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SF_FLOWER
基础原理
5年7个月前
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E类功率放大器_MRFE6VP6300H_25MHz的设计过程——SF_FLOWER
本文主要介绍了E类功率放大器的主要特点和以及在利用ADS软件设计的基本流程。在仿真流程中着重介绍了LoadPull和SourcePull两个仿真模板的使用方法。当然文中也详细介绍了在仿真器件遇到的几个坑以及解决过程。在这里要特别感谢科创的长数君，以及极速外卖在前期给予了关键性的指点。 （本文既是总结，也是希望给以后的童鞋们提供一个做E类功放的参考。当然，本人水平有限，在仿真过程中也有很多不太懂的地
4年8个月前· 不好意思哈，最近工作比较忙，没怎么上来，可以有问题可以通过邮箱联系我995888499@XXXXXX
奇侠
基础原理
5年8个月前
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最近踩的两个“坑”分享——运放不供电的时候发生了啥？
硬件设计工作小白一个😐，今天在测试板子的时候发现在原理图设计时踩了几个“坑”。发上来与大家分享一下。简述背景：某个器件需要多路偏压，同时对这几路偏压的上电时序有要求。其中一路电压可变偏压的框架设计如下图所示。大致的思路为电压基准源给数字电位器供电，SPI总线配置数字电位器改变中间抽头的位置以改变其输出电压值，然后使用运放做跟随和滤波，运放输出给器件供电。由于运放没有EN脚，只好选择控制运放的供电
4年3个月前· 我发了一个帖子，分享了一个应用手册里面有讲到这个问题。XXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/t/86036
rpg-7
基础原理
6年1个月前
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立足基础理论，灵活解释您的仿真结果，进行设计与取舍---以基于平方率的单端共源共栅放大器设计为例
现代模拟IC设计中，我们打交道最多的器件莫非MOSFET了，使用什么结构，如何给定MOSFET的参数，就是一个最重要的话题。在现代CMOS工艺中，我们关心最多的参数：MOSFET的宽（W）和长（L）和由这两项参数构成的宽长比（W/L）。而在0.5um及以上的工艺中，平方率方程是可以较为准确的描述MOSFET I-V特性曲线，方程如下：（饱和区，先暂时不考虑沟道长度调制效应）$I_D=\frac12
6年1个月前· Cadence IC 617和 MMSIM 151对，第一张图的两个MOS，上面的PMOS 是共源共栅电流源，下面的NMOS构成共源共栅放大器
ne555
基础原理
9年0个月前
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E类（class E）功放的原理及设计2
不少人第一次听说E类功放都是因为那个class E SSTC，从网上查询却发现资料少的可怜，其原理和设计方法就更无从谈及。下面我就根据书中所写以及自己的理解讲一下。讲之前还需说一下，因为电路分析必须涉及微积分，所以不懂的最好查一下，不需要会解，能明白符号含义和表达式意义就行。E类功放产生的原因D类功放是较早出现的一类开关功放，其出现促进了逆变技术的发展。由于晶体管处于开关状态，理论上可以达到100
2年5个月前· 请问补偿电容Cc如何计算？
ehco
基础原理
12年4个月前
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深入学习高频脉冲变压器的设计2
                                   深入学习高频脉冲变压器GDT的设计但凡真正的KC人，都有不同程度的偏执，对一个问题不摸到根源绝不罢手—ehco    脉冲变压器属于高频变压器的范畴，与普通高频变压器工况有别。脉冲变压器要求输出波形能严格还原输入波形，前后沿陡峭，平顶斜降小。    在众多的制作实践中，随处可见脉冲变压器的身影。例如DRSSTC中的全桥驱动GDT
9年2个月前· 好东西，收了
ltl
基础原理
13年1个月前
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[提问]电容的能量损失问题23
总所周知，电容的能量E=1/2*CU^2那么考虑如下电路:两个相同的电容并联，先断开第二个，给第一个充电，储能E=1/2*CU^2接入第二个电容，则由于电荷总量不变，且每个分到一半的电荷，故电压也变为原来的一半（q=CU，q减半则U减半，且由于并联所以电压相等）这时的储能E'=2*(1/2*C*(U/2)^2)=1/4*CU^2=E/2，那另一半能量呢？？？有的同学说是变成电磁波了，但我觉得不可能
11年4个月前· 请问你家汽车电池充电只充一半会是12伏吗？，充四分之一会是6伏吗？纯电容并起来电压理应是根号2分之一
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