SCR磁阻电磁发射器基本系统组成： 1.电源系统 2.检测控制系统 3.放大驱动系统 4.高压功率系统 5.保护系统 还有一个不是必须的，但是以后会试验，即能量回收系统，此系统应该能提高能量利用率。

1.电源系统： 电源系统用来提供发射器所需的全部能源，总功率一般为几十瓦，太小则电容充电太慢，功率过大则电池可能无法承受或体积太大，输入电池供电电压一般为10~15V，太低则电流过大，效率低，太高电池数量过多，体积大。电源最少有两组输出，一组为高压输出，供高压储能电容充电，电压200~800V（看具体情况），一组为稳定的低压输出，供控制和放大驱动系统使用。高压输出由低压直流逆变得到，占全部消耗功率的绝大部分，常用的有非隔离BOOST回扫升压器，隔离回扫升压器（反激式变压器），推挽式升压器等（为减小体积，提高效率，一般都用高频他激），输出无须精确稳压，电压可有10V的波动。 低压输出一般电流较小，可直接将电池输出用线性稳压块稳压，这样稳定度高。

2.检测控制系统： 检测控制系统用来检测弹丸的位置，发出控制信号，达到控制弹丸中点断电的作用，有两种检测方案，一种是俄佬的磁感线圈检测（老贴里有原理介绍），还有一种是用光电二极管检测（光电三极管响应时间太长，不能用），信号经电压比较器（一般用LM339）或单片机处理后输出给放大驱动系统。

3.放大驱动系统： 由检测控制系统输出的控制信号电流很小，只有几毫安，而且波形也不能达到驱动功率半导体器件的要求，放大驱动系统主要是对信号进行放大，整形和隔离高低压部分以保证安全，由于瞬间驱动电流较大（几百毫安~1安），这部分一般由分立半导体器件构成，常用S8050，S8550这对互补对管，还常用到RC积分微分电路作波形整形。

4.高压功率系统： 高压功率系统由高压储能电容，功率半导体开关，发射线圈组成，功率半导体开关由两个SCR和若干二极管等组成十分经典的双管“V”型开关，当主储能电容充电完成后，按动发射按钮，触发主SCR导通，主储能电容通过发射线圈放电，电能转换为磁能，发射弹丸，当其运动到弹丸中点和线圈中点重合时，弹丸前端遮断红外发光-光电二极对管的光线，产生触发信号，此信号经检测控制和放大驱动系统处理后触发关断SCR导通，关断储能电容通过关断SCR和主SCR反向放电，强制主SCR关断，此时发射线圈磁场减弱消失，弹丸依靠惯性继续前进，正是这种强制关断避免了弹丸又被磁场拉回。

5.保护系统： 完善的保护系统是电子设计所必须的，通常没有专门的保护系统，而是分散在各系统中，如电源系统应该设置电池超压，欠压，过流保护系统，这通常可以由窗口比较器或迟滞比较器完成，简易的用稳压管配合几个元件都可以；检测控制系统要有良好的抗干扰措施，一般是在各级加多级LC滤波和RC退偶，调整好触发阈值，连接红外发光管光电二极管的线路上串磁珠，套磁环，在多级加速系统中，抵抗干扰的能力往往是关键所在；放大驱动系统的保护主要是防止电压，电流尖峰，这些可以通过合理设置吸收电容，钳位二极管，TVS等吸收掉，因为放大驱动系统跨接在低压弱电和高压强电系统之中，要有良好的隔离以保证安全，低压侧和高压侧之间一般用脉冲变压器，这样既有良好隔离，又能保证触发脉冲的良好传输，而且时延还很小，不太推荐用光偶，传输时延较长还要单独设置隔离电源（对IGBT等压控器件另当别论）；高压功率系统主要是保护SCR，SCR控制极可以用钳位二极管保护，在主SCR强制关断时，发射线圈会产生很高的反峰脉冲电压，要用吸收电路吸收，否则SCR必炸，但是这里不能用钳位二极管，如果使用钳位二极管，线圈中电流会出现很长拖尾，磁场缓慢消失，会影响弹丸速度，这里只能用合适的TVS，压敏电阻，RCD等吸收，注意单用TVS是不行的，反峰脉冲能量很大，若单用TVS会直接炸管，必须配合压敏电阻等使用。