太忙，下个月有空再搞。IGBT我是不碰了，电路太复杂，可靠性差；可惜了我写那么长的程序。又有新思路，先做一些基本的测试，继续搞紧密多级。
之前计划做一个简单的测速电路，20脚单片机,10个LED按照算珠方式最多显示99M/S。
之前计划做一个简单的测速电路，20脚单片机,10个LED按照算珠方式最多显示99M/S。
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单级、高效、40M/S。（纸上谈兵之一）
很久没有时间搞制作了，近来又见海量电容、巨型平板硅以及IGBT即将沦为炮灰，不忍各位伤神耗时烧银子，发表几点意见：
一、假设线圈长度为4CM,发射速度为40M/S，经过半个线圈的时间约为1MS，电容和线圈组成的LC震荡电路的半周期应该也在1MS左右。
线圈300-400圈，电容300-500UF基本满足需要，加电容则减线圈，加线圈则减电容加电压。海量电容或能稍微增加速度，随之而来的是效率暴减。
二、假设无能量损失，线圈储能为0.5*L*I*I,即使采用1000V的发射电压，电流峰值也一般不会超过100A，平板硅可以用但不必过大。
三、多级发射速度超过80M/S时，子弹穿过线圈的时间小于0.3MS，LC电路匹配大约是100圈线圈加100UF电容，如果无关断三级以上加速根本无意义。
四、IGBT使用相当苛刻，不是加速器的最佳选择，非专业级玩家建议忽略之。或有不足之处欢迎拍砖，电容关断式、行波式、气体放电管触发、自恢复保险丝关断、紧密多级都曾细致分析，可操作性也均超过IGBT方式。
一、假设线圈长度为4CM,发射速度为40M/S，经过半个线圈的时间约为1MS，电容和线圈组成的LC震荡电路的半周期应该也在1MS左右。
线圈300-400圈，电容300-500UF基本满足需要，加电容则减线圈，加线圈则减电容加电压。海量电容或能稍微增加速度，随之而来的是效率暴减。
二、假设无能量损失，线圈储能为0.5*L*I*I,即使采用1000V的发射电压，电流峰值也一般不会超过100A，平板硅可以用但不必过大。
三、多级发射速度超过80M/S时，子弹穿过线圈的时间小于0.3MS，LC电路匹配大约是100圈线圈加100UF电容，如果无关断三级以上加速根本无意义。
四、IGBT使用相当苛刻，不是加速器的最佳选择，非专业级玩家建议忽略之。或有不足之处欢迎拍砖，电容关断式、行波式、气体放电管触发、自恢复保险丝关断、紧密多级都曾细致分析，可操作性也均超过IGBT方式。
请等我的纸上谈兵之二，相信有惊喜，突破性的理论。
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