电感采用1.2MM铜线绕30圈
变压器初级 1.0MM铜线 7+7，  次级0.3mm铜线660圈
输出电容选用的是微波炉电容，容量不需要很大，0.3uf，因为只是为了采样电压使用，正在的蓄能电容外界，容量随意。

电路部分采用stc15f104e，两个IO口各输出50%的方波给驱动芯片，需要注意的是其中P3.3开机低信号，需要用同相的驱动芯片，否则开机短路。
初级不需要接谐振电容，调整程序控制输出频率，从低频网上递增，空载电流最小处将代码固定下来，我的变压器的绕法调试了一下，工作在19KHz空载电流20ma（这里的空载是不接外部蓄能电容强制升压工作下的电流，实际上电压充满耗电在2毫安以下）。

外部单片机是前几天做好的线圈模块的控制板，采用1毫秒检测一次蓄能电容电压，发现低于设定值电压1，向stc15f104e P3.5端发送高电平信号，直至蓄能电容高于设定的电压2才转变为低电平，使整个升压板接近不耗电的状态。

外部单片机控制部分源码

BYTE GetZVSADC()
{
    ADC_CONTR = ADC_POWER|ADC_SPEEDLL|ADC_START|7;
    _nop_();
    _nop_();
    _nop_();
    _nop_();
    while(!(ADC_CONTR&ADC_FLAG));
    ADC_CONTR &= ~ADC_FLAG;

    return  ADC_RES;
}
void Init()
{
    P3M1 = 0x00;        //#00000000B
    P3M0 = 0xfe;        //#11111110B

    
    P1M1 = 0x80;        //#10000000B
    P1M0 = 0x7f;        //#01111111B
        
    K1 = 1;
    K2 = 1;
    K3 = 1;
    K4 = 1;
    K5 = 1;
    K6 = 1;
    K7 = 1;
    K8 = 1;
    K9 = 1;
    K10= 1;
    SW = 1;
    SPK= 1;
    ZVS_PWM = 0;
}
void SetAll(int x)
{
    K1 = x;
    K2 = x;
    K3 = x;
    K4 = x;
    K5 = x;
    K6 = x;
    K7 = x;
    K8 = x;
    K9 = x;
    K10= x;
}
void test()
{
   while(1){
           SetAll(0);    
        Delay1us();
        SetAll(1);
        Delay1us();
   }
}

void Working()
{
    //单片机驱动IGBT给线圈放电
   ........
}
main()
{
    Init();
    Beep(30);
    DelayMs(70);
    Beep(30);
    DelayMs(70);
    Beep(30);
    
    //test();
    
    while(1){    
        Delay1ms();
        if ( GetZVSADC() < 200 ){  //100值正好的500V，低于1000V升压电路工作  
            ZVS_PWM = 1;            
                      while(GetZVSADC() < 210) 升压至1050V停止工作
                             Delay1ms();
        }
        else{
            ZVS_PWM = 0;
            if ( SW == 0 )//发射开关
                Working();
        }
            
    }
    

}

升压板源码很简单：



#include <reg51.h>
#include <intrins.h>
#include <stdio.h>

typedef unsigned char BYTE;
typedef unsigned int  WORD;
typedef bit BOOL;  

sfr         P3M1 = 0xb1;    
sfr            P3M0 = 0xb2;    

sbit         K1          = P3^2;  
sbit         K2          = P3^3;    
sbit         LED         = P3^4;
sbit         bWorking     = P3^5;

WORD         count        = 0;

void Delay()        //@11.0592MHz  25us
{
    unsigned char i;

    i = 66;
    while (--i);
}


void Delay50ms()        //@11.0592MHz
{
    unsigned char i, j, k;

    i = 3;
    j = 26;
    k = 223;
    do
    {
        do
        {
            while (--k);
        } while (--j);
    } while (--i);
}


main()
{
    int i;
    
    P3M1 = 0x20;        //#XX100000B
    P3M0 = 0x1f;        //#XX011111B

    K1 = 1;
    K2 = 0;
    LED = 1;
    bWorking = 0;

    if ( !bWorking ){
        for(i=0;i<3;i++){
            Delay50ms();
            LED = 0;
            Delay50ms();
            LED = 1;
        }
    }

    while(1){    
        if ( bWorking ){
            LED = 0;

            K1 = 0;
            Delay();
            K1 = 1;

            K2 = 1;
            Delay();
            K2 = 0;

        }
        else{
            K1 = 1;
            K2 = 0;
            LED = 1;
            Delay();
        }
    }
    

}

一个测试，1秒内升压至1200V

这个单片机不用晶振的吗。。是不是软件设定的那种。。用的多少MHZ？？不过我感觉两个500V电容串联没有1000V耐压，最好低点吧。。我以前两个400V串联700多就炸了，，质量不好说

是4个，另外你那个可能是电容不均压，

试验不要紧的，做成成品不仅仅要均压，这4个电容工作几小时后，各个电压：  230，288，242，253
电容的容值测量倒是一致的，万用表未必精确，但是显示值都在208uf，应该是漏电的不同造成长时间积累电压的不同

是的，充到1000V后胆战心惊啊，过去断电的时候带着护目镜一点点靠近，这电容还比较争气，耐压不是虚标，威力很大，曾经试过只充到300V，然后给220uf的闪光电容充电，结果瞬间将闪光电容的两个引脚都烧断，那个声响堪比大威力的电光炮竹，试想500V爆炸了威力一定更加夸张，而且在深更半夜

长知识了 ，我正在学单片机和电磁场，不过我用的是51能做你的这个电路么？

lz很会作死~

这样用也会有缺陷，因为高压和低压共地，在复杂的强磁环境，和发射后的尖峰杂波，很容易秒掉单片机，而且你这个等于也是用比较器来做检测。建议用431加光耦方案。可以高低压隔离一部分出问题，不会殃及池鱼。

是有隐患，不过高压电容只有0.3uf，破坏力不算太大，蓄能电容部分有隔离的想法远离这个电路。
没有用光耦，是想精确控制电压，下一步采用STC12C5A60S2作为主控，输出电压能精确到每个伏特，这样做的目的是不仅仅玩电磁炮的测试，其他地方也能作为电源

另外单片机烧了就烧了  换一个重写代码，一分钟的事儿[s:274]

那么实用化以后，换一次单片机要多长时间？
那样成千个买芯片会没有光耦？
你要什么样的？我可以送给你。下个月我的另一个模块也要出炉了，实验时买了好多种光耦。不过做电源的话要用线性光耦，控制的比特率低于40K，817足矣胜任，隔离2千付伏不会有问题

那么实用化以后，换一次单片机要多长时间？
那样成千个买芯片会没有光耦？
你要什么样的？我可以送给你。下个月我的另一个模块也要出炉了，实验时买了好多种光耦。不过做电源的话要用线性光耦，控制的比特率低于40K，817足矣胜任，隔离2千付伏不会有问题

PWM不用线性光耦吧

不用了，光耦手里有很多型号，觉得实验没必要复杂化了，如果追求安全，在人机操作电路那块做一个统一隔离，所有和高压有关的封装在高压区

潜伏者的意思是反馈电压部分用线性光耦，PWM一般低速光耦就可以

正在学习单片机过来看看

这个设计相当于单片机实现ZVS吧？很巧妙的设计。

单片机没有你想象的那么脆弱，发射的干扰是瞬间的，基本没啥问题，我单片机几乎是紧挨着线圈装的，间距2厘米都不到，也就驱动可控硅的IO口装了光电，其他没做任何隔离，共地共电源，跑的欢着呢，看门狗都没用

我说的是431加光耦方案，也就是不用单片机。

你用什么电压

300V左右，AD也是直接用电阻分压后接入单片机的

这个帖子很好，很有意思。
还可以加个LED显示，可以做成成品卖了

431加光耦方案缺点整体升压电路消耗在电压检测的能量过多，光耦至少需要毫安级电流驱动，也就是说如果输出1000V，即使1毫安的电流作用在经过功率电阻限流的光耦上，至少也要1W，如果光耦的电流是需要5ma，20ma呢？
单片机的好处是检测电压需要的电流值微乎其微，电阻降压可以采用数十M欧姆以上，消耗能量极小，而高电压够了，单片机无脉冲输出，推动线圈的两个场效应全部关闭，整体升压电路工作在微安级别。

其实可以把单片机升压电路整体看成高压区，所有的所有都是高压区，外围控制开关通过光耦控制就可以了，真正的低压区只有简单几个原件。

刚刚做过实验，两个1000uf500V串联，几秒后输出达到1000V整体电路的电流值维持在10毫安左右（控制板和升压板上光电提示部分整体消耗的电流）
而在1000V输出部分接入10个10M并联的电阻，模拟输出消耗1毫安，整体电路工作在150ma，电流增大了10倍以上，升压电路间歇工作频率由原来的1秒1~2次变为肉眼很难计量频率的持续工作

这做工快工业级别了，赞赞赞

好吧！我尽快画个图

这种可控的升压电路好处就是可以提供一个相对稳定的电压输出，但其实电炮电容充电用个ZVS足够了，电压稳不稳无所谓，AD检测充电到位自动关闭就行了，电路也相对简单多了，而且用单片机控制输出频率也有一定风险，万一程序跑飞可能会出现烧MOS的情况。。。

不想用光电判断每级的位置，所以每级的加速电压需要精确，这样单片机计算开通时间才会准确一些

充电检测用AD做了就已经很精确了啊，我的电炮也是没用光电判断位置，就ZVS+单片机AD充电检测，你这电路的好处就是可以随时控制升压电路的输出电压，而用ZVS的话就定死了，但给电容充电，输出电压是否在控制之内无所谓，只要输出高过电容电压，在电容充满的时候停止充电就行了

不错的制作。论坛里这样动手的人不太多哦。

加上一个旋转编码器，调试的时候很方便的设定不同电压观察加速情况，制作完成的成品可以无极调整弹体速度。
变态点每级加一个高压开关管，设置每级不同的电压。。。（差点就按这样的方式刻电路板了）

我一直很疑惑，这么大电流，你这个电路板吃的消吗？
我0.8的漆包线在洞洞板上布线，硬给烧断过两次。