首先声明一下，我不是高手，原以为大家都知道原理的，所以之前帖子没提到。这里粗略分析一下，抛砖引玉而已，没有验证，期待有更准确的论述出现。不当之处敬请斧正！

1.    上电瞬间，电源电压流经R1，R2，经过ZD1，ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1，MOS2的GS极，因此两个MOS管同时开通。
2.    因为元件参数的离散性（例如：MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等），导致两管DS电流在上电瞬间就不相同。假设下方的MOS管MOS2流过的电流稍大。即IL3>IL2。因为L2，L3是在同一磁芯上绕制，本身存在磁耦合，所以，对磁芯的励磁电流为IL2，IL3之和。之前提到IL3>IL2，而且从抽头看去，IL2，IL3的电流方向相反，所以对磁芯的励磁电流为Ip1=IL3-IL2。这样就可以等效为仅有L3线圈产生励磁作用（有一部分抵消掉L2的励磁）。明白这点以后，继续往下分析。

3.    见图1，在上电瞬间，L2，L3中的等效励磁电流Ip1用红色线条表示，因为具有相同的磁路，Ip1将在L2上产生一个互感电流，图中用蓝色线条表示，L2+L3与C1构成并联谐振，这个互感电流的方向同IL2相反，如此正反馈造成的结果是IL2越来越小，最终可单纯看做只有L3参与励磁。
4.    与此同时，B点电压升高，D1截止，C点电压保持12V,MOS2继续保持开通。因为MOS2开通时VDS很小，A点近似接地，D2导通，将D点电位强行拉低至0.7V左右，MOS1失去VGS而截止。
5.    随着时间推移，L3对磁芯的励磁最终达到磁饱和，大家注意，此时蓝色线条的电流因磁芯饱和失去互感刚好减到0，MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻，瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上，使A点电位瞬间升高，D2截止，D点电位恢复至12V，MOS1获得VGS而导通（在VDS=0的情况下导通，故称ZVS）。继而B点近似接地，C点电压降到0.7V，MOS2截止，MOS1保持导通。当L2励磁达到饱和时电路状态再次发生翻转，重复第4过程。
6.    整个过程中，翻转的时间由谐振电容C1的容量和L2+L3共同决定，因为有C1构成谐振，初级电压波形呈完美正弦波，谐波分量大大减小，漏感的影响不复存在，因此变比等于匝比。L1为扼流电感，利用电感电流的不可突变特性，保证磁饱和瞬间MOS管的DS极不会流过巨大浪涌而损坏。这也是为什么不接此电感或者感量太小时，电路空载电流会增大，而且MOS管发热严重的原因。
因为利用了磁饱和原理，所以在磁芯工作在滞回线1,3象限的饱和临界点之间，磁芯的储能作用得以最大发挥，传递功率相当大。

中文的电路如下