i]在2006-5-14 16:41:47的发言：[/b][BR]用单片机控制效率的确很高,可以试用更大直径的弹头,速度不会降低很多而动能会提高不少.
安酷你的线圈太长了,线圈长度与弹头一致时磁场的利用率最高,长了就做无用功了.
另安酷你的-----\"你说一千安的电流加在二三十扎的线圈上跟一百安的电流加在二三百扎的线圈上所获的得的最终推力差别很大吗？可有些人就是要选择前者；我认为像他们那样用可控硅是不可能把效率再提高多少的，速度也是，除非他们用很多线圈组合起来，不过那么长的东东还叫枪吗？\"----是不是自相矛盾啊?以字面上和你的实验理解,你选择的是\"一百安的电流加在二三百扎的线圈上\",那么枪的尺寸肯定是要大于\"一千安的电流加在二三十扎的线圈上\"的.[/quote]
今后会适当地增加弹头直径的；我现在的线圈不会太长吧，弹头太短才对，选择短弹头主要是由我的功率管做功时间不能太长所限，之前烧管便是因此；
还有，上面我想说的是：
A.一千安的电流加在二三十扎的线圈上跟一百安的电流加在二三百扎的线圈上所获的得的最终推力差别不大(二三百扎的线圈并不意味着比二三十扎的线圈长，前者可多层绕制啊)，没必要用宰牛刀杀鸡；
B.可控硅是不可能做出高效的电磁枪。
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[quote][b]以下是引用[i]安酷[/i]在2006-5-14 18:53:55的发言：[/b][BR].
今后会适当地增加弹头直径的；我现在的线圈不会太长吧，弹头太短才对，选择短弹头主要是由我的功率管做功时间不能太长所限，之前烧管便是因此；
还有，上面我想说的是：
A.一千安的电流加在二三十扎的线圈上跟一百安的电流加在二三百扎的线圈上所获的得的最终推力差别不大(二三百扎的线圈并不意味着比二三十扎的线圈长，前者可多层绕制啊)，没必要用宰牛刀杀鸡；
B.可控硅是不可能做出高效的电磁枪。[/quote]
A.明白,我以为\"二三十扎\"指的是二三十级.
B.能讲讲可控硅为什么不能高效吗?如果有合理的截断方式,可控硅和IGBT有什么差别?而且可控硅的电流上升率,内阻,抗过载都优于IGBT.
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可控硅有诸多优点没错，但有一个缺点确是致命的：无法开关（过流环境下），也就是说转移到线圈的能量无法回收（做过开关电源的兄台肯定知道），可控硅就算有截断，比如那种“V”型双可控硅截断方式，也只是把线圈上的能量消耗到其他地方去而已；
现在大家做电磁枪用的基本上都是铜线圈，有电阻的，大部分能量都消耗在上面，我的大概阻值是0.5欧，所以，可控硅和其他的可开关元件（如IGBT）综合相比，略占优势。但将来真正的军用电磁枪的线圈电阻肯定是极小的，根本不可能用可控硅。
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不好意思,我还真不知道线圈能量回收是怎么回事,今年才大一,还没学到....
俄佬那个双可控硅电路我认为其主要作用并不是截断,而是起到个准两级的作用,在主电容放电末期再给线圈加上个瞬间高电流,起到增加威力的作用,附带截断主可控硅功能,你认为如何?---不明白的是俄佬为什么不接成共射模式.
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如果不能快速切断可控硅的话,长期通电的线圈会弹丸产生吸力,会出现发射无力,或反射的现象,你可以手动接通试试(试验电压不要太高,否则火花会很大).
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主电源是发射，辅助电源主要是截止可控硅，你没有看到辅助电源的电容器容量比主电源的要少很多吗？
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[quote][b]以下是引用[i]sohupusy[/i]在2006-5-15 16:50:02的发言：[/b][BR]如果不能快速切断可控硅的话,长期通电的线圈会弹丸产生吸力,会出现发射无力,或反射的现象,你可以手动接通试试(试验电压不要太高,否则火花会很大).[/quote]
降低电容量或减少线圈都可解决.
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[quote][b]以下是引用[i]sohupusy[/i]在2006-5-15 17:01:55的发言：[/b][BR]主电源是发射，辅助电源主要是截止可控硅，你没有看到辅助电源的电容器容量比主电源的要少很多吗？[/quote]
辅助电容当然要比主电容小,否则就会倒吸了.
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[quote][b]以下是引用[i]安酷[/i]在2006-5-15 13:46:54的发言：[/b][BR]截断主可控硅是主要目的，“增加威力”是迫不得已的。[/quote]
我认为在单级小型电磁枪中增加威力不会是\"迫不得已\",而是主要目的.
而且以俄佬的电容量与电压看,有没有截断都无所谓,在弹头射出线圈前电流已经不高了.
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主可控硅假如从始至终没有截断，线圈电流曲线是上升很快下降很慢拖泥带水的那种，而不是像抛物线那样集中一块的。
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电流曲线的确是这样,但在弹头出膛时线圈电流已经不大,反吸力对初速的影响较小,可以忽略.
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95楼的朋友可以改用继电器来测试,或将电路改动为可控硅长期导通试试效果如何,再发表一下意见,已制作了的朋友也可以试试,将结果发表一下.
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XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/v_XXXXXXXXXm
建议TUNGUSKA仔细看一看原文件。
继电器和非V型开关（单SCR）用来控制线圈发射效果很差，要求电感量可以迅速达到最大值，以此来使发射效果明显化。这是以更多的瞬态电流为代价，除非资金充足，否则还是建议不要尝试（而且继电器很容易熔化触点报废）。
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[quote][b]以下是引用[i]sohupusy[/i]在2006-5-16 00:17:12的发言：[/b][BR]95楼的朋友可以改用继电器来测试,或将电路改动为可控硅长期导通试试效果如何,再发表一下意见,已制作了的朋友也可以试试,将结果发表一下.[/quote]
继电器不可能,除非打算一次性发射,我试的就是单SCR无截断的,5000U左右的电容约150-170匝的线圈,280V时可以上下穿易拉罐了.
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[quote][b]以下是引用[i]阿丕[/i]在2006-5-16 00:26:55的发言：[/b][BR]XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/v_XXXXXXXXXm
建议TUNGUSKA仔细看一看原文件。
继电器和非V型开关（单SCR）用来控制线圈发射效果很差，要求电感量可以迅速达到最大值，以此来使发射效果明显化。这是以更多的瞬态电流为代价，除非资金充足，否则还是建议不要尝试（而且继电器很容易熔化触点报废）。[/quote]
那个网页我看过了,单SCR不能穿透罐头壳而V型电路可以我认为这正是双SCR的\"准两级\"起到的作用,并不是截断主SCR的作用.
更大的瞬态电流并不会使得成本上升很多,我现在用的是200A平板式SCR,新货单价才25元左右,但体积偏大,过段时间试验10个25A小SCR并联,如果能用体积将减小很多.
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你们的可控硅体积有多大？上个图看看，最好有对比物体。
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