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首先声明一下，我不是高手，原以为大家都知道原理的，所以之前帖子没提到。这里粗略分析一下，抛砖引玉而已，没有验证，期待有更准确的论述出现。不当之处敬请斧正！
1. 上电瞬间，电源电压流经R1，R2，经过ZD1，ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1，MOS2的GS极，因此两个MOS管同时开通。
2. 因为元件参数的离散性（例如：MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等），导致两管DS电流在上电瞬间就不相同。假设下方的MOS管MOS2流过的电流稍大。即IL3>IL2。因为L2，L3是在同一磁芯上绕制，本身存在磁耦合，所以，对磁芯的励磁电流为IL2，IL3之和。之前提到IL3>IL2，而且从抽头看去，IL2，IL3的电流方向相反，所以对磁芯的励磁电流为Ip1=IL3-IL2。这样就可以等效为仅有L3线圈产生励磁作用（有一部分抵消掉L2的励磁）。明白这点以后，继续往下分析。
![A.jpg]()
3. 见图1，在上电瞬间，L2，L3中的等效励磁电流Ip1用红色线条表示，因为具有相同的磁路，Ip1将在L2上产生一个互感电流，图中用蓝色线条表示，L2+L3与C1构成并联谐振，这个互感电流的方向同IL2相反，如此正反馈造成的结果是IL2越来越小，最终可单纯看做只有L3参与励磁。
4. 与此同时，B点电压升高，D1截止，C点电压保持12V,MOS2继续保持开通。因为MOS2开通时VDS很小，A点近似接地，D2导通，将D点电位强行拉低至0.7V左右，MOS1失去VGS而截止。
5. 随着时间推移，L3对磁芯的励磁最终达到磁饱和，大家注意，此时蓝色线条的电流因磁芯饱和失去互感刚好减到0，MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻，瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上，使A点电位瞬间升高，D2截止，D点电位恢复至12V，MOS1获得VGS而导通（在VDS=0的情况下导通，故称ZVS）。继而B点近似接地，C点电压降到0.7V，MOS2截止，MOS1保持导通。当L2励磁达到饱和时电路状态再次发生翻转，重复第4过程。
6. 整个过程中，翻转的时间由谐振电容C1的容量和L2+L3共同决定，因为有C1构成谐振，初级电压波形呈完美正弦波，谐波分量大大减小，漏感的影响不复存在，因此变比等于匝比。L1为扼流电感，利用电感电流的不可突变特性，保证磁饱和瞬间MOS管的DS极不会流过巨大浪涌而损坏。这也是为什么不接此电感或者感量太小时，电路空载电流会增大，而且MOS管发热严重的原因。
因为利用了磁饱和原理，所以在磁芯工作在滞回线1,3象限的饱和临界点之间，磁芯的储能作用得以最大发挥，传递功率相当大。
中文的电路如下
![原理图.jpg]()
1. 上电瞬间，电源电压流经R1，R2，经过ZD1，ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1，MOS2的GS极，因此两个MOS管同时开通。
2. 因为元件参数的离散性（例如：MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等），导致两管DS电流在上电瞬间就不相同。假设下方的MOS管MOS2流过的电流稍大。即IL3>IL2。因为L2，L3是在同一磁芯上绕制，本身存在磁耦合，所以，对磁芯的励磁电流为IL2，IL3之和。之前提到IL3>IL2，而且从抽头看去，IL2，IL3的电流方向相反，所以对磁芯的励磁电流为Ip1=IL3-IL2。这样就可以等效为仅有L3线圈产生励磁作用（有一部分抵消掉L2的励磁）。明白这点以后，继续往下分析。
3. 见图1，在上电瞬间，L2，L3中的等效励磁电流Ip1用红色线条表示，因为具有相同的磁路，Ip1将在L2上产生一个互感电流，图中用蓝色线条表示，L2+L3与C1构成并联谐振，这个互感电流的方向同IL2相反，如此正反馈造成的结果是IL2越来越小，最终可单纯看做只有L3参与励磁。
4. 与此同时，B点电压升高，D1截止，C点电压保持12V,MOS2继续保持开通。因为MOS2开通时VDS很小，A点近似接地，D2导通，将D点电位强行拉低至0.7V左右，MOS1失去VGS而截止。
5. 随着时间推移，L3对磁芯的励磁最终达到磁饱和，大家注意，此时蓝色线条的电流因磁芯饱和失去互感刚好减到0，MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻，瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上，使A点电位瞬间升高，D2截止，D点电位恢复至12V，MOS1获得VGS而导通（在VDS=0的情况下导通，故称ZVS）。继而B点近似接地，C点电压降到0.7V，MOS2截止，MOS1保持导通。当L2励磁达到饱和时电路状态再次发生翻转，重复第4过程。
6. 整个过程中，翻转的时间由谐振电容C1的容量和L2+L3共同决定，因为有C1构成谐振，初级电压波形呈完美正弦波，谐波分量大大减小，漏感的影响不复存在，因此变比等于匝比。L1为扼流电感，利用电感电流的不可突变特性，保证磁饱和瞬间MOS管的DS极不会流过巨大浪涌而损坏。这也是为什么不接此电感或者感量太小时，电路空载电流会增大，而且MOS管发热严重的原因。
因为利用了磁饱和原理，所以在磁芯工作在滞回线1,3象限的饱和临界点之间，磁芯的储能作用得以最大发挥，传递功率相当大。
中文的电路如下
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引用楼主cjc105808553于2010-12-14 11:11发表的 关于经典ZVS原理！高手解答 :
找了许久帖子，都没人讲原理的，由于反馈使得一个管子导通，另一个管子截止后，然后他们的状态怎么互换呢？我看会一直保持下去啊?
(ˇˍˇ） 想基于此zvs用 高频开关三极管 做个小功率电池升压的东东，点串联的大功率LED 来着。
嘿嘿[s:92]
你忽略了磁芯的饱和以及两个快恢复二极管起到的互锁作用。
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我也发现那个交叉相接的快恢复二极管设计的很巧妙~
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用三极管这类电流驱动型的器件估计悬，原理上就可看出来。
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三极管只能采用PWM IC or 移相电路来实现零开关？
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了解了，关键利用场管的导通电阻上电压的提升来使二极管关断，使之互换的，如果场管的导通电阻为0，这个电路就废了。
我用三极管照此模式做了一个，不行，难道是导通后的三极管压降固定，永远不可能使那个二极管阴极电位达到0.7v，也就不可能使两管工作状态互换了？
我用三极管照此模式做了一个，不行，难道是导通后的三极管压降固定，永远不可能使那个二极管阴极电位达到0.7v，也就不可能使两管工作状态互换了？
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[s:250][s:243][s:92]刚才突然找到茬……XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX/XXXXXXXXXXXXXp?tid=81&pid=185
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我跟他要过QQ。。。问题是他就是不说。。。
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QQ:
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引用第11楼ehco于2010-12-15 01:07发表的 :
QQ:
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莫尔斯电码？哦，我记下了。
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回 2楼(ehco) 的帖子
我想说一下，C1并不是所谓的谐振电容,他起到了吸收因为推挽电路中变压器导致的尖峰作用，由于这个是自激发电路，改变C1确实会引起频率变化，同样这个ZVS 负载变化也会引起频率变化，很多朋友就错误的认为C1是谐振电容，它的作用其实很简单，防止尖峰造成MOS 不必要的损耗，或保护。
而电路实现ZVS 真正起了重要作用的是L1(PFC)
而电路实现ZVS 真正起了重要作用的是L1(PFC)
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Re:回 2楼(ehco) 的帖子
引用第13楼joyeep于2010-12-15 10:39发表的 回 2楼(ehco) 的帖子 :
我想说一下，C1并不是所谓的谐振电容，而电路实现ZVS 真正起了重要作用的是L1(PFC)
请详细阐述一下，大家也好学习学习。谢谢了！
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用三极管更简单，普通推挽电路电源串电感、变压器并电容，以前的液晶高压条都是这个电路
引用第6楼ehco于2010-12-14 19:42发表的 :
用三极管这类电流驱动型的器件估计悬，原理上就可看出来。
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Re:回 2楼(ehco) 的帖子
引用第13楼joyeep于2010-12-15 10:39发表的 回 2楼(ehco) 的帖子 :
我想说一下，C1并不是所谓的谐振电容,他起到了吸收因为推挽电路中变压器导致的尖峰作用，由于这个是自激发电路，改变C1确实会引起频率变化，同样这个ZVS 负载变化也会引起频率变化，很多朋友就错误的认为C1是谐振电容，它的作用其实很简单，防止尖峰造成MOS 不必要的损耗，或保护。
而电路实现ZVS 真正起了重要作用的是L1
并电容是做无功功率补偿的，使负载在开关模式下趋近阻性，否则，电感电流没那么容易被关断，如果强关会产生较高的感生电动势：之前我做的一个555高压包没加这个可以工作，但是噪声什么的挺大，在示波器下看mos管的D电压在关断时有很尖的峰；由于没有电感表，我尝试着并电容看波形，渐渐可以改变D脚电压，直至变为正弦半波。可以发现在这点上joyeep没错。
在ZVS电路里面，电路起振必然有一个固有频率，看电路除了这个C1以外没有什么能与电感组成一个谐振回路了，所以说ehco在这点上也没错，简单分析一下线圈向磁芯输出能量的过程中，电容此时正在从左边回路吸收能量；反之，线圈储存能量的过程中电容释放能量。这一个过程正好是谐振，所以说电容参与谐振是完全有道理的。
大家一起讨论！
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回 2楼(ehco) 的帖子
EHCO分析的已经很详细了，我想略微的补充一点点，就是：C点电压是受B点在不断变化的，在R2、D1、L2构成的回路中可以看出来，C点电压始终比B点高一个结电压（0.7V-1.4V），也就是说，在如ehco所假设L3先有励磁的情况下，L2仅仅能在B产生一个感应电动势，则B点电压就随着磁路磁通变化率的增加而增加，磁通的变化率是与电流同步的，在上面一个线圈感应产生的感应电动势E=L△Φ，说简单一点当下面线圈电流达到最大的时候上面线圈的电动势最小，当下面线圈电流逐渐减小，上面线圈产生的感应电动势逐渐增大，由于其一端是接VCC的，B点电压逐渐减小，C点电压也逐渐减小，减小到一定值时刚好可以关断下面的MOS管；与之对应的，在刚刚的过程中A点的电压对应B点的减小其在增加，D点电压也逐渐增加，达到某一值时导通上面的mos管。
至于这个电路怎样规避两管直通这个问题的暂时还没分析出来。大家可以继续讨论一下
至少在这里可以总结出一点，ZVS电路是使用半区内不工作的原边线圈作为脉冲线圈的，那么产生的电动势必然与电源电压接近，那么途中的TVS电路决不能缺省。
在此向ehco的原创精神表示感谢！
至于这个电路怎样规避两管直通这个问题的暂时还没分析出来。大家可以继续讨论一下
至少在这里可以总结出一点，ZVS电路是使用半区内不工作的原边线圈作为脉冲线圈的，那么产生的电动势必然与电源电压接近，那么途中的TVS电路决不能缺省。
在此向ehco的原创精神表示感谢！
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谢谢楼上各位精彩分析，坛子里高手云集啊，自感惭愧！
综合以上对这个电路的分析，总觉得还不完善，详细。期待更精彩的论述出现！
学电子就得刨根问底，才会有本质的进步。
综合以上对这个电路的分析，总觉得还不完善，详细。期待更精彩的论述出现！
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若这个电容是谐振电容，那么，电路的谐振频率必然是LC 并联谐振频率。
那么，可以做个实验，用变压器初级电感和C 计算一个谐振频率，然后看实际中频率是否一致。
![11111111.jpg]()
看图中，我标出了线圈工作的时候电源供给点极性，
变压器中间抽头是引出，在任意时候，只有抽头 - 和 其中一个+ 在工作，另一半的MOS 关闭，而另外一个-和+的电动势相反
把电动势看成是矢量，那么相加后取模就有 U >= 0，
U是变压器 “+ +” 端的电动势，由于功率管硬关断，或负载或变压器存在漏磁，这个尖峰电压会很高，所以需要放C 来吸收尖峰。实际理论没有漏磁存在情况下，占空比在50%下，这个U是 = 0 的。
这其实是一个看起来很想LC 并联谐振，实际上却根本不是的电路，仔细研究变压器同名端就可以发现。
那么，可以做个实验，用变压器初级电感和C 计算一个谐振频率，然后看实际中频率是否一致。
看图中，我标出了线圈工作的时候电源供给点极性，
变压器中间抽头是引出，在任意时候，只有抽头 - 和 其中一个+ 在工作，另一半的MOS 关闭，而另外一个-和+的电动势相反
把电动势看成是矢量，那么相加后取模就有 U >= 0，
U是变压器 “+ +” 端的电动势，由于功率管硬关断，或负载或变压器存在漏磁，这个尖峰电压会很高，所以需要放C 来吸收尖峰。实际理论没有漏磁存在情况下，占空比在50%下，这个U是 = 0 的。
这其实是一个看起来很想LC 并联谐振，实际上却根本不是的电路，仔细研究变压器同名端就可以发现。
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模仿此原理做的三极管全桥自激，三极管工作在开关模式，104处接上电容就能工作，高频变压器工作在音频，传递效率不高啊，不给力了，锂电供电
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上个三极管ZVS做高压条的教程，航嘉的
注意文中有一个笔误，NPN三极管写成了PNP三极管，图是对的
输入端的二极管是搭配前级PWM调光电路用的，可以不要。
注意文中有一个笔误，NPN三极管写成了PNP三极管，图是对的
输入端的二极管是搭配前级PWM调光电路用的，可以不要。
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引用第23楼拔刀斋于2010-12-23 12:57发表的 :
上个三极管ZVS做高压条的教程，航嘉的
注意文中有一个笔误，NPN三极管写成了PNP三极管，图是对的
输入端的二极管是搭配前级PWM调光电路用的，可以不要。
这个电路也不错，就是多一个反馈绕组，反馈绕组的感生电动势只由磁通变化率决定。所以翻转也很容易分析。
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谢谢各位高手的帮助，早知道这里有就不会浪费之前的时间了。[s:261][s:261][s:261][s:261][s:261][s:261][s:261]
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众高手聚集啊...看的我这个新手党压力山大啊...
受教了...
这是个好贴，应该顶上去...
建议该帖内容整理以后收纳进论坛的电子书刊...
受教了...
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学习了，我的刚刚做了个ｚｖｓ，ｉｒｆ５４０、1ｕｆ250Ｖ、Ｌ１＝68ｕＨ，14“黑白电视机行输出变压器，初级5+5，次级几百圈，输出大概是800Ｖ，中午在办公室没有大功率电源，用12Ｖ1.25Ａ电源，可以拉出3ｍｍ左右电弧，不过很快就灭了。空载电流600ｍａ，工作一会后铁氧体磁芯发烫，ｍｏｓ管没有温升。
我的电路中，470欧2Ｗ我用1ｋ 1/8Ｗ代换，另在电源输入端加了个16Ｖ2200ｕｆ电容，磁芯没有留间隙。
我的电路中，470欧2Ｗ我用1ｋ 1/8Ｗ代换，另在电源输入端加了个16Ｖ2200ｕｆ电容，磁芯没有留间隙。
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我做的电源空载时电流2.3A左右，这是什么原因呀？高频变压器是EC42W，5+5圈，1mm直径漆包线，谐振电容0.47uF，电感用1mm直径漆包线在30mm直径磁环上绕8圈，IRFP640芯片，什么原因呀？
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实际上，这个电容对后继的能量输出影响很大。不信可以换个容量试试。
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引用第11楼ehco于2010-12-15 01:07发表的 :
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牛 这个都能被你 想到
另外 我真的没看出 这个电路 能ZVS 恕我这15年的电源白搞了
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回 2楼(ehco) 的帖子
很多 做电源的 一直迷恋于 ZCS ZVS
其实谁能把 MOS的米勒电容里的电 在下个周期前 抽干硬开关的效率 也不会差到哪里
一般的工程师 都认为 米勒电容 效应是无法克服的，其实很容易
涉及公司专利 就调调大家胃口吧 别骂我[s:227]
其实谁能把 MOS的米勒电容里的电 在下个周期前 抽干硬开关的效率 也不会差到哪里
一般的工程师 都认为 米勒电容 效应是无法克服的，其实很容易
涉及公司专利 就调调大家胃口吧 别骂我[s:227]
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最近在分析这个电路，这个电路是正激还是反激，我觉得这个是分析这个电路的基本问题，这个搞不懂，也就不用往下分析了，开始我也是一直以为是推挽，但是电路的图片上明明写的是flyback，是反激的意思
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回 11楼(ehco) 的帖子
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翻译出来是275303901？？？？
翻译出来是275303901？？？？
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不过还没有吸收啊[s:273][s:273][s:273][s:273][s:222][s:222][s:222][s:226][s:226][s:226]
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还没吸收啊[s:273][s:273][s:273][s:226][s:226][s:226]
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去年这个时候曾经到过这里,那时还没注册,因别的原因后来没DIY了,现在回来标个记,慢慢学习
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