第一张图不行。因为槽路谐振出的电压很高。而且是正弦波。
如果让这个电压直接驱动MOS就会让Cis直接承担Vm/2的驱动电压。很容易导致击穿。
而且正弦波会让开关线性区加大。发热也会增加。
第二张图是完全可以的。最好取较大耦合度。
通过调节谐振电容，就能够实现对SSTC的调谐。一般用的方法是计算大致数值，然后用可调电容并接调谐。
或者是调节初级线圈电感量。
高阶玩法之第二张图的优化：
由于电感的存在。初级槽路电容的取值会很小。较大的槽路阻抗导致输入功率也不大。
所以可以将磁芯电感去掉。以两只RFC电感取代接在源极上。由两个MOS的源极连接初级线圈。
这样输入功率会大大增加。可以实现DR的效果。
不过此时可能要加入中断了。不然电流有可能发生很大振升而炸管。
如果让这个电压直接驱动MOS就会让Cis直接承担Vm/2的驱动电压。很容易导致击穿。
而且正弦波会让开关线性区加大。发热也会增加。
第二张图是完全可以的。最好取较大耦合度。
通过调节谐振电容，就能够实现对SSTC的调谐。一般用的方法是计算大致数值，然后用可调电容并接调谐。
或者是调节初级线圈电感量。
高阶玩法之第二张图的优化：
由于电感的存在。初级槽路电容的取值会很小。较大的槽路阻抗导致输入功率也不大。
所以可以将磁芯电感去掉。以两只RFC电感取代接在源极上。由两个MOS的源极连接初级线圈。
这样输入功率会大大增加。可以实现DR的效果。
不过此时可能要加入中断了。不然电流有可能发生很大振升而炸管。
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