引用第2楼sd196821于2012-09-13 22:41发表的 :
对于B点,我认为这其实是为了调试方便(毕竟不是每个人的设备都那么齐全)调两个多圈电阻确实比一个麻烦,于是只好牺牲性能来省事。
固定P11的电阻（它是限制上限频率的）调P12即可！也是一个电位器！
50546
%7B%22isLastPage%22%3Atrue%2C%22notes%22%3A%5B%5D%2C%22pid%22%3A%22t50546%22%2C%22tid%22%3A%2250546%22%2C%22mainForumsId%22%3A%5B%2237%22%5D%2C%22categoriesId%22%3A%5B%2249%22%5D%2C%22tcId%22%3A%5B%5D%7D
%7B%22isEditMode%22%3Afalse%7D
我对大家一至跟风仿制的PLL特斯拉的一点看法。
有人说真正的KCER都有点偏执......
其实论坛流行的好多图我觉得都有点毛病，当然设计者不是有心的，可能是一时疏忽（谁没有出错的时候）但大家不加思考就跟风下去了。不过一些小错误有时是不伤大雅的，所以不提它也罢了。
我不玩特死拉，但最近做点东西与它类似。我想把全桥推到"兆“级别的频率工作，无奈自己才疏学浅，心里没低。所以专向研究一下E类放大器。（E类放大器也不简单）
于是在论坛搜索了一下。得到了以下两副图。（即是PLL,又是E类放大器）
见于我个人的知识，我对图中几点的用法不认同，虽然这些错误不伤大雅，电路可以工作，但我认为对性能产生了影响。
1.首先两幅图大同小意，只是细节略有差别，先说A点。两幅图都用的是PLL的1号相位比较器，那么A点这么用就不太好了。1号相位比较器为异或门，本来锁相范围就很窄，在两个比较信号相位差90度时的锁相范围最宽，而照图中的用法相位无差别，所以锁相范围就更窄了。这就是我看好多贴子中说它的锁相能力不行，殊不知是用法不对。
2.我对B点这样调频率觉得很不好。为什么不去调充电电阻(也就是P11,P12的电阻），而调VCO的输入电压？因为压控振荡器的输入电压和低通滤波器的输出相联，这个在锁相时是很重要的。如图中这样用，会不会造成相移？？
3.C点的错误就有点可笑了，这个明明是CLASS E SSTC ，但其中有个图居然没了谐振电容.........这如何让它工作在E类模式？？？？而且没有的这个图好像是太家仿制的比较多的，好多人抱怨FETMOS爆热........殊不知.......无语了......
![139_15187_82e23f6ee5fe18b.jpg]()
![139_30803_86f558e5997b08e.jpg]()
以上纯个人关点，个人能力有限，如有错误欢迎指出。如果这过几天有时间就要针对上面的3点错误修改一下。到时会发贴回报。
其实论坛流行的好多图我觉得都有点毛病，当然设计者不是有心的，可能是一时疏忽（谁没有出错的时候）但大家不加思考就跟风下去了。不过一些小错误有时是不伤大雅的，所以不提它也罢了。
我不玩特死拉，但最近做点东西与它类似。我想把全桥推到"兆“级别的频率工作，无奈自己才疏学浅，心里没低。所以专向研究一下E类放大器。（E类放大器也不简单）
于是在论坛搜索了一下。得到了以下两副图。（即是PLL,又是E类放大器）
见于我个人的知识，我对图中几点的用法不认同，虽然这些错误不伤大雅，电路可以工作，但我认为对性能产生了影响。
1.首先两幅图大同小意，只是细节略有差别，先说A点。两幅图都用的是PLL的1号相位比较器，那么A点这么用就不太好了。1号相位比较器为异或门，本来锁相范围就很窄，在两个比较信号相位差90度时的锁相范围最宽，而照图中的用法相位无差别，所以锁相范围就更窄了。这就是我看好多贴子中说它的锁相能力不行，殊不知是用法不对。
2.我对B点这样调频率觉得很不好。为什么不去调充电电阻(也就是P11,P12的电阻），而调VCO的输入电压？因为压控振荡器的输入电压和低通滤波器的输出相联，这个在锁相时是很重要的。如图中这样用，会不会造成相移？？
3.C点的错误就有点可笑了，这个明明是CLASS E SSTC ，但其中有个图居然没了谐振电容.........这如何让它工作在E类模式？？？？而且没有的这个图好像是太家仿制的比较多的，好多人抱怨FETMOS爆热........殊不知.......无语了......
以上纯个人关点，个人能力有限，如有错误欢迎指出。如果这过几天有时间就要针对上面的3点错误修改一下。到时会发贴回报。
固定P11的电阻（它是限制上限频率的）调P12即可！也是一个电位器！
引用
说说这三点对性能的影响：
1。A点 表现为工作不稳定，比如用手或者其他物品靠近线圈时失锁。或者挪动线圈位置失锁。
2。B点 表现为谐振调节麻烦，可能需要很费事的仔细调整才能谐振。
3。C点 效率底，FETMOS发热严重！
1。A点 表现为工作不稳定，比如用手或者其他物品靠近线圈时失锁。或者挪动线圈位置失锁。
2。B点 表现为谐振调节麻烦，可能需要很费事的仔细调整才能谐振。
3。C点 效率底，FETMOS发热严重！
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
引用第1楼摩比于2012-09-13 22:28发表的 :
对于电学知识不高的我……
可能要到大学才能发现这些浅显的道理……
新手的我们一味的仿照网上所谓的样图……
难道尼古拉。特斯拉的这个宝贝真的就这么给你看么？
我突然想起了达芬奇的画……
.......
说的很深奥哦！
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
引用第6楼奇侠于2012-09-13 23:37发表的 :
C处下面的10nF 2KV怎么回事呢？单纯保护管子？
我认为这个电容是尖峰吸收电容，两个图对下挺明显，我对E类也不是研究很深，我之前写过一片NE555追频的帖子，当时我还不知道E类功放这种东西，还说自己做的是单管ZVS，后经一些高人提醒才知道那是E类工作模式。这也算是和E类的为一一次亲密接触！
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
引用第7楼ehco于2012-09-14 00:39发表的 :
一点不同的看法
A点：没做过TC，不知道顶端与次级是什么等效，如果是串联谐振等效的话，天线接收到的是电容开放电场，感生出的电压在串联谐振时正好与驱动电压成90°相位差，恰好符合PDI的工作要求。
B点：因为这个电路没有扫频功能，因此设计了一个初始VCO电压与鉴相器输出电压求和，上电初期，能使频率基本恒定在小范围内，而工作正常后，因为两个100K电阻的求和功能，只有变化量起作用。
C点：E类谐振功放，电感两端的电容，不论是接地或接电源，高频等效下都是一样的，这点在通信功放常见。
没做过TC，以上为臆造，不对请拍。
经你这么一说，有些问题我得重新思考一下了。
顺便请教一下，E类能通过占空比调功吗？会不会破坏工作状态？（与本贴无关，题外话）
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
Re:回 8楼(坚持and突破) 的帖子
引用第9楼ehco于2012-09-14 00:52发表的 回 8楼(坚持and突破) 的帖子 :
额 这不是尖峰吸收的哦 是谐振电容哦
![12kqh0c50-d1e.jpg]()
原来是这样啊！
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。
经过EHCO的分析，我发现我看问题还是肤浅了，所以我对自己第2,3点的观点我有所改观。对于第1点希望大家继续讨论，看看到底是不是等效串联谐振，相位差正好是90度。
如果不是，我希望通过用锁相更宽的PD2加上频率扫描电路改进一下电路。
如果不是，我希望通过用锁相更宽的PD2加上频率扫描电路改进一下电路。
引用
加载评论中，请稍候...
200字以内，仅用于支线交流，主线讨论请采用回复功能。