引用 三水合番:

引用 iSee:

引用 三水合番:

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当时选用电容的时候基于实验积累数据和600v设计方案的原因直接选用了薄膜电容，没太多考虑电解电容。如果要我现在评估的话可能在电解旁边并接适当的薄膜电容是个好主意，一定程度上可以平衡大容量和低内阻的关系。
“你有没有论证过，电解电容内阻与薄膜电容内阻对于初速度相比的影响有多大？”：没论证过，这是我第一次做电磁炮，我手上现在连一个50v以上的电解都没有。。

貌似用串联电解电容代替这里的薄膜电容对性能并不会有太大影响。
电解电容的内阻x容量，或者说“时间常数”，普遍在100us到30us之间（具体多少视价格以及……运气）。如果楼主运气够好，买到了时间常数30us的电解电容，那么1450uF对应的内阻仅有约20mΩ。对于顶楼提到的546.5A-581.8A的峰值电流，仅会产生11V多点的压降。就算楼主的运气和我一样差，买到了100us的电容，电容内阻上也就是30V多的压降。与600V多的电容电压相比完全可以忽略不计。
而且楼主这个600到700V的电压范围，刚好对应闪光灯电容两个串联的电压。替换起来蛮方便的，而且还不会浪费电压容量。

恩，我是在回莱特的时候说了“只要电压达标、内阻较低的电解电容应该也是可以的”。串联电解的话我比较担心的是一个是需要均压，另一个是电解在高压时漏电也会比较大，如果再加均压电阻的话这么多级、总的又这么大的储能，功率损耗会比较大，估计我手上这么小的ZVS会很吃力，充不上去了。另外现在一级的储能按660v1450uf算要315J以上，要保留些耐压裕量的话330v的电解不够用，400v以上的闪光灯电容容量都不多，搭一级这样的储能估计要400v的8-10个，体积也不算小了，还要考虑温度系数的影响，寿命上更是不用比了，我用的这个标称寿命是大于20万小时。。。

你都把600V的IGBT超到660了，害怕把330V的闪光灯电容超到350嘛
不想超压的话，闪光灯电容还有一个常见的360V