为了加工工艺更简单，我使用如图两种标准件拼接成为线圈骨架

然后就可以开始缠线圈，中途使用502或高温绝缘胶逐层固定，可以很快速的做出一个缠绕紧密的圆柱形线圈，最终在垫片上打孔将线引出，再缠胶带做绝缘和固定保护，完成。

呃这个的数据我是用储能/时间算的功率，没用弹丸动能/效率/时间，那个速度只是一个期望值，没有任何参考价值

刚才用您的办法稍微算了一下，150m/s，效率10%，需要1240w左右，看起来也不小。另外我设想了一种能量回收，应该是可行的，但是大幅增加复杂度

然后问题还是精准的时序难以控制

前期我打算先用续流二极管串电阻，等系统稳定下来再优化效率

我实现打算前期直接R-D续流，回收的话打算以后专门来研究一下。本来能量回收也是提高续航降低单次充电功率这些作用，如果又大幅提高系统复杂度感觉不太值。其实我觉得能量回收这个事最好能直接回收到储能电容组，但是速度又成问题，现在比较可行不显著影响效率的只能是暂存后再变压。

用压敏电阻这办法听起来挺好的，导通前高阻值耗能，过电压后导通。之前一直是0.5欧水泥电阻还没用过这种，如果它的“线性区”足够宽的话应该是一种好方案，不知道连续频繁大电流导通会不会放炮，而且看外形不怎么好固定散热。

要求强弱电隔离...非隔离拓扑不能想了

....整个帖里有14这个数字的指标只有加速级数一个，0楼说了加速管内径6.2mm，哪里有“14mm的内径”...这样做也根本没道理啊

这几天把驱动IGBT的正负压隔离电源设计出来了，参数为in:22v-26v out:+18v 2A、-5v 2A，各路输出峰值电流3A，3842反激拓扑，电路图如下（因为只需要一套所以电路图手绘，用的试验板）

[均为理论设计还未实际测试，电路仅供参考]

近期因为其他的一些事情和临近期末一直没有更新，现在项目继续。

之前制作的驱动电源莫名无法启动，在排查布线和元件后无果，遂查uc3842资料，发现UVLO阈值在16v，而为了驱动MOSFET方便我用12v做芯片供电电压，此电压下uc3842触发UVLO，罢工。于是替换为同类型的3843，阈值约为8v，稍加调试后成功达到指标，在20欧，6欧电阻分别连接在18v，-5v输出时，纹波峰-峰只有60mv左右，电压稳定在17.4v以及-5v。

事实上与坛内的各类作品大小差异不会很大，这里容易造成体积问题的是大功率升压模组，也是目前正在设计实验的，使用两副EE55作为变压器磁芯，开关频率已经达到300kHz，预计可以较大的压缩体积，其余部件均与正常无异。

推挽拓扑，功率大概2、3kW左右，也是稳压恒流的控制环，现在驱动电路大概出来了，变压器比较头疼，准备用铜带绕

驱动电源PCB出厂，制成并调试了一套，经测试性能稳定，纹波稳定在60mv左右，符合设计指标。18v及-5v输出可各承受长时间高负荷（共计75w输出）工作以及至少十秒的输出短路，功率管温度低于60℃。至此驱动电源部分完成。

下一步是电容充电高压电源的研制，由于上文中的各项要求，初步计划使用“推挽正激”拓扑，可以在一个导通周期内同时利用两绕组，并且一定程度上避免了推挽的偏磁硬伤。相关论文已粘贴于下方，苦于反馈环设计相关知识匮乏，若有人有意合作或协助设计可以私信交流。

基于UC3846的推挽正激DC_DC变换器的设计_白志青.pdf 2.47MB PDF 162次下载 预览

谢谢您的建议。不过我的设想是制作一件性能优秀的整机而不只是加速部分，现成能够达到此功率的高效率升压模块我还没有找到，所以想要自己做。而这次实验了“正激推挽式电路”后我的设想是将它的设计流程开源，这样既能达到资源分享的目的，也能够筛除技术水平不足以致无法保证自身安全的盲目尝试人群。

目前我打算加速部分与升压电路并行推进，加速部分的电路已经出图了，还差样机的整体连接测试。

嗯谢谢，现在也是这个想法。

感谢B君推荐。看来我对于反激变换器的印象还停留在上世纪90年代...不知道这个高功率密度方案的器件温度会不会有问题，我会做一下实验。

几位不要急，如果能有详尽的理论计算或模拟数据，我想这是比较有说服力的，如果两位有时间把理论依据甚至实验过程发到这里，验证BCM相对于C/DCM两种的优势（比如磁芯利用率-大概是BCM高、等工作条件下折合铜损铁损的效率...等）的话，我很想对此借鉴学习。我认为我们也正需要这样的学术探讨。

如果各位没有意见的话，我会开一个用于探讨高压电容充电技术的专帖，也算是整合一下相关资料。

最近正在忙另一个项目，很长时间没更新了...前天抽出时间把之前设计的电路搭建出来，在实体上做了一些抗干扰、电磁兼容的改进，修改了一些不合理的设计，现在全部驱动部分（从弹丸遮挡光电管到IGBT栅极电压上升至18v）延迟仅为约450nS，弹丸100m/s经过此段时间位移为十微米级，可以说符合设计要求了。

图为测试电路

IGBT G极波形，中间平台大概为比较器输出线性-饱和转换造成

最近仍然是“在忙另一个项目”，做板子的时候顺手做了一批驱动板，看起来还很漂亮

板子结构不复杂，钢网涂完锡浆，旧烤箱来做回流焊机，效果挺好。

图为带载测试电路

这是整个板子的传输时延，主要测了这个参数，约250nS，驱动波形上升时间图中可见约600nS，与上次相差不大，再加上管子的 T_don，控制在了1μS之内。

其实这批板子是用来测试的，有些小bug需要修复，布局也不是很满意，所以过段时间做一批新的，再加上最近组装好的加速管，可以整机测试了。

另外，因为升压器制作屡次受挫，很大原因是极高的功率和较低的输入电压，导致初级电感奇小，损耗较高，所以暂时放弃直接在25v基础上升压的方案，改换双相boost提高电源轨至80v，再利用LT3751@半桥钳位反激（优点是设计得当，功率FET的V_ds只需略大于甚至等于V_in）将电压进一步升至450v，提高效率，也避免了过大的磁芯体积（虽然boost的几个大电流电感也不小，但是整个系统可以做成细长的外形，插进炮管和腔体的空隙，提高空间利用率，也有利于后期模块化。

新设计的板子到了，由于钢网打算后续定制，先徒手焊了一张测试一下

两张均为IGBT gate测得波形，前者驱动放大后级BJT桥B极电阻为22欧，后者为10欧，而由于减小后依然无抖动和过充，所以取10欧

图为总传输延迟（比较器输出&IGBT_gate）仅400ns

另附一张干净的G极驱动波形

至此，驱动电路部分设计、调试完毕

下一步是外电源系统的完善以及火控系统的设计（可以看到图中板子上预留了许多接口，其中有驱动使能（per stage）和单级报错、重置等接口，为多模式连发等功能扩展做准备）

嗷，这次测试没有用游标来测，主要是数格子。游标调到两侧了，跟波形数据无关，可能有点误导。具体标尺还是最下面M框里的为准，前两张200nS一大格，后面500nS，然后是2mS